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公开(公告)号：CN117577519A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311563468.7
申请日：2023-11-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开提供一种多重图形结构加工方法，包括：提供衬底，其表面分为图形区域和非图形区域，图形区域设有第一图形结构；在衬底上制备牺牲层，对牺牲层进行回刻蚀以减薄牺牲层，减薄后的牺牲层表面低于第一图形结构表面；在衬底上依次制备第二硬掩模层和第二光刻胶层，曝光第二光刻胶层的非图形区域，显影后去除非图形区域的第二光刻胶层；以第二光刻胶层为掩蔽层刻蚀剥离非图形区域上方的第二硬掩模层，去除第二光刻胶层；在衬底和第二硬掩模层上依次制备第三硬掩模层和第三光刻胶层，曝光第三光刻胶层的图形区域，显影后在第三光刻胶层上形成第二图形结构；将第二图形结构转移到衬底上，剥离剩余的牺牲层和第二硬掩模层，得到多重图形结构。
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公开(公告)号：CN117080159A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311042499.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , G03F7/40
Abstract: 本公开提供一种特征尺寸改善的高分辨率接触孔图形结构及其制备方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，超分辨光刻结构自下而上至少依次包括基底、底部抗反射层、含硅抗反射层、反射金属膜层和感光膜层；S2，对感光膜层进行曝光显影，得到接触孔光刻图形结构；S3，在S2所得的感光膜层上涂覆化学收缩材料，并进行烘烤、显影，化学收缩材料交联沉积至接触孔光刻图形结构的侧壁中，形成收缩的接触孔图形结构；S4，依次刻蚀反射金属膜层、含硅抗反射层和底部抗反射层，将收缩的接触孔图形结构传递至底部抗反射层，得到特征尺寸改善的高分辨率接触孔图形结构。本公开能够有效缩小高分辨率接触孔光刻图形的特征尺寸。
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公开(公告)号：CN117075440A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311042474.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种高分辨近场干涉光刻的方法，该方法包括：S1，在基底(1)上沉积一层硅膜层(2)；S2，在硅膜层(2)上涂覆一层超薄感光膜层(3)；S3，利用近场干涉光刻对感光膜层(3)进行曝光显影，衍射光通过硅膜层(2)进行反射增强，并在感光膜层(3)内部进行干涉，得到光刻图形结构；S4，通过刻蚀将光刻图形结构传递至硅膜层(2)或基底(1)中，去除感光膜层(3)得到高分辨图形结构。本公开避免了当前SP高分辨干涉光刻结构存在贵金属污染的风险以及多层膜传输效率低的问题，提升了干涉光刻图形的分辨力，并拓展了干涉光刻技术的应用范围。
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公开(公告)号：CN115233159B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210942761.3
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种低粗糙度和介电常数可控的银膜及其制备方法，该银膜的制备方法包括：S1，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，调整银靶材、氮化铝靶材的溅射功率，共同溅射沉积制备得到不同溅射功率下的多个银膜；S2，获取多个银膜的多条介电常数‑波长曲线；S3，基于目标银膜在特定波长下的目标介电常数，根据多条介电常数‑波长曲线，确定银靶材的第一溅射功率、氮化铝靶材的第二溅射功率；S4，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，对银靶材使用第一溅射功率、氮化铝靶材使用第二溅射功率，沉积制备得到目标介电常数下的低粗糙度银膜。本公开的方法通过氮化铝的掺杂实现了对银膜介电常数的调控，同时明显降低了银膜的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN113189849B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110434777.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组，包括设备基板；掩模装载模块，安装在设备基板上并用于安装掩模板；近场光刻浸没单元，通过接口模组安装在设备基板上；供给回收系统，用于通过接口模组向近场光刻浸没单元提供气体、液体并回收液体；控制系统，与供给回收系统和近场光刻浸没单元电连接以控制供液、供气、回收和制动。近场光刻浸没系统为近场光刻掩模板和基片之间形成稳定浸没场，以及如何在增设浸没场的情况下更加方便的自动上下掩模提供了解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115472492A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211147820.4
申请日：2022-09-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本公开提供了一种超分辨光刻结构、制备方法及图形传递的方法，该制备方法包括：S1，在衬底(1)上形成介质层(2)；S2，在介质层(2)上沉积氧化石墨烯层；S3，对氧化石墨烯层进行烘烤退火，形成还原氧化石墨烯薄膜层(3)，还原氧化石墨烯薄膜层(3)作为第一硬掩模层；S4，在还原氧化石墨烯薄膜层(3)上涂覆含Si抗反射涂层(4)，含Si抗反射涂层(4)作为第二硬掩模层；S5，在含Si抗反射涂层(4)上依次沉积金属层(5)、涂覆感光层(6)，得到超分辨光刻结构。本公开的方法提高了还原氧化石墨烯薄膜层与介质层之间的刻蚀选择比，避免了超分辨光刻图形传递中因纵横比过高导致的图形坍塌、变形等问题。
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公开(公告)号：CN111272771A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010150475.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高分辨颗粒检测装置，属于颗粒检测的创新技术领域。该装置包括用于隔离人员和空气等扰动与污染的隔离罩；用于支撑和定位连接各分系统的支架；用于承载测试样片、调节样片与成像系统共轴、检测区域定位和大面积检测步进拼接的工件台系统；用于物镜切换、自动聚焦、检测成像的成像系统；用于颗粒检测照明的照明系统；用于控制工件台系统精密定位、控制物镜切换与自动聚焦、图像采集与处理的控制系统。该装置基于暗场成像的原理，通过收集颗粒的散射光进行成像，进而实现获取样片上颗粒的尺寸与分布信息的能力。
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公开(公告)号：CN107817653B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201711316114.7
申请日：2017-12-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性材料的超分辨光刻装置，包括光源系统、掩模吸附板、掩模、柔性基片、承片台、密封球耳、弹性薄膜、弹性薄膜压板、升降台、精密气压控制系统。光源系统位于掩模的上方，掩模吸附板上开有环形槽，通过抽取真空，掩模吸附在掩模吸附板上，柔性基片位于掩模下方，柔性基片置于承片台表面，承片台表面开有环形气槽，柔性基片被真空吸附在承片台上，密封球耳安装在承片台上，承片台开有台阶孔，弹性薄膜通过弹性薄膜压板固定在台阶孔内，弹性薄膜与承片台形成密闭空间，台阶孔侧壁开有气孔与精密气压控制系统相连，承片台下表面与升降台相连，可以调节基片与掩模之间距离。解决了基片与掩模之间憋气问题对超分辨光刻的影响。
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公开(公告)号：CN103076162B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310042037.6
申请日：2013-02-04
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种亚波长光栅周期的测量器件，由标准光栅和金属介质多层膜组成，金属-介质多层膜由多层介质层和多层金属层为相间隔放置；介质层的上层位于标准光栅的下方，金属层的底层位于待测光栅上方，将电场方向与标准光栅方向垂直的线偏振入射光照射到标准光栅上，标准光栅产生多级携带高空间频率的衍射波，并通过金属介质多层膜滤波；滤过透射波与待测光栅差频形成能观测的长周期干涉条纹；最后观察测量干涉条纹并确定待测光栅周期。
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公开(公告)号：CN103457157A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310340691.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米激光器激光合束器件的制备方法，包括：曲面多层膜的制备；曲面多层膜的平坦化；曲面多层膜的减薄；涂覆、固化溶胶层；在溶胶层上沉积金属Ag层；反复涂覆溶胶层-沉积Ag层，最终得到这种纳米激光器激光合束器件。该纳米激光器激光合束器件利用人工材料结构实现对激光光束的定向耦合、传输，克服了单个纳米激光器激光功率有限的不足，进而实现多束激光的合束。
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