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公开(公告)号：CN116695241B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310687180.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及一种过渡金属硫族化合物晶圆及其制备方法和装置，属于二维材料技术领域。该制备方法，包括：S1.组装生长模块；S2.将组装好的生长模块进行垂直堆叠，得到组合生长模块；将组合生长模块置于容器中，在惰性气体保护氛围下，升温至预定温度，进行化学气相沉积，得到晶圆。该方法采用“面对面”局域元素供应技术且选择高反应活性前驱体，能够有效解决传统模式“点对面”扩散生长源供应不均匀的问题；采取本申请的前驱体元素供应方法，能够大幅度扩展制备晶圆尺寸，扩展单片过渡金属硫族化合物晶圆尺寸至12英寸及以上，达到与当代半导体工艺兼容水平；且能够通过连续堆叠生长模块实现多片晶圆批量化生产。
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公开(公告)号：CN116695241A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310687180.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及一种过渡金属硫族化合物晶圆及其制备方法和装置，属于二维材料技术领域。该制备方法，包括：S1.组装生长模块；S2.将组装好的生长模块进行垂直堆叠，得到组合生长模块；将组合生长模块置于容器中，在惰性气体保护氛围下，升温至预定温度，进行化学气相沉积，得到晶圆。该方法采用“面对面”局域元素供应技术且选择高反应活性前驱体，能够有效解决传统模式“点对面”扩散生长源供应不均匀的问题；采取本申请的前驱体元素供应方法，能够大幅度扩展制备晶圆尺寸，扩展单片过渡金属硫族化合物晶圆尺寸至12英寸及以上，达到与当代半导体工艺兼容水平；且能够通过连续堆叠生长模块实现多片晶圆批量化生产。
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公开(公告)号：CN113511681B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010273633.5
申请日：2020-04-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种硫族元素化合物晶片辅助局域生长过渡金属硫族化合物的方法，所述制备方法包括如下步骤：将预备好的衬底均匀涂一层过度金属源后反扣于硫族元素化合物晶片上，二者构建出局域空间置于管式炉中。在高温情况下，由硫族元素晶片释放的硫族元素与衬底上的过渡金属源直接发生反应在衬底上得到相应的过渡金属化合物。相比常规CVD方法，该方法完美解决了在生长过程中前驱体源扩散供应不足不均匀的问题。具有工艺简单，生长速度快，普适性强等特点，可用于制备不同种类的过渡金属硫族化合物(TMDC)材料，为二维材料的制备提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN113186595A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110372541.7
申请日：2021-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸具有层间转角的二维单晶材料叠层的制备方法，涉及转角石墨烯及其它具有特定转角的二维单晶叠层制备方法。其主要特征为将单晶衬底进行堆叠并旋转特定角度，并在其表面外延二维单晶材料，随后将上下层二维单晶材料进行帖合，除去表面一层单晶衬底即可获得具有特定转角的二维单晶叠层。本发明提出的方法，解决了制备转角二维叠层时界面不洁净、叠层尺寸小、操作复杂等问题。通过非常简单的方法，实现了转角可控的大尺寸二维单晶叠层的快速制备。
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公开(公告)号：CN109837587B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810493951.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法，涉及单晶石墨烯及其它二维材料的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用含特定元素的衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯及其它二维材料。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶二维材料生长周期长的技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯及其它二维单晶样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109837523A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810493954.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法。本发明的目的在于克服现有技术之不足，将同位素标定法和局部碳源供给法结合起来，并利用脉冲控制电路能够快速准确地标定出石墨烯超快生长的速率，整个过程操作简便，程序可控，探测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN108114282A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201611066301.X
申请日：2016-11-28
Applicant: 北京大学第三医院
IPC: A61K45/00 , A61K31/366 , A61P9/10
CPC classification number: A61K45/00 , A61K9/0012 , A61K31/366
Abstract: 本发明公开了他汀类化合物作为骨骼内施用药物治疗缺血性疾病的用途，特别是，公开了骨骼局部施用他汀类药物治疗外周缺血性疾病或心脑血管缺血性疾病的用途。
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公开(公告)号：CN115219290B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202110425969.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种过程控制的大面积双层二维材料转移装置及其方法，该装置包括金属箔‑双层二维材料‑金属箔样品、胶水或胶带、电极夹、对电极、参比电极、电化学工作站、两个电极片、恒电位仪、电解液、以及电解槽；其中两个电极片水平或竖直放置在电解槽内。本发明装置实用性强、结构简单、成本低，能够获得大面积双层二维材料样品，相比于转移法获得的双层二维材料样品具有更洁净的表面，相比于化学气相沉积法获得的双层二维材料样品具有更可控的尺寸和转角。
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公开(公告)号：CN116011052A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211742307.X
申请日：2022-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/12 , G06F3/0481 , G06F3/04845 , G06F9/451 , G06F111/04
Abstract: 本发明涉及一种针对静态可视化添加直接交互的方法及系统，属于可视化领域，通过将常见可视化的空间布局解构为原子空间约束；以初始图表作为输入，从已有的可视化图表中推断其原始空间约束；根据推断出的可视化布局的原始空间约束，以及接收的用户交互指令计算交互后的空间约束，交互后的空间约束驱动可视化元素平衡到新的空间布局。采用本发明中公开的方法，针对当前可视化缺乏交互或者难以理解的问题，通过四种基本的空间约束支持对常见可视化的建模以支持可视化的多种类型的交互，实用性强，为可视化的发展奠定可靠基础。
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公开(公告)号：CN115219290A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110425969.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种过程控制的大面积双层二维材料转移装置及其方法，该装置包括金属箔‑双层二维材料‑金属箔样品、胶水或胶带、电极夹、对电极、参比电极、电化学工作站、两个电极片、恒电位仪、电解液、以及电解槽；其中两个电极片水平或竖直放置在电解槽内。本发明装置实用性强、结构简单、成本低，能够获得大面积双层二维材料样品，相比于转移法获得的双层二维材料样品具有更洁净的表面，相比于化学气相沉积法获得的双层二维材料样品具有更可控的尺寸和转角。
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