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公开(公告)号：CN101452043A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710178300.9
申请日：2007-11-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R33/12
Abstract: 本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光，圆偏振光照射样品，样品中产生自旋极化的电子；在反向电场的驱动下，铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子，但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50％的自旋极化电子，从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应；在正向电场的驱动下，半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动，受铁磁中极化电子的影响，会滤除与其自旋方向相反的注入电子。
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公开(公告)号：CN101325309A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200710118870.9
申请日：2007-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行光放大器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下布拉格反射器，该下布拉格反射器制作在缓冲层上；一下垒层，该下垒层制作在下布拉格反射器上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上布拉格反射器，该上布拉格反射器制作在上垒层的上面；一电极接触层，该电极接触层制作在上布拉格反射器上，形成微腔光放大器；把微腔光放大器光刻成条状台面，并将它的两个端面刻蚀成45度倾角的斜面并镀有增透膜。
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公开(公告)号：CN101206141A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610165535.X
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J3/00 , G01J3/02 , G01J3/10 , G01J3/12 , G01J3/18 , G01J3/26 , G01J3/28 , G01S7/497 , G01S17/88 , G01S17/89 , G01S17/95
Abstract: 一种共焦显微中远红外探测器光谱响应测量系统，包括：一红外光源；一红外单色仪的输入端与红外光源的输出端相连接；一红外共焦显微系统位于红外单色仪输出光路上；一斩波限光单元位于红外共焦显微系统和三维微动平台之间，并位于红外单色仪的输出光路上；一三维微动平台位于红外单色仪的输出光路上；一样品致冷杜瓦固定在三维微动平台上；一前置放大器与样品致冷杜瓦相连接，起到对样品电信号的放大作用；一锁相放大器与前置放大器相连接；一控制计算机与锁相放大器和红外单色仪相连接，控制锁相放大器和红外单色仪实施测试过程，同时采集由锁相放大器和红外单色仪输入的数据信号。
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公开(公告)号：CN101196559A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610164886.9
申请日：2006-12-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种可调整测量几何的磁光圆偏振二向色性测量系统，其结构为：一飞秒激光器激发超连续光谱白光，通过一单色仪进行分光，成为波长可以调节的单色光，该单色光通过一个消光系数为10－5的格兰－泰勒棱镜纯化偏振；一光弹调制器，其光轴与格兰－泰勒棱镜的光轴成45°角，使光成为左旋和右旋交替变化的圆偏振光；一样品，放在低温磁体的中心；圆偏振光聚焦到样品上，从样品反射回来的反射光聚焦到第一光二极管探测器上；一锁相放大器，其参考信号由光弹调制器的控制器提供，用于测左旋和右旋圆偏振光的光强差。本发明不仅可以测量材料的磁光圆偏振二向色性的频谱、磁场强度和温度依赖性，还可以测量磁性半导体的磁晶各向异性。
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公开(公告)号：CN100390512C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200310119647.8
申请日：2003-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 一种单光子探测装置的结构，使用液氮制冷带尾纤的雪崩二极管，其特征在于：主要包括：一中空的隔热塑料塞；一中空拉杆，该中空拉杆的一端与中空的隔热塑料塞固接；一雪崩二极管，该雪崩二极管固接在中空的隔热塑料塞的另一端；一金属套管，该金属套管置于中空拉杆内；一带有螺纹的法兰，该带有螺纹的法兰固定在中空拉杆的另一端；一电缆端口，该电缆端口固定在带有螺纹的法兰的另一端；一单模光纤，该单模光纤容置在金属套管内，一端与雪崩二极管固接，另一端引出带有螺纹的法兰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100355017C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510072978.X
申请日：2005-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及电子学器件技术领域，利用InGaAs作为缓冲层来增加半金属铁磁体闪锌矿结构锑化铬(zb-CrSb)厚度的分子束外延生长方法。包括分子束外延生长系统、源炉温度控制系统、五种元素固体源(包括Ga、As、In、Cr、Sb)、GaAs衬底、反射式高能电子衍射枪、超导量子干涉仪(SQUID)。利用分子束外延系统生长制备zb-CrSb样品。通过SQUID测量zb-CrSb的基本磁性质。从极低温下zb-CrSb的磁滞回线得到饱和磁矩，并由此来计算zb-CrSb的厚度。
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公开(公告)号：CN1621791A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200310119647.8
申请日：2003-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 一种单光子探测装置的结构，使用液氮制冷带尾纤的雪崩二极管，其特征在于：主要包括：一中空的隔热塑料塞；一中空拉杆，该中空拉杆的一端与中空的隔热塑料塞固接；一雪崩二极管，该雪崩二极管固接在中空的隔热塑料塞的另一端；一金属套管，该金属套管置于中空拉杆内；一带有螺纹的法兰，该带有螺纹的法兰固定在中空拉杆的另一端；一电缆端口，该电缆端口固定在带有螺纹的法兰的另一端；一单模光纤，该单模光纤容置在金属套管内，一端与雪崩二极管固接，另一端引出带有螺纹的法兰。
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公开(公告)号：CN1114958C
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN00105876.2
申请日：2000-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种平面微腔增强型探测器，包括位于同一直线上大口径聚焦透镜，小口径准直透镜和微腔，所述微腔是由量子点或吸收体作为有源层的微腔，且微腔固定在旋转轴上；其使用方法是：旋转轴以微调微腔表面法向n与入射光的夹角，从而探测到不同波长的入射光。
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公开(公告)号：CN101833072B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010162487.5
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R33/038
Abstract: 本发明公开了一种基于永磁体实现磁场扫描的结构及方法。该结构包括一钕铁硼永磁体、一一维电动平移台及其控制器，其中钕铁硼永磁体通过自制加工件固定在一维电动平移台的台面上。本发明提供的基于永磁体实现磁场扫描的结构及方法，利用钕铁硼永磁体和一维电动平移台的组合实现了一种可以扫描磁场的实验测量结构。利用本发明，可以紧凑、全天候、无消耗地为实验提供一个可变的磁场环境。
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公开(公告)号：CN101685146B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810223614.0
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统，包括分子束外延系统、具有特殊光路的磁场控制系统、表面磁光克尔效应测试系统和铁磁性薄膜样品；具有特殊光路的磁场控制系统与分子束外延系统生长室的衬底观察窗口相对接，表面磁光克尔效应测量系统通过调试，能够使入射激光通过磁场控制系统的特殊光路照射到固定在处于生长位置操作器上的铁磁性薄膜样品表面，铁磁性薄膜样品表面的反射激光能够通过磁场控制系统的特殊光路反馈到信号接收器中。同时公开了一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效应进行测量的方法。本发明具有简单方便易操作的优点，可无损伤无影响地实现原位表面磁光克尔效应的测量。
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