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公开(公告)号：CN102096123A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010617734.6
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种制备平面缩放倍率超分辨成像透镜的方法，包括：在基片上制备圆形或正方形或长方形的平底凹槽；在基片上沉积一层银膜层，再在银膜层上涂布一层可固化的溶胶层，其中溶胶层在表面张力的作用下会在凹槽位置形成弧面，经加热或紫外光照射后溶胶层固化；依此类推，在基片上交替沉积银膜层和涂布、固化溶胶层，在凹槽位置得到由多层银膜层和溶胶层交替组成的多层弧面膜层，直到将凹槽填平，就得到了物面和像面均为平面的缩放倍率超分辨成像透镜。该平面缩放倍率超分辨成像透镜能够二维缩小或放大成像，可应用于超分辨缩小光刻或放大成像。这解决了当前平面缩放倍率超分辨成像透镜难以制作的难题，在成像和光刻领域拥有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102073225A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110038321.7
申请日：2011-02-14
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统，属于直写光刻设备领域，(1)直写头调节装置可以进行纳米级Z向移动；(2)直写头调节装置可以进行0～90°转动；(3)基片台可以进行高速转动；(4)直写头悬臂具有一定弹性变形量；(5)直写头采用空气动力学原理设计结构，可以在基片台转动产生的气流作用下浮起基片表面。基片台高速转动时产生的气流可以实现直写头浮起基片表面几十纳米范围，保证光刻时两者距离处于近场倏逝波作用范围，突破衍射极限限制，实现高分辨力的光刻结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102096123B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010617734.6
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种制备平面缩放倍率超分辨成像透镜的方法，包括：在基片上制备圆形或正方形或长方形的平底凹槽；在基片上沉积一层银膜层，再在银膜层上涂布一层可固化的溶胶层，其中溶胶层在表面张力的作用下会在凹槽位置形成弧面，经加热或紫外光照射后溶胶层固化；依此类推，在基片上交替沉积银膜层和涂布、固化溶胶层，在凹槽位置得到由多层银膜层和溶胶层交替组成的多层弧面膜层，直到将凹槽填平，就得到了物面和像面均为平面的缩放倍率超分辨成像透镜。该平面缩放倍率超分辨成像透镜能够二维缩小或放大成像，可应用于超分辨缩小光刻或放大成像。这解决了当前平面缩放倍率超分辨成像透镜难以制作的难题，在成像和光刻领域拥有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102096317A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010617795.2
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种制作高深宽比周期性纳米结构的方法，其特征在于：选择抛光基片，用旋涂的方法在其表面涂上一层厚度≥300nm的光刻胶；采用磁控溅射的方法在光刻胶表面沉积一层厚度为20nm的SiO2薄膜；用旋涂的方法在SiO2薄膜表面涂上一层厚度为50nm-100nm的高分辨率光刻胶；利用激光干涉光刻对表层高分辨率光刻胶进行曝光显影；将三层胶结构置于热板或烘箱中进行坚膜；选择氟基气体，利用反应离子刻蚀将表层光刻胶图形传递至SiO2层；再选用氧气，以SiO2层为硬掩模层，利用反应离子刻蚀将SiO2层的图形传递至底层光刻胶，即可获得高分辨率、高深宽比光刻胶图形。本发明成本低廉、加工图形区域面积大，在亚波长光栅和光子晶体的制作及应用研究方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102096334B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010617826.4
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法，该超衍射成像器件相邻的透光区通过交替填充具有正负介电系数的两种材料，分别实现相位延迟和相位超前，大大增强了材料厚度对相位差的调制，使该器件更容易实现π相位差，从而进一步提高其成像分辨率。这一方案解决了传统超衍射成像器件难以实现40nm线宽以下分辨率的技术难题，在超分辨成像和纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102073225B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110038321.7
申请日：2011-02-14
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统，属于直写光刻设备领域，(1)直写头调节装置可以进行纳米级Z向移动；(2)直写头调节装置可以进行0～90°转动；(3)基片台可以进行高速转动；(4)直写头悬臂具有一定弹性变形量；(5)直写头采用空气动力学原理设计结构，可以在基片台转动产生的气流作用下浮起基片表面。基片台高速转动时产生的气流可以实现直写头浮起基片表面几十纳米范围，保证光刻时两者距离处于近场倏逝波作用范围，突破衍射极限限制，实现高分辨力的光刻结果。
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公开(公告)号：CN102096334A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010617826.4
申请日：2010-12-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法，该超衍射成像器件相邻的透光区通过交替填充具有正负介电系数的两种材料，分别实现相位延迟和相位超前，大大增强了材料厚度对相位差的调制，使该器件更容易实现π相位差，从而进一步提高其成像分辨率。这一方案解决了传统超衍射成像器件难以实现40nm线宽以下分辨率的技术难题，在超分辨成像和纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。
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