公开(公告)号：CN103022280A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210548465.1

申请日：2012-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 谢海忠 ,  于飞 ,  鲁志远 ,  杨华 ,  李璟 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  B23K26/38

Abstract: 一种激光钻孔切割异形发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：将制备好的条状的发光二极管芯片阵列竖直固定；步骤2：将激光器的焦点聚焦在条状的发光二极管芯片阵列的侧表面；步骤3：移动条状的发光二极管芯片阵列，激光器对条状的芯片阵列的衬底进行斜向激光钻孔；步骤4：裂片，制备完成发光二极管单元。

公开(公告)号：CN102969413B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210548464.7

申请日：2012-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 谢海忠 ,  张逸韵 ,  鲁志远 ,  杨华 ,  李璟 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。

公开(公告)号：CN102969413A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210548464.7

申请日：2012-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 谢海忠 ,  张逸韵 ,  鲁志远 ,  杨华 ,  李璟 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。