一种制备平面缩放倍率超分辨成像透镜的方法

    公开(公告)号:CN102096123A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201010617734.6

    申请日:2010-12-22

    Abstract: 一种制备平面缩放倍率超分辨成像透镜的方法,包括:在基片上制备圆形或正方形或长方形的平底凹槽;在基片上沉积一层银膜层,再在银膜层上涂布一层可固化的溶胶层,其中溶胶层在表面张力的作用下会在凹槽位置形成弧面,经加热或紫外光照射后溶胶层固化;依此类推,在基片上交替沉积银膜层和涂布、固化溶胶层,在凹槽位置得到由多层银膜层和溶胶层交替组成的多层弧面膜层,直到将凹槽填平,就得到了物面和像面均为平面的缩放倍率超分辨成像透镜。该平面缩放倍率超分辨成像透镜能够二维缩小或放大成像,可应用于超分辨缩小光刻或放大成像。这解决了当前平面缩放倍率超分辨成像透镜难以制作的难题,在成像和光刻领域拥有巨大的应用潜力。

    一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法

    公开(公告)号:CN101736287A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200910241921.6

    申请日:2009-12-15

    Abstract: 一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法,包括:采用常规技术在衬底上沉积掩蔽膜层,在掩蔽膜层上涂布光刻胶;采用光刻技术在光刻胶上制备线条结构;以一定角度进行倾斜蒸镀,在每条光刻胶线条边缘外形成一条一定宽度的没有沉积蒸镀材料的阴影区;然后以蒸镀的材料作为保护层对掩蔽膜层进行干法刻蚀,阴影区域的掩蔽膜层由于没有蒸镀材料的保护而被刻蚀掉,这样得到对应于阴影区域的掩蔽膜层狭缝;通过掩蔽膜层狭缝以稀释的氢氟酸溶液对衬底进行各向同性腐蚀,得到位于衬底表面的半圆柱形沟槽。该方法不需要电子束、离子束等昂贵的设备,就可以大面积地制备得到宽度为二十纳米到二微米的掩蔽膜层狭缝,进而得到直径为一百纳米到十微米之间任何数值的半圆柱形沟槽。

    一种位相型纳米物体表面等离子体超分辨成像方法

    公开(公告)号:CN102879916A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210324705.X

    申请日:2012-09-05

    Abstract: 本发明提供一种位相型纳米物体表面等离子体超分辨成像方法,对于确定的工作波长,选择透明的载玻片,载玻片上加工典型的金属-介质-金属结构,即双层金属膜包裹生物样本层、要求金属膜和生物样本材料的介电常数匹配,利用双层金属薄膜包裹生物样本层,对于线偏振的光照射,该表面等离子体超分辨成像器件能够将生物样本层中位相型物体与生物样本层的微小折射率差异转化为近场光强强度分布,通过近场探针或者光记录方式记录近场的光强强度分布从而实现位相型纳米物体的超衍射分辨。本发明用于生物样本中位相型纳米物体的超衍射分辨,采用双层金属薄膜包裹生物样本层的设计,拓展传统相衬相位技术分辨力衍射受限的局限。

    一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法

    公开(公告)号:CN102629073A

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201210107975.5

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 本发明提供一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法,其步骤为:在基底上制备光栅阵列结构;在光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层,然后在光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层;使用RIE进行各向同性刻蚀,或用腐蚀液对光栅线条进行各向同性湿法腐蚀,控制RIE刻蚀或湿法腐蚀的深度使光栅线条的宽度缩小至预定值;在宽度缩小的光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层,然后在宽度缩小的光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层。本发明得到的线条数量为原有光栅的四倍,光栅周期缩小为原有光栅周期的四分之一。

    一种制备平面缩放倍率超分辨成像透镜的方法

    公开(公告)号:CN102096123B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201010617734.6

    申请日:2010-12-22

    Abstract: 一种制备平面缩放倍率超分辨成像透镜的方法,包括:在基片上制备圆形或正方形或长方形的平底凹槽;在基片上沉积一层银膜层,再在银膜层上涂布一层可固化的溶胶层,其中溶胶层在表面张力的作用下会在凹槽位置形成弧面,经加热或紫外光照射后溶胶层固化;依此类推,在基片上交替沉积银膜层和涂布、固化溶胶层,在凹槽位置得到由多层银膜层和溶胶层交替组成的多层弧面膜层,直到将凹槽填平,就得到了物面和像面均为平面的缩放倍率超分辨成像透镜。该平面缩放倍率超分辨成像透镜能够二维缩小或放大成像,可应用于超分辨缩小光刻或放大成像。这解决了当前平面缩放倍率超分辨成像透镜难以制作的难题,在成像和光刻领域拥有巨大的应用潜力。

    基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法

    公开(公告)号:CN101718952B

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN200910243534.6

    申请日:2009-12-25

    Abstract: 一种基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法,其特征在于:由所制备膜层的厚度分布函数得到对应的掩模开孔函数,确定掩模开孔的形状和几何尺寸;沿掩模移动方向,在掩模上周期性地制备出此开孔;在膜料沉积过程中移动掩模,由掩模开孔的形状和几何尺寸控制此膜层各沉积区域的膜厚分布;重复以上步骤,通过更换掩模和膜料,可连续沉积多层不同材料和厚度分布的浮雕结构膜层。该方法结合了移动掩模技术和定向沉积技术,不需要经过曝光、刻蚀等复杂工艺步骤就可以在基底上直接沉积得到一层或多层预定厚度分布的浮雕结构膜层。

    一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法

    公开(公告)号:CN101736287B

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN200910241921.6

    申请日:2009-12-15

    Abstract: 一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法,包括:采用常规技术在衬底上沉积掩蔽膜层,在掩蔽膜层上涂布光刻胶;采用光刻技术在光刻胶上制备线条结构;以一定角度进行倾斜蒸镀,在每条光刻胶线条边缘外形成一条一定宽度的没有沉积蒸镀材料的阴影区;然后以蒸镀的材料作为保护层对掩蔽膜层进行干法刻蚀,阴影区域的掩蔽膜层由于没有蒸镀材料的保护而被刻蚀掉,这样得到对应于阴影区域的掩蔽膜层狭缝;通过掩蔽膜层狭缝以稀释的氢氟酸溶液对衬底进行各向同性腐蚀,得到位于衬底表面的半圆柱形沟槽。该方法不需要电子束、离子束等昂贵的设备,就可以大面积地制备得到宽度为二十纳米到二微米的掩蔽膜层狭缝,进而得到直径为一百纳米到十微米之间任何数值的半圆柱形沟槽。

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