半导体设备
    25.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208478303U

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201821184808.X

    申请日:2018-07-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种半导体设备,包括腔室和真空泵,还包括柔性密封管和真空泵支架,其中,所述柔性密封管连接在所述腔室的出口和所述真空泵的入口之间,以减小所述真空泵传递给所述腔室的震动;所述真空泵支架用于支撑所述真空泵。本实用新型将腔室与真空泵之间通过柔性密封管进行连接,并通过真空泵支架单独支撑真空泵,使得真空泵产生的震动和力不会传到腔室,避免了由于真空泵本身的震动引起的腔室震动,增加了半导体设备的稳定性。

    一种法拉第筒组件及工艺腔室

    公开(公告)号:CN222734927U

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202420658533.8

    申请日:2024-04-01

    Abstract: 本申请公开了一种法拉第筒组件及工艺腔室,法拉第筒组件包括:第一筒件,设置于所述工艺腔室内的上部;第二筒件,设置于所述工艺腔室内的下部,并与所述第一筒件间隔设置,以至少暴露所述线圈的一部分。本申请的法拉第筒组件通过采用第一筒件和第二筒件分体式设计,可以避免对线圈的磁场产生屏蔽,削弱ICP放电,导致在提高ICP放电的功率到极限值时依然无法起辉的问题。此外,通过第一筒件和第二筒件可以加强对工艺腔室内的颗粒的吸附,避免陶瓷筒完全暴露于等离子体环境中需要更频繁的清洗的问题。

    半导体工艺设备
    27.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219653110U

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202320413860.2

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备,所述半导体工艺设备包括腔室(100)、磁控管组件(200)和磁体组件(300),所述磁控管组件(200)设于所述腔室(100)的顶部,所述磁体组件(300)环绕设置在所述腔室(100)之外,以使所述磁控管组件(200)与所述磁体组件(300)配合形成偏置磁场,所述磁体组件(300)与所述腔室(100)转动配合,以通过转动所述磁体组件(300)改变所述磁控管组件(200)与所述磁体组件(300)之间的偏置磁场。上述方案能解决相关技术的半导体工艺设备在调整靶材的过程中存在操作工作量较大的问题。

    上电极装置及磁控溅射设备

    公开(公告)号:CN222729880U

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202421395142.8

    申请日:2024-06-18

    Abstract: 本申请提供了一种上电极装置及磁控溅射设备,上电极装置包括磁控部件、冷却腔、套筒组件、空心轴以及驱动机构,冷却腔的底部固定设置有靶材组件,磁控部件设置在冷却腔中;空心轴部分穿入冷却腔中,空心轴内部设有介质通道,介质通道用于向冷却腔内输送冷却液;套筒组件套设在空心轴的外周,空心轴和套筒组件中的一者固定设置,另一者与磁控部件相连,并连接驱动机构,用于带动磁控部件绕空心轴转动。冷却液由介质通道输送入冷却腔中。磁控部件绕空心轴转动,带动冷却液流动,使冷却液在冷却腔内均匀扩散,提高冷却液的流动路径,进而提高靶材组件降温效率。另外,冷却液在冷却腔内可分布得更加均匀,提高了靶材组件降温的均匀性。

    机械手
    30.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219190236U

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202223547151.8

    申请日:2022-12-27

    Inventor: 许利利 杨依龙

    Abstract: 本申请提供一种机械手,用于托起晶圆,包括托手和多个支撑部;多个支撑部在托手的第一表面上沿预设圆周分布,用于支撑晶圆的边缘,支撑部远离托手的一端具有用于支撑晶圆支撑面,各个支撑部的支撑面与第一表面之间形成让位空间。在机械手托起翘曲的晶圆时,支撑部的支撑面贴合并支撑晶圆,翘曲的晶圆的最低点处于让位空间中,避免晶圆与托手接触,进而避免转运晶圆的过程中,机械手将晶圆划伤。

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