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公开(公告)号：CN117512781A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310015768.5
申请日：2023-01-05
Applicant: 北京大学
Inventor： 刘开辉 , 王恩哥 , 刘灿 , 戚嘉杰
IPC: C30B29/38 , C30B1/02
Abstract: 本公开披露了一种在金属衬底上生长单晶氮化硼的方法，所述方法包括如下步骤：(一)将固体硼氮源置于金属衬底下方，形成层叠体；(二)将层叠体升温至预定温度，然后在预定温度保温生长0.1‑100h；其中，所述预定温度范围为1000‑1400℃。
