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公开(公告)号：CN117577519A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311563468.7
申请日：2023-11-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开提供一种多重图形结构加工方法，包括：提供衬底，其表面分为图形区域和非图形区域，图形区域设有第一图形结构；在衬底上制备牺牲层，对牺牲层进行回刻蚀以减薄牺牲层，减薄后的牺牲层表面低于第一图形结构表面；在衬底上依次制备第二硬掩模层和第二光刻胶层，曝光第二光刻胶层的非图形区域，显影后去除非图形区域的第二光刻胶层；以第二光刻胶层为掩蔽层刻蚀剥离非图形区域上方的第二硬掩模层，去除第二光刻胶层；在衬底和第二硬掩模层上依次制备第三硬掩模层和第三光刻胶层，曝光第三光刻胶层的图形区域，显影后在第三光刻胶层上形成第二图形结构；将第二图形结构转移到衬底上，剥离剩余的牺牲层和第二硬掩模层，得到多重图形结构。
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公开(公告)号：CN118311838A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410688246.6
申请日：2024-05-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开的实施例提供一种吹气承片装置、光刻装置及光刻方法，吹气承片装置包括：吹气承片台，被配置为承托基片，吹气承片台表面为平面，平面被划分为至少一个场区，每个场区用作曝光场和/或压印场；场区内设置有多个贯穿吹气承片台的通气孔；通气控制组件，通过吹气管道与通气孔连通，通气控制组件被配置为通过通气孔向对应的场区通入气体来控制场区内的气压或气流，以控制场区对应的基片的形变量，使场区对应的基片贴合掩模；间隙检测组件，被配置为检测基片与掩模之间的间隙值；控制系统，被配置为基于间隙值控制通气控制组件调整场区内的气压或气流。
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公开(公告)号：CN115047728A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210776506.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构，该方法包括：S1，在基底表面沉积反射金属膜层；S2，在反射金属膜层上沉积保护膜层，保护膜层用于保护反射金属膜层；S3，在保护膜层上制备感光膜层；S4，在感光膜层上沉积透明保护膜层，透明保护膜层用于保护感光膜层；S5，在透明保护膜层上沉积透射金属膜层，得到等离子体共振腔透镜光刻的成像结构。本公开通过在反射金属膜层、透射金属膜层上分别设置保护膜层、透明保护膜层，避免了去除金属的腐蚀溶液对感光膜层、显影液对反射金属膜层造成的损伤与破坏，有利于提升等离子体共振腔成像光刻的图形质量。
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公开(公告)号：CN115261813B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202210941426.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种介电常数可调控的多晶银薄膜及其制备方法，该多晶银薄膜的制备方法包括：S11，获取在预定制备条件下、纯氩气气体环境中制备得到的多晶银薄膜的第一介电常数‑波长曲线；S12，获取在预定制备条件下、不同比例氩气与氮气混合的气体环境中制备得到的多晶银薄膜的多条第二介电常数‑波长曲线；S13，基于目标多晶银薄膜在特定波长下的目标介电常数，根据第一介电常数‑波长曲线、多条第二介电常数‑波长曲线确定气体环境中氮气的体积占比；S14，根据S13中确定的氮气的体积占比向真空腔体中通入氩气与氮气混合的气体，在预定制备条件下制备得到目标介电常数下的多晶银薄膜。本公开的方法实现了对银薄膜介电常数的调控，扩大了其应用范围。
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公开(公告)号：CN119805883A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510287810.8
申请日：2025-03-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种用于超分辨光刻的高数值孔径照明光刻掩模及其制备方法、光刻方法，高数值孔径照明光刻掩模包括：光刻掩模基底；光刻掩模图形结构，设置于光刻掩模基底的第一表面；高数值孔径照明结构，形成于光刻掩模基底的第二表面，第二表面与第一表面相对；高数值孔径照明结构包括由多个第一侧壁部和多个第二侧壁部交替连接构成的锯齿形光栅结构，第一侧壁部表面形成有反射膜层，第一侧壁部与第二表面之间的夹角小于第二侧壁部与第二表面之间的夹角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118444520A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410899607.1
申请日：2024-07-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种高数值孔径照明光刻掩模及其制备方法、光刻方法，光刻掩模包括：掩模基底，掩模基底为透明基底；照明光栅结构和遮光层结构，设置在掩模基底上；高折射率透明介质层，设置在照明光栅结构和遮光层结构表面；掩蔽膜层，设置在高折射率透明介质层表面，掩蔽膜层的正对遮光层结构的区域设有掩模图形结构；其中，照明光栅结构被配置为对入射光进行衍射，产生传播方向垂直于掩蔽膜层表面的0级光和传播方向倾斜于掩蔽膜层表面的正负1级衍射光；遮光层结构被配置为遮挡0级光，不遮挡正负1级衍射光，使正负1级衍射光在高折射率透明介质层的作用下，均匀照射掩模图形结构。
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公开(公告)号：CN119781260A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510293989.8
申请日：2025-03-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种利用不同照明模式获得高分辨图形的方法，涉及光刻技术领域，方法包括：在基底上形成依次层叠的负性感光膜层、正性感光膜层和金属增强层；采用第一照明模式，基于掩模版对正性感光膜层进行曝光，采用第二照明模式，基于掩模版对负性感光膜层进行曝光，第一照明模式与第二照明模式的照明波长相同，第一照明模式的第一焦深与第二照明模式的第二焦深不同；依次对曝光后的正性感光膜层和曝光后的负性感光膜层进行显影，获得两次曝光产生的图形结构；将两次曝光产生的图形结构传递至基底上，获得高分辨图形。
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公开(公告)号：CN115047728B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202210776506.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构，该方法包括：S1，在基底表面沉积反射金属膜层；S2，在反射金属膜层上沉积保护膜层，保护膜层用于保护反射金属膜层；S3，在保护膜层上制备感光膜层；S4，在感光膜层上沉积透明保护膜层，透明保护膜层用于保护感光膜层；S5，在透明保护膜层上沉积透射金属膜层，得到等离子体共振腔透镜光刻的成像结构。本公开通过在反射金属膜层、透射金属膜层上分别设置保护膜层、透明保护膜层，避免了去除金属的腐蚀溶液对感光膜层、显影液对反射金属膜层造成的损伤与破坏，有利于提升等离子体共振腔成像光刻的图形质量。
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公开(公告)号：CN118348743A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410729769.0
申请日：2024-06-06
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本公开提供了一种纳米压印系统及方法，可以应用于纳米压印技术领域。该系统包括：衬底；压印胶，固化形成在衬底上；抗刻蚀膜层，沉积形成在所述压印胶上；压印模板，所述压印模板的基底上制备有压印图形结构。该方法包括：将所述压印模板的压印图形结构刺穿所述压印胶上的抗刻蚀膜层，以将压印图形结构的压印图形转移到所述抗刻蚀膜层上并暴露出刺穿位置的压印胶；进行干法刻蚀，将所述抗刻蚀膜层上的所述压印图形结构的压印图形至少转移到所述压印胶上。脱模简单，压印模板不易被沾污。
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公开(公告)号：CN115826344A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211703277.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种成像对比度增强掩模及其制备方法，成像对比度增强掩模包括：掩模基底；吸收层，形成于掩模基底上，其中，吸收层的图形区中形成有尖端掩模图形结构，吸收层的材料为贵金属材料。该成像对比度增强掩模利用贵金属和尖端形状双重增强表面等离子体的激发，从而提升图形的成像对比度，实现高分辨率图形的加工。
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