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公开(公告)号：CN115679278B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202110864874.1
申请日：2021-07-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种双磁控管溅射装置及半导体工艺设备，双磁控管溅射装置包括主旋转横梁、第一磁控管、第二磁控管和旋转部件；第一磁控管与第二磁控管分别设于主旋转横梁的两端；旋转部件包括第一旋转部和第二旋转部，第一旋转部用于连接驱动源，以驱动旋转部件自转，第二旋转部与主旋转横梁的中心转动连接，第一旋转部的旋转轴和第二旋转部的旋转轴之间具有预设距离；主旋转横梁上设有限位件，用于在旋转部件正转或者反转时与旋转部件抵接，使旋转部件带动第一磁控管和第二磁控管围绕第一旋转部旋转，且第一磁控管和第二磁控管中的一者在靶材范围内旋转，另一者至少部分在靶材外旋转。本发明装置无需使用配重块，能够使装置的整体重量得到有效的降低。
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公开(公告)号：CN114807886B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210389035.3
申请日：2022-04-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种工艺腔室及工艺方法，工艺腔室包括腔体、内衬、温控部件和控制件，内衬呈环状，并沿腔体的内周壁的周向设置，用于对腔体的内周壁进行遮挡；温控部件设置在内衬上，用于对内衬的温度进行检测，并对内衬进行加热；控制件与温控部件电连接，用于根据温控部件检测到的内衬在半导体工艺中的稳定温度和实时温度，在内衬的实时温度未达到稳定温度时控制温控部件对内衬进行加热，以能够对内衬的温度进行控制。本发明提供的工艺腔室及工艺方法，能够减小内衬在工艺进行中和未进行工艺时的温差，减少沉积物的剥落，从而能够提高工艺稳定性及工艺结果。
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公开(公告)号：CN113161280B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110433321.0
申请日：2015-01-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于除气腔室的顶针机构，所述顶针机构包括多个顶针、升降托架和升降装置，其中，所述升降装置的输出轴与所述升降托架相连，多个所述顶针间隔地设置在所述升降托架上，所述升降装置用于驱动所述顶针做升降运动；每个所述顶针均包括朝向所述升降托架的中部延伸的支撑部和向上延伸的限位部。本发明还提供一种除气腔室。由于顶针包括限位部，因此，在顶针将设置在加热件上的晶圆顶起时，晶圆被限制在多个顶针的限位部共同限定的区域内，并且由多个顶针的支撑部共同支撑，因此，晶圆不会从多个顶针上滑落，位置也不会发生偏移，从而避免了晶圆被机械手碰碎的风险。
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公开(公告)号：CN116815140B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310745558.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN115679278A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110864874.1
申请日：2021-07-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种双磁控管溅射装置及半导体工艺设备，双磁控管溅射装置包括主旋转横梁、第一磁控管、第二磁控管和旋转部件；第一磁控管与第二磁控管分别设于主旋转横梁的两端；旋转部件包括第一旋转部和第二旋转部，第一旋转部用于连接驱动源，以驱动旋转部件自转，第二旋转部与主旋转横梁的中心转动连接，第一旋转部的旋转轴和第二旋转部的旋转轴之间具有预设距离；主旋转横梁上设有限位件，用于在旋转部件正转或者反转时与旋转部件抵接，使旋转部件带动第一磁控管和第二磁控管围绕第二旋转部旋转，且第一磁控管和第二磁控管中的一者在靶材范围内旋转，另一者至少部分在靶材外旋转。本发明装置无需使用配重块，能够使装置的整体重量得到有效的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114807886A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210389035.3
申请日：2022-04-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种工艺腔室及工艺方法，工艺腔室包括腔体、内衬、温控部件和控制件，内衬呈环状，并沿腔体的内周壁的周向设置，用于对腔体的内周壁进行遮挡；温控部件设置在内衬上，用于对内衬的温度进行检测，并对内衬进行加热；控制件与温控部件电连接，用于根据温控部件检测到的内衬在半导体工艺中的稳定温度和实时温度，在内衬的实时温度未达到稳定温度时控制温控部件对内衬进行加热，以能够对内衬的温度进行控制。本发明提供的工艺腔室及工艺方法，能够减小内衬在工艺进行中和未进行工艺时的温差，减少沉积物的剥落，从而能够提高工艺稳定性及工艺结果。
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公开(公告)号：CN110349910A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810305925.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN110344013A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910763676.9
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN104810228B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410032274.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
CPC classification number: H01J37/3405 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01J25/58 , H01J37/3408 , H01J37/3452
Abstract: 本发明涉及一种螺旋形磁控管及磁控溅射设备，螺旋形磁控管包括极性相反的分别由多条螺旋线组成的内磁极和外磁极；内磁极螺旋线的螺旋中心围绕在内磁极内部；外磁极的螺旋中心与内磁极的螺旋中心相同，外磁极螺旋线与内磁极螺旋线从螺旋中心向外周螺旋离散；外磁极逐层包围内磁极；离螺旋中心最远的内磁极螺旋线与相邻的内磁极螺旋线在末端合并，合并末端沿离所述螺旋中心最远的内磁极螺旋线的轨迹延伸；离螺旋中心最远的外磁极螺旋线包围所述合并末端，离螺旋中心最远的外磁极螺旋线的末端与相邻外磁极螺旋线之间圆弧连接；相邻内磁极螺旋线圆滑封闭连接，相邻外磁极螺旋线圆滑封闭连接；内磁极、外磁极螺旋线依方程分布，实现溅射沉积均匀。
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公开(公告)号：CN110544646B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201811020733.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 一种加热基座、工艺腔室及退火方法，加热基座包括基座主体，基座主体的上表面设有多个凸台，基座主体的上表面设有匀流槽，基座主体内设有气体通道，气体通道的一端与匀流槽连通。保护气体可沿环形的匀流槽扩散到基座主体的整个上表面，从而在基座主体的上表面形成气体保护层，防止有机物进入基片与基座主体之间的缝隙，避免基座主体表面污染。
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