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公开(公告)号：CN114975672A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110222821.X
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 一种背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法，包括：衬底、π型层、p型层、n+层、贯穿p型层的沟道型保护槽、二氧化硅绝缘层以及第一电极；还包括位于结构下方的衬底掏空区域、硅柱区和第二电极。本发明通过设置硅柱区和沟道型保护槽，增强了光电探测器近红外波段下不同波长的响应，调控边缘电场分布，有效调节器件的击穿特性，降低了过剩噪声；此外本发明在制备过程中采用微米级工艺，较纳米级工艺精度要求低，工艺容错率高，达到了降低制备成本的有益效果。
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公开(公告)号：CN111987585A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910443247.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅波导输出激光器，包括：III-V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，所述III-V族有源结构包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表面；量子阱有源层，设置于所述P型层下表面；N型层，设置于所述量子阱有源层下表面；以及，硅波导结构，设置于所述III-V族有源结构之下，用于与所述III-V族有源结构共同形成光学谐振腔和激光输出波导。
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公开(公告)号：CN108630781B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810408182.4
申请日：2018-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种3～5μm红外波段雪崩光电二极管探测器(APD)及其制作方法，该红外波段APD包括自上而下叠置的减反膜层、P+型InSb电极接触层、作为吸收层的N型InSb层、作为倍增层的P型外延Si层、和N+型Si层，其中，N型InSb层和P型外延Si层分别是InSb/Si键合晶片中的N型InSb层和P型外延Si层。由此，InSb对红外波段光的吸收大，外延Si材料的电子离化率与空穴离化率的差别较大，其过剩噪声因子小，故能获得噪声小的倍增性能，相比倍增层为InSb的情形，不仅能够使InSb/Si APD器件的噪声降低，APD探测器的响应度提升，而且经由较窄吸收层的N型InSb层和窄倍增层的P型外延Si层的组合能够实现高速、低噪声光电探测的效果；同时，使用InSb/Si键合晶片降低了与Si读出电路之间的热失配。
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公开(公告)号：CN109683354B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910121018.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本公开提供了一种中红外波段调制器的制备方法，包括：步骤1：SOI衬底顶层硅(1)与N型InSb衬底(20)真空键合；步骤2：减薄N型InSb衬底(20)后刻蚀出脊形N型InSb结构(2)，该脊形N型InSb结构(2)包括中间的脊形和两侧的平板区；步骤3：将平板区转变为P型InSb结构(3)，或者，将凸出于平板区的脊形转变为P型InSb结构(3)，同时，使得在N型InSb结构(2)与P型InSb结构(3)之间形成中性区I区(4)；步骤4：对脊形一侧的平板区进行光刻腐蚀，保留另一侧的平板区；步骤5：制备钝化保护层(5)；步骤6：制备N电极(6)和P电极(7)。本公开还提供了一种中红外波段调制器。
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公开(公告)号：CN109683354A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910121018.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本公开提供了一种中红外波段调制器的制备方法，包括：步骤1：SOI衬底顶层硅(1)与N型InSb衬底(20)真空键合；步骤2：减薄N型InSb衬底(20)后刻蚀出脊形N型InSb结构(2)，该脊形N型InSb结构(2)包括中间的脊形和两侧的平板区；步骤3：将平板区转变为P型InSb结构(3)，或者，将凸出于平板区的脊形转变为P型InSb结构(3)，同时，使得在N型InSb结构(2)与P型InSb结构(3)之间形成中性区I区(4)；步骤4：对脊形一侧的平板区进行光刻腐蚀，保留另一侧的平板区；步骤5：制备钝化保护层(5)；步骤6：制备N电极(6)和P电极(7)。本公开还提供了一种中红外波段调制器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108630781A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810408182.4
申请日：2018-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/1075 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种3～5μm红外波段雪崩光电二极管探测器(APD)及其制作方法，该红外波段APD包括自上而下叠置的减反膜层、P+型InSb电极接触层、作为吸收层的N型InSb层、作为倍增层的P型外延Si层、和N+型Si层，其中，N型InSb层和P型外延Si层分别是InSb/Si键合晶片中的N型InSb层和P型外延Si层。由此，InSb对红外波段光的吸收大，外延Si材料的电子离化率与空穴离化率的差别较大，其过剩噪声因子小，故能获得噪声小的倍增性能，相比倍增层为InSb的情形，不仅能够使InSb/Si APD器件的噪声降低，APD探测器的响应度提升，而且经由较窄吸收层的N型InSb层和窄倍增层的P型外延Si层的组合能够实现高速、低噪声光电探测的效果；同时，使用InSb/Si键合晶片降低了与Si读出电路之间的热失配。
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公开(公告)号：CN107359135A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610302700.5
申请日：2016-05-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683 , H01L23/66
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/66 , H01L2221/68386
Abstract: 一种太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构的制备方法，包括步骤：(1)在一半绝缘衬底上依次制作缓冲层、阻挡层、n型GaAs层和GaAs低温层；(2)将所述GaAs低温层与一聚合物衬底键合；(3)剥离所述半绝缘衬底和缓冲层；(4)剥离所述阻挡层。还提供上述方法所制备的转移键合结构和包含该结构的片上集成器件。含上述结构的集成器件能降低太赫兹波损耗，提高利用效率，实现其对微量样品和液态样品检测。
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公开(公告)号：CN103227413A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310155864.6
申请日：2013-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器驱动电路。该半导体激光器驱动电路包括：脉冲整形电路，用于对输入的窄脉冲信号的波形进行整形，并进一步压缩其脉宽；以及功率放大电路，与脉冲整形电路相连接，用于利用高压，对脉冲整形电路输出的窄脉冲信号进行功率放大，并将功率放大后的窄脉冲信号的高电平输出至激光器正极，低电平输出至激光器负极。本发明半导体激光器驱动电路通过脉冲整形电路进一步压缩窄脉冲信号的脉宽，并通过功率放大电路提高窄脉冲信号的功率，从而实现了同时满足高功率和窄脉冲两种需求的半导体激光器驱动电路。
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公开(公告)号：CN102163638A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110067715.5
申请日：2011-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/06 , H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20)，该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术，在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层(30)，该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；一TCO薄膜层(40)，该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；一上图形电极(50)，该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及一纳米颗粒(60)，该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。利用本发明，解决了目前SIS结太阳能电池转化效率低的问题，达到了提高电池光学吸收和载流子抽取能力的目的。
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公开(公告)号：CN102110595A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010595707.3
申请日：2010-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片，去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。
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