公开(公告)号：CN100461435C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610031016.4

申请日：2006-09-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 朱龙源 ,  龚海梅 ,  李向阳 ,  宋润秋 ,  王妮丽 ,  刘诗嘉 ,  汤英文 ,  姜佩璐

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/82 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法，所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。置于光敏元列阵上的抗反膜是0.8-1.5微米厚的ZnS材料，置在信号引出电极区和公共电极区上的抗反膜是厚度在150～200的铟膜。所述制备方法的特征在于：在抗反膜铟膜形成后再对其进行氧等离子再处理，使铟膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的铟更为暗淡，反射系数达到此材料的低极限水平。本发明的优点是能最大限度接收入射光的信号，提高了器件的光电效率。本发明特别适合大面积电极区的器件，如带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器。

公开(公告)号：CN1937233A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610031016.4

申请日：2006-09-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 朱龙源 ,  龚海梅 ,  李向阳 ,  宋润秋 ,  王妮丽 ,  刘诗嘉 ,  汤英文 ,  姜佩璐

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/82 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法，所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。置于光敏元列阵上的抗反膜是0.8－1.5微米厚的ZnS材料，置在信号引出电极区和公共电极区上的抗反膜是厚度在150～200的铟膜。所述制备方法的特征在于：在抗反膜铟膜形成后再对其进行氧等离子再处理，使铟膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的铟更为暗淡，反射系数达到此材料的低极限水平。本发明的优点是能最大限度接收入射光的信号，提高了器件的光电效率。本发明特别适合大面积电极区的器件，如带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器。

公开(公告)号：CN2760760Y

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200420114090.9

申请日：2004-12-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 朱龙源 ,  李向阳 ,  宋润秋 ,  刘诗嘉

IPC: H01L31/00 ,  G01J1/02

Abstract: 本实用新型公开了一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片，包括：衬底，通过环氧胶与衬底牢固结合的碲镉汞片，与环氧胶接触的碲镉汞片表面有一下钝化层，碲镉汞片的中间为光敏元，二侧为电极区，其特征在于：在碲镉汞片裸露的侧面覆盖有一侧面钝化层。由于有了侧面钝化层，探测器的电阻、响应率、探测率、噪声等指标明显优于无侧面钝化层的探测器。