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公开(公告)号：CN101728450A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910225371.9
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该晶片包含双面精抛处理且长阳极氧化膜，的碲镉汞晶片，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。
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公开(公告)号：CN101728403A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910226302.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , H01L21/60 , G01J1/02
CPC classification number: H01L2224/73204
Abstract: 本发明公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。
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公开(公告)号：CN100541808C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810036256.2
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO2层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN100461435C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610031016.4
申请日：2006-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L31/09 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法，所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。置于光敏元列阵上的抗反膜是0.8-1.5微米厚的ZnS材料，置在信号引出电极区和公共电极区上的抗反膜是厚度在150～200的铟膜。所述制备方法的特征在于：在抗反膜铟膜形成后再对其进行氧等离子再处理，使铟膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的铟更为暗淡，反射系数达到此材料的低极限水平。本发明的优点是能最大限度接收入射光的信号，提高了器件的光电效率。本发明特别适合大面积电极区的器件，如带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器。
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公开(公告)号：CN202405296U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201120320592.7
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元，其结构为：在蓝宝石衬底上依次为下反射层，下绝缘层，碲镉汞光导器件层，上绝缘层A，上绝缘层B，铬层，上反射层。该参考元特征在于：蓝宝石衬底与碲镉汞光导器件层之间生长一层钛反射层和二氧化硅绝缘层，器件光敏面上生长一层铬金反射层以及负胶和二氧化硅绝缘层。其优点在于解决了器件背面与表侧面漏光产生响应的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201004463Y
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200620048154.9
申请日：2006-11-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本实用新型涉及铟镓砷线列红外焦平面探测器，该器件包括半绝缘InP衬底，在半绝缘InP衬底上依次排列生长有N型InP层、InxGa1－xAs吸收层和P型InP层。其特征在于：在P型InP层上有线列光敏元，光敏元的侧面周围为H离子辐照形成的隔离区。本实用新型的优点是：相对于传统的平面结构探测器，光电流的收集结是外延生长的，缺陷较少；相对于台面器件，它基本上保留了InP层晶格的完整性，并且在器件的侧面引入隔离，降低了光生载流子在侧面的产生复合。离子辐照可以精确的定义光敏元的面积。离子注入还具有工艺简单、重复性好以及可控性高等特点。
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公开(公告)号：CN201689901U
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201020202552.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本专利的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN201556621U
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200920272389.X
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本专利公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。
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公开(公告)号：CN203631575U
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201320623863.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L27/146
Abstract: 本专利公开了一种改善光谱平整度的红外探测器，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电极和光敏感区隔离。本专利的器件结构简单且有效，消除了响应光谱谱形的非线形，提高了光谱的平整度。
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公开(公告)号：CN219303681U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202320053069.5
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , G01K7/16 , G01K15/00
Abstract: 本专利公开了一种集成温度监测结构的红外探测器，在红外材料的一侧制备红外探测器；在另一侧上制备用于温度监测的温度敏感单元。该温度敏感单元通过在红外材料上生长绝缘介质层和铬铂金属层结构，并制备电极区，将铬铂金属层的两端引出后测量电阻可以实时监测芯片的温度。本专利用于温度监测的温度敏感单元通过光刻、镀膜等技术进行制备，一致性好。这种温度敏感单元可以根据探测器结构对铬铂金属层结构进行调整，可达到准确测量红外探测器温度的效果。
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