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公开(公告)号：CN113511681B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010273633.5
申请日：2020-04-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种硫族元素化合物晶片辅助局域生长过渡金属硫族化合物的方法，所述制备方法包括如下步骤：将预备好的衬底均匀涂一层过度金属源后反扣于硫族元素化合物晶片上，二者构建出局域空间置于管式炉中。在高温情况下，由硫族元素晶片释放的硫族元素与衬底上的过渡金属源直接发生反应在衬底上得到相应的过渡金属化合物。相比常规CVD方法，该方法完美解决了在生长过程中前驱体源扩散供应不足不均匀的问题。具有工艺简单，生长速度快，普适性强等特点，可用于制备不同种类的过渡金属硫族化合物(TMDC)材料，为二维材料的制备提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN113540941A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010300611.3
申请日：2020-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料光纤饱和吸收体的全光纤锁模激光器及制备方法，所述激光器至少包括：泵浦光源、波分复用器、单模光纤、增益光纤、色散补偿光纤和偏振控制器。本发明中直接生长的二维材光纤饱和吸收体相比二维材料薄膜涂覆或转移的方法，具有优异的饱和秀特性和可重复性，可实现亚皮秒高质量的脉冲输出。且得益于二维材料的多样性，这种方法可以实现不同波长下的锁模激光输出，可广泛应用于全光纤锁模激光器等领域。
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公开(公告)号：CN110568546B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910772548.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , C23C16/30 , C03C25/223 , C03C25/106 , C03C25/42
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105‑180℃、550‑650℃和780‑850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低，制备方法简单，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110568546A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910772548.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , C23C16/30 , C03C25/223 , C03C25/106 , C03C25/42
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105-180℃、550-650℃和780-850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低，制备方法简单，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN113534329A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010299998.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的非线性光纤及测试方法，在所述光纤的至少部分表面上覆盖有二维材料薄膜；其中，所述二维材料薄膜通过直接生长的方法覆盖在所述光纤的至少部分表面上。相比采用二维材料薄膜涂覆或转移的方法制备的光纤，本发明的光纤中二维材料薄膜具有高质量和可重复性。本发明的基于二维材料的非线性光纤的测试方法，证明了基于二维材料的非线性光纤具有高的非线性信号。本发明通过集成高质量二维材料薄膜和光纤实现了高的非线性响应，且这种二维材料非线性光纤具有优良的全光纤集成能力，可广泛应用于光纤通信、频率转换和脉冲激光产生等领域。
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公开(公告)号：CN113511681A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010273633.5
申请日：2020-04-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种硫族元素化合物晶片辅助局域生长过渡金属硫族化合物的方法，所述制备方法包括如下步骤：将预备好的衬底均匀涂一层过度金属源后反扣于硫族元素化合物晶片上，二者构建出局域空间置于管式炉中。在高温情况下，由硫族元素晶片释放的硫族元素与衬底上的过渡金属源直接发生反应在衬底上得到相应的过渡金属化合物。相比常规CVD方法，该方法完美解决了在生长过程中前驱体源扩散供应不足不均匀的问题。具有工艺简单，生长速度快，普适性强等特点，可用于制备不同种类的过渡金属硫族化合物(TMDC)材料，为二维材料的制备提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN110554455A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910772550.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , G02B1/00 , G02F1/355 , C03C25/42 , C03C25/223 , C03C25/106
Abstract: 本发明涉及一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法。所述制备方法为：采用钼酸或者钨酸钠/钾盐溶液对光纤进行浸润处理后再低压高温条件下将高质量的单层或者少层过渡金属硫族化合物直接沉积到光纤中心空气孔道内壁或者光子晶体光纤包层空气孔及纤芯空气孔道内壁上。光纤材质为石英或者石英聚合物。结合过渡金属硫族化合物优异的光学、电学性能与光纤光子结构的特点，实现二维TMDC材料与光纤的多功能集成。该方法具有成本低，制备方法简单，生长周期短，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN110554455B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910772550.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , G02B1/00 , G02F1/355 , C03C25/42 , C03C25/223 , C03C25/106
Abstract: 本发明涉及一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法。所述制备方法为：采用钼酸或者钨酸钠/钾盐溶液对光纤进行浸润处理后再低压高温条件下将高质量的单层或者少层过渡金属硫族化合物直接沉积到光纤中心空气孔道内壁或者光子晶体光纤包层空气孔及纤芯空气孔道内壁上。光纤材质为石英或者石英聚合物。结合过渡金属硫族化合物优异的光学、电学性能与光纤光子结构的特点，实现二维TMDC材料与光纤的多功能集成。该方法具有成本低，制备方法简单，生长周期短，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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