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公开(公告)号：CN113917304B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111180529.2
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运算拟合成为晶体管寄生电容曲线，对辐照前后测试得到的碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容曲线进行比对，自动生成米勒平台区域产生的差值，再设定合理的预值范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的开关性能产生严重影响。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。
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公开(公告)号：CN117368678A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311271354.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、转接座、导通测试模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的测试软件，设定的电压测试，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管导通特性数据，再经过优化拟合为随温度变化的导通特性曲线；再将鼓风干燥箱、样品测试版放在钴60伽马射线辐照室内，得到高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性曲线，对辐照前后测试得到的晶体管导通特性曲线进行比对，快速判断是否会对器件的导通性能产生严重影响。本发明可快速准确地鉴别碳化硅功率晶体管在高温辐照环境下的导通损伤程度，为相关领域的工程师和研究人员提供重要的参考信息。
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公开(公告)号：CN117310428A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311271744.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种快速鉴别不同温度辐照环境下碳化硅功率晶体管损伤的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、源测量单元模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的扫描软件，设定的电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管转移特性数据，再经过优化拟合为转移特性曲线；再将所得转移特性曲线进行绝对值限定，得到更为直观的转移特性曲线，然后对转移特性曲线通过对数坐标的算法运算，对辐照前后测试得到的晶体管转移特性曲线进行比对，生成亚阈值区域产生的漂移量，再设定预值的合理范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的性能产生严重影响。本发明可快速准确地鉴别碳化硅功率晶体管在高温辐照环境下的损伤程度，为相关领域的工程师和研究人员提供重要的参考信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110910946B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201911212780.5
申请日：2019-11-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模块通过分析三维叠层封装SRAM器件各层翻转存储单元的相对位置，完成单粒子翻转的在轨甄别，该系统能够在轨甄别单粒子翻转，并获取导致单粒子翻转高能粒子的LET及入射角度信息。进而分析电子器件真实的在轨单粒子翻转率，这对于单粒子效应产生机理、评估方法及加固技术研究具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN114169194A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111409788.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果与试验结果对比，修正辐射效应模型参数和氧化层材料参数，使仿真结果最大程度与辐照试验结果拟合，获得器件电离总剂量辐照后基本电学特性和物理参数。本发明可准确揭示多栅鳍式场效应晶体管总剂量效应的损伤机制。
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公开(公告)号：CN113484902A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110840125.5
申请日：2021-07-24
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法，该方法首先将辐射剂量传感器放置于高低温环境试验箱内，开展4个不同温度环境下的应力试验，利用半导体参数测试系统对辐射剂量传感器的输出转移特性曲线Ids‑Vgs进行在线测试，获得Ids‑Vgs曲线簇，并提取出辐射剂量传感器的零温度系数电流值Iztc。再利用电子电路基本原理建立恒流源电路模块为辐射剂量传感器提供恒流Iztc，使得PMOS剂量计温度效应受到抑制，从而保证PMOS剂量计辐射剂量的测量精度。该方法可提高用于探测空间电子元器件被辐照后经电离过程中产生的吸收剂量设备PMOS剂量计的测量精度，为航天器的设计、电子元器件及电子设备可靠性应用提供重要数据支撑，实用性强。
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公开(公告)号：CN108037438B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201711329107.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果，获得总剂量辐照对样品负偏压温度不稳定性的影响。本发明提供的方法能够表征总剂量辐照对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN106370629A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610720572.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01N21/63
CPC classification number: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法，该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成，利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光，经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置，样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口，经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号，并经过锁相放大器对信号进行降噪放大，所采集的不同信号得出光电材料的光致发光谱，再将光电材料受高能粒子辐照后，再进行测试一次，即可得到光电材料的光致发光谱辐射损伤。该方法减轻了光电材料辐照前后光致发光谱测试的工作量；结构紧凑，操作简单方便。
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