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公开(公告)号：CN102214739A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110136088.6
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基LED的外延粗化方法的流程图，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化铝镓铟成核层；在该氮化铝镓铟成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层，该层为单层或者不同组分与厚度的氮化铝镓铟叠层结构；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，实现了P型掺杂的氮化铝镓铟层生长时的表面粗化，制备出的LED效率相对与传统结构提高了30％以上，且其电学性质优良。
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公开(公告)号：CN114759002A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210352949.2
申请日：2022-04-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体芯片，包括：基层芯片，以及电极层，设置在所述基层芯片上，其中，所述电极层形成多个孔；其中，所述电极层的熔点小于300℃，并且由锡、铟合金材料和锡合金材料中的一种制成。
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公开(公告)号：CN114497315A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210139488.0
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底、外延层、PN电极层和感光显影层，外延层形成于所述衬底的表面上；PN电极层形成于所述外延层的表面上，且位于所述外延层表面的两端；感光显影层覆盖所述衬底和所述外延层的剩余表面且所述感光显影层的表面高于所述外延层的表面。
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公开(公告)号：CN110260268B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910552034.4
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21V7/05 , F21V7/24 , F21K9/20 , F21Y115/10
Abstract: 一种匀光照明模组及其应用，该匀光照明模组包括：外壳，其内壁具有漫反射表面特性且内底面具有镜面反射表面特性；发光元件，其安装在外壳内部，用于提供光源；匀光元件，其安装在外壳内部，用于匀化光源；出光面，其设置在外壳顶部，用于输出光源。本发明结构简单，制作难度和成本低，且匀光模组总的高度低于10mm，在较小的厚度和体积下实现了较高质量的近场匀光。
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公开(公告)号：CN111048496A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201811194251.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种倒装LED红光器件结构及其制备方法，结构包括：倒装蓝光LED芯片和位于所述倒装蓝光LED芯片上的红光OLED结构。其中，倒装蓝光LED芯片结构包括：蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N-GaN层、多量子阱发光层、P-GaN层；红光OLED结构包括：在倒装蓝光LED芯片背面依次生长空穴传输层、掺杂红光掺杂剂的电子传输层、不掺杂掺杂剂的电子传输层和外层保护层。制备方法包括：制备倒装蓝光LED芯片；制备红光OLED结构；倒装LED红光器件倒装焊到电路板上。本发明采用倒装蓝光LED光致红光OLED发光的方法实现器件制备，该器件制备工艺简单，可以有效解决倒装红光LED器件制备工艺复杂、成品率低、成本高等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105575956B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201511029139.X
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片集成封装模块和封装方法。所述封装模块包括：多组发光单元、第一线路基板、第二线路基板和封装材料；所述多组发光单元集成在第一线路基板上，所述第一线路基板和第二线路基板上包括调整线路和金属球阵列，第一线路基板上的金属球阵列为不规则金属阵列，第二线路基板上的金属球阵列为规则阵列；所述第二线路基板利用其上的调整线路将所述第一线路基板上不规则金属球阵列重置至第二线路基板底部的规则金属球阵列上；所述封装材料用于封装所述多组发光单元、第一线路基板和第二线路基板。
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公开(公告)号：CN103943677B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410153249.6
申请日：2014-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法。该芯片尺寸级氮化镓基晶体管包括：衬底；依次沉积于衬底正面的低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝掺入层、铝镓氮势垒层、氮化镓帽层，其中，氮化镓帽层的两侧经刻蚀形成台阶；分别形成氮化镓帽层两侧台阶的漏极和源极，形成于氮化镓帽层上的栅极，其中，漏极、源极和栅极各自的下方直至衬底背面分别形成通孔，三个通孔的侧壁形成绝缘层，其内部填充金属，从而将漏极、源极和栅极电性连接至衬底背面。本发明将漏极、栅极、源级的金属层用导电通道的方法连接到衬底背面，在原有器件性能不变的基础上，能大大缩减封装器件的体积。
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公开(公告)号：CN103579478B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310553600.6
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与衬底接触的P电极和N电极；步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。
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公开(公告)号：CN103486474B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310447405.5
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光斑可调的室内投影式照明系统，包括：多路投影系统，用于提供室内投影式照明系统的投射光线；控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信；多路反射系统，用于将所述多路投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述系统通过设置多组投影光路和多个反射面来放大光斑和调整光斑形状。同时，在投影系统中的增加了散热部件，可更大程度的降低系统热量。本发明既节省了传统照明设备中灯具透镜和反射器所占用的空间，又为提供了更大的照明灵活性。
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公开(公告)号：CN102969413B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210548464.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。
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