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公开(公告)号：CN110970525A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811152978.4
申请日：2018-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种平面GaN基紫外探测器及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该紫外探测器制作方法包括：光刻后选择性刻蚀第一SiO2钝化层至其底部；在所述第一SiO2钝化层刻蚀的孔洞内，从下到上依次生长n型掺杂层、i型层和p型掺杂层。本发明中，制作紫外探测器时，先生长SiO2钝化层，并在钝化层的刻蚀区内生长GaN基紫外探测器材料，避免台面刻蚀工艺，有效减少pn结侧面漏电流，提高探测器性能。
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公开(公告)号：CN110970509A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811143763.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/024
Abstract: 本发明公开了一种背入射式量子阱红外探测器单元器件的封装装置及方法，该方法由以下步骤实现：用粘合剂将量子阱红外探测器单元器件及陶瓷片粘在热沉上；用金丝压焊的方法将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出到陶瓷片上；用焊锡将引出线焊在陶瓷片上；用螺丝将热沉固定在金属适配器上；用螺丝将适配器固定在杜瓦冷指上；将引出线的另一端焊在杜瓦接线柱上，从而将量子阱红外探测器单元器件上的不同电极引出杜瓦。本发明通过特定形状的适配器与热沉相配合，实现光栅耦合的量子阱红外探测器单元器件的杜瓦封装，因为和面阵器件采用相同的光耦合方式，因此可以更精确的预估面阵器件的特性。
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公开(公告)号：CN103646986B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310729555.5
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n?i?p?i?n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN103904161B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410112197.8
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；制作正面光栅，并制作上电极；刻蚀，形成隔离槽和上台面；刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，形成中台面，刻蚀每个隔离槽另一侧的侧壁，形成下台面；制作中间电极，制作下电极，形成基片；生长一层钝化层；生长引出金属层，把中间电极、下电极和上电极引出到上台面；生长二次钝化层，在二次钝化层上腐蚀出引线孔，并在引线孔中生长加厚金属，形成样片；把样片分割成面阵的管芯，并与读出电路进行互连；在衬底的背面制作背面光栅。本发明在每个像元都能同时引出两个波段红外信号的结构中，使得两个波段都有高的光栅耦合效率，提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN102244146B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110184218.3
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层；在其两侧向下进行刻蚀，刻蚀到达n型掺杂层内；在其表面沉积氮化硅层；去除p型掺杂层表面的部分氮化硅层和n型掺杂层上的部分氮化硅层并制作n型欧姆接触金属层，在去除部分氮化硅层的p型掺杂层上制作p型欧姆接触金属层，形成基片；在基片的表面沉积一层二氧化硅层；在二氧化硅层的最上面光刻，腐蚀露出面阵四个边缘的n型欧姆接触金属层，腐蚀露出p型欧姆接触金属层；在面阵四个边缘露出的n型欧姆接触金属层和p型欧姆金属层引线孔内及部分二氧化硅层的表面制作加厚金属层；将衬底减薄、抛光，进行管芯分割，完成探测器面阵制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100495742C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610165537.9
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/111 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射并产生光电子；一n+GaAs上接触层生长在多周期光电流产生区上，保护多周期光电流产生区；该n+GaAs上接触层中重掺杂Si原子；一上电极制作在n+GaAs上接触层上，收集并输出多周期光电流产生区产生的光电流信号；一下电极制作在n+GaAs下接触层上形成的台阶的一侧，和上电极一起给多周期光电流产生区施加偏压。
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公开(公告)号：CN101207163A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610165537.9
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/111 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射并产生光电子；一n+GaAs上接触层生长在多周期光电流产生区上，保护多周期光电流产生区；该n+GaAs上接触层中重掺杂Si原子；一上电极制作在n+GaAs上接触层上，收集并输出多周期光电流产生区产生的光电流信号；一下电极制作在n+GaAs下接触层上形成的台阶的一侧，和上电极一起给多周期光电流产生区施加偏压。
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公开(公告)号：CN101150243A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610113238.0
申请日：2006-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作氮化镓基激光器管芯的方法，该方法包括：A.在制作的激光器外延结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；B.利用介质膜或光刻胶作掩膜在蒸镀了P型欧姆接触电极的激光器外延结构上刻蚀出激光器的N型接触区域；C.利用光刻胶作掩膜刻蚀出激光器的脊型结构，并保留剩余的光刻胶掩膜；D.在刻蚀出脊型结构的激光器上蒸镀或沉积介质膜隔离层；E.采用剥离的方法露出脊型表面的P型欧姆接触电极；F.采用光刻和蒸镀金属电极的方法形成激光器的P型加厚电极和N型欧姆接触电极。利用本发明，使激光器工作电流的注入均匀，进而易于制作脊型宽度窄的激光器，实现了激光器的基模工作。
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公开(公告)号：CN101132111A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200610112547.6
申请日：2006-08-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基蓝光激光器的制作方法，包括在蓝宝石衬底上依次外延生长氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、N型覆盖层、N型波导层、有源区多量子阱层、P型波导层、P型覆盖层、P型氮化镓层，形成氮化镓激光器结构；刻蚀，形成脊型波导；制备绝缘保护层和P型电极；制备金属覆盖层；在砷化镓衬底上制备金属覆盖层；将制备好的两样片键合在一起，在其空隙处导入导热绝缘的环氧树脂封胶，固化；除去蓝宝石衬底；解理；在解理后的管芯腔面镀膜；通过焊料层将砷化镓衬底底部焊接到热沉上，并分别从热沉的焊料层上和N型电极上引出P电极引线和N电极引线，完成蓝光激光器的制作。
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公开(公告)号：CN1877869A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200510011899.8
申请日：2005-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，其中包括光栅的制作，包括光刻及刻蚀，根据实际情况可以选择不同的光栅形状，使用干法刻蚀或湿法腐蚀；在整个材料上沉积金属；上台面的光刻及刻蚀；在探测器2起作用的像素中，对探测器1进行侧向短路，该项又包括光刻、金属的沉积，面阵中响应波长不同的两个像素的排列，根据实际情况可以选择不同的方式；下台面的光刻及刻蚀；用带胶剥离的方法，使在探测器1起作用的像素中，探测器2侧向短路，同时引出共用的下电极；生长钝化层，在钝化层上光刻、腐蚀出引线孔，并用剥离的方法在引线孔中生长二次金属。
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