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公开(公告)号：CN118818649A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411256314.8
申请日：2024-09-09
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种光栅结构及其制备方法，制备方法包括：在光刻基底上制备定位结构，定位结构的边缘陡直；在定位结构表面交替沉积第一膜层和第二膜层，构成交替膜层；在交替膜层上制备保护膜层，基于保护膜层进行平坦化处理，平坦化至暴露出定位结构的顶部；去除定位结构、保护膜层和第二膜层，得到由第一膜层构成的光栅结构。该制备方法能够制备得到超衍射极限分辨率、并且图形周期和线宽均可调可控的小周期光栅结构。
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公开(公告)号：CN115472492A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211147820.4
申请日：2022-09-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本公开提供了一种超分辨光刻结构、制备方法及图形传递的方法，该制备方法包括：S1，在衬底(1)上形成介质层(2)；S2，在介质层(2)上沉积氧化石墨烯层；S3，对氧化石墨烯层进行烘烤退火，形成还原氧化石墨烯薄膜层(3)，还原氧化石墨烯薄膜层(3)作为第一硬掩模层；S4，在还原氧化石墨烯薄膜层(3)上涂覆含Si抗反射涂层(4)，含Si抗反射涂层(4)作为第二硬掩模层；S5，在含Si抗反射涂层(4)上依次沉积金属层(5)、涂覆感光层(6)，得到超分辨光刻结构。本公开的方法提高了还原氧化石墨烯薄膜层与介质层之间的刻蚀选择比，避免了超分辨光刻图形传递中因纵横比过高导致的图形坍塌、变形等问题。
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公开(公告)号：CN115831721A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211451697.5
申请日：2022-11-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/033
Abstract: 本公开提供了一种基于侧壁保护的硬掩模刻蚀方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，自下而上依次包括衬底、介质层、含碳硬掩模层、含Si抗反射涂层、金属层和感光膜层；S2，在感光膜层中形成光刻图形结构，并依次刻蚀传递至金属层、含Si抗反射涂层，光刻图形结构包括在含Si抗反射涂层中形成的凹陷结构；S3，利用保护气体在含Si抗反射涂层上沉积聚合物，至少使含Si抗反射涂层的凹陷结构侧壁形成聚合物保护层；S4，利用等离子体刻蚀去除凹陷结构底部的聚合物保护层并继续刻蚀含碳硬掩模层，凹陷结构侧壁被聚合物保护层保护；S5，在凹陷结构侧壁的聚合物保护层消耗完之前，重复进行S3～S4，直至将光刻图形结构传递至含碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN117471863A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311416733.9
申请日：2023-10-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供利用超分辨孔光刻加工纳米柱的方法及其纳米柱结构，该方法包括：S1，制备超分辨光刻结构，自下而上依次包括衬底(1)、被刻蚀膜层(2)、有机膜层(3)、含硅抗反射层(4)、金属层(5)和感光膜层(6)；S2，对感光膜层(6)进行曝光显影，得到孔光刻结构；S3，将孔光刻结构依次刻蚀传递至金属层(5)、含硅抗反射层(4)和有机膜层(3)，除去有机膜层(3)的上层材料，得到孔图形结构；S4，利用区域选择性原子层沉积方法只在孔图形结构中被刻蚀膜层(2)的表面生长沉积材料(7)并得到具备预定厚度的沉积层；S5，去除有机膜层(3)，以沉积层作为硬掩模刻蚀传递至被刻蚀膜层(2)，得到纳米柱结构。
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公开(公告)号：CN119805884A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510290715.3
申请日：2025-03-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种利用两次光刻和两次负显影实现纳米孔加工的方法，涉及光刻技术领域，包括：在衬底上形成依次层叠的待刻蚀膜层、第一感光膜层、介质层和第二感光膜层，待刻蚀膜层靠近衬底；利用纳米孔图形掩模对第二感光膜层进行一次曝光，之后进行一次负显影，在第二感光膜层上形成纳米柱光刻结构；将纳米柱光刻结构的图形传递至介质层，形成柱图形结构；利用柱图形结构作为遮蔽图形对第一感光膜层进行二次曝光，之后进行二次负显影，在第一感光膜层上形成纳米孔图形结构；将纳米孔图形结构的图形传递至待刻蚀膜层，得到纳米孔结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115047709A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210701459.9
申请日：2022-06-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种高强度平面掩模及其制备方法，该制备方法包括：S1，在掩模基底上涂覆感光材料，进行光刻得到光刻结构；S2，基于光刻结构对掩模基底进行刻蚀，得到掩模基底图形结构；S3，去除组成光刻结构的感光材料；S4，在S3所得掩模基底上沉积光刻掩模材料；S5，对S4所得掩模基底的表面进行化学机械抛光，以显露出掩模基底图形结构，得到高强度平面掩模。本公开通过填充与平坦化，将掩模图形结构嵌入掩模基底中，得到一种高强度的平面掩模，从而有效提升了接触式光刻掩模版的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114114481A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111538112.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于金属‑介质条形阵列的超分辨透镜的制备方法，包括：对第一衬底上的第一材料层进行光刻，得到光栅结构；交替沉积第二、第三材料层，直至将光栅结构填平，得到第一过渡结构，第二、第三材料层中一种为金属，另一种为介质；对第一过渡结构进行平坦化，其深度至少达到光栅结构的顶部，得到第二过渡结构；将其上表面与第二衬底进行固化；去除第一衬底，使第二过渡结构翻转至第二衬底上，得到第三过渡结构；再次进行平坦化，平坦化的深度至少达到最后一次沉积的第二材料层或第三材料层的顶部，得到基于金属‑介质条形阵列的超分辨透镜。本公开得到的超分辨透镜，入射光只沿着金属‑介质界面处传输，有效提升了能量利用效率。
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公开(公告)号：CN120010181A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510290716.8
申请日：2025-03-12
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本公开提供了一种利用固态表层压印和回刻的纳米压印方法，涉及微纳加工技术领域，纳米压印方法包括：在压印模板基底上制备压印模板图形结构，得到压印模板；在压印衬底上形成压印胶层；将压印模板置于压印衬底上，施加压力使压印模板图形结构浅压入压印胶层中，在压印胶层表面形成凹陷的第一压印胶图形结构；利用抗刻蚀材料在形成有第一压印胶图形结构的压印胶层表面形成抗刻蚀层并固化抗刻蚀层；对固化后的抗刻蚀层进行一次刻蚀，去除压印胶层表面凹陷区域之外的抗刻蚀层，保留第一压印胶图形结构中的抗刻蚀层；以第一压印胶图形结构中的抗刻蚀层为掩蔽层，对压印胶层进行二次刻蚀，得到第二压印胶图形结构。
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公开(公告)号：CN115472492B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211147820.4
申请日：2022-09-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本公开提供了一种超分辨光刻结构、制备方法及图形传递的方法，该制备方法包括：S1，在衬底(1)上形成介质层(2)；S2，在介质层(2)上沉积氧化石墨烯层；S3，对氧化石墨烯层进行烘烤退火，形成还原氧化石墨烯薄膜层(3)，还原氧化石墨烯薄膜层(3)作为第一硬掩模层；S4，在还原氧化石墨烯薄膜层(3)上涂覆含Si抗反射涂层(4)，含Si抗反射涂层(4)作为第二硬掩模层；S5，在含Si抗反射涂层(4)上依次沉积金属层(5)、涂覆感光层(6)，得到超分辨光刻结构。本公开的方法提高了还原氧化石墨烯薄膜层与介质层之间的刻蚀选择比，避免了超分辨光刻图形传递中因纵横比过高导致的图形坍塌、变形等问题。
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公开(公告)号：CN119805872A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510009695.8
申请日：2025-01-03
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种用于优化超分辨光刻图形质量的区域选择性沉积方法，包括：在衬底上制备依次堆叠的功能层、含碳膜层、介质层、金属层和感光膜层；对感光膜层进行超分辨光刻，使感光膜层形成超分辨光栅结构；将超分辨光栅结构的图形结构依次刻蚀传递至金属层、介质层，并去除金属层；对暴露出的含碳膜层进行表面处理，基于前驱体在表面处理后的含碳膜层和刻蚀后的介质层之间进行区域选择性化学吸附，在介质层表面和侧壁沉积膜层。
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