金属硫族化合物单晶薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN118223130A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410325437.6

    申请日:2024-03-21

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 刘开辉 刘灿 秦彪

    Abstract: 一种金属硫族化合物单晶薄膜及其制备方法,属于材料领域。金属硫族化合物单晶薄膜包括依次堆叠的多层菱方相或六方相金属硫族化合物单晶晶粒,每层金属硫族化合物单晶晶粒单向取向,且任意相邻的两层金属硫族化合物单晶晶粒的单向取向方向平行。通过上述平行堆叠的多层单向相结构相同的金属硫族化合物单晶晶粒互相配合,使得金属硫族化合物单晶薄膜兼顾有均匀性高、质量高、晶圆级、纯相及可控厚度等优势。

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