公开(公告)号：CN102136519A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010564411.5

申请日：2010-11-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 ,  阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 ,  上海中科高等研究院

Inventor： 俞立明 ,  王健 ,  陆卫 ,  王旺平 ,  李宁 ,  李志锋 ,  陈效双 ,  王少伟 ,  陈平平 ,  李天信 ,  张波

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种量子阱长波红外探测器光栅波导微腔的光耦合单元。其结构特点是采用金属背反射层、介质层、金属光栅的夹层结构。这种光耦合结构有如下优点：一、采用金属的阵列结构提高了入射光的耦合效率。二、光场被局域在金属光栅层和金属背反射层之间的微小空间内传播，从而大大提高了量子阱层的电场强度。三、采用类似于微带天线结构使得垂直电场分量在纵向方向上具有很好的均匀性。四、金属结构不仅是光耦合单元，同时还充当上下电极。五、易于制备，适合做大面阵光敏元。

公开(公告)号：CN100580957C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200710173511.3

申请日：2007-12-28

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  李天信 ,  陈平平 ,  张波 ,  甄红楼 ,  李志锋 ,  李宁 ,  陈效双

IPC: H01L29/88

Abstract: 本发明提供了一种半导体量子点亚稳态共振隧穿二极管结构及工作条件。该结构包括：衬底，在衬底上依次排列生长集电极、第二隧道势垒层、与发射极集电极间耦合的量子点、第一隧道势垒层和发射极。工作条件包括工作温度，工作偏压，量子点亚稳态的获得。它可以消除量子点邻近子能级对亚稳能态单电子隧穿的影响，达到提高二极管工作温度的目的。

公开(公告)号：CN101551294A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910050313.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  殷豪 ,  李天信 ,  胡伟达 ,  王文娟 ,  甄红楼 ,  李宁 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  陈效双 ,  李永富 ,  龚海梅

IPC: G01M11/00 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN100461465C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610148069.4

申请日：2006-12-27

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  熊大元 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  李志锋

IPC: H01L31/111

Abstract: 本发明公开了一种镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，该探测器与传统甚长波量子阱红外探测器的区别在于它是由低掺杂的电极层和高掺杂的量子阱层构成。在深低温器件工作温度下，量子阱层掺杂的适度提高不会使整个器件的暗电流明显变化，此时量子阱器件电极层的掺杂浓度的降低，使整个器件暗电流和噪声显著下降；高掺杂的量子阱层使整个器件的光吸收系数显著增强；相比传统的镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，本发明的甚长波量子阱红外探测器的探测率得到显著提升。

公开(公告)号：CN100424896C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610118741.5

申请日：2006-11-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  熊大元 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  李志锋

IPC: H01L31/111

Abstract: 本发明公开了一种自增益长波量子阱红外探测器，该器件由双势垒共振隧穿结构和10个周期的多量子阱层构成。置于器件发射极端的双势垒共振隧穿结构可以有效控制注入载流子，从而达到减小器件暗电流，降低器件噪声，增强器件的光电流的目的。相比传统的50周期的长波量子阱红外探测器还大大简化了器件系统结构。

公开(公告)号：CN100407465C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200610117009.6

申请日：2006-10-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈平平 ,  陆卫 ,  刘昭麟 ,  李天信 ,  王少伟 ,  陈效双

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L29/20 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN-GaN-InN:Mn-InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。

公开(公告)号：CN101055882A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710040613.8

申请日：2007-05-14

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  熊大元 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  李志锋 ,  陈效双

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/111

Abstract: 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。

公开(公告)号：CN1996621A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610148068.X

申请日：2006-12-27

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  殷菲 ,  熊大元 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  李志锋

IPC: H01L31/111

Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，该探测器是在常规的多量子阱层的每个周期后端加入一个共振隧穿双势垒结构。这种结构的优点是：可对量子阱红外探测器的暗电流显著抑制而光电流显著增强，从而实现对探测器的探测率提高。

公开(公告)号：CN107248537A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710387962.0

申请日：2017-05-27

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 夏辉 ,  童中英 ,  李天信 ,  陈平平 ,  卢振宇 ,  张健 ,  姚晓梅 ,  张旭涛 ,  唐舟

IPC: H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/544 ,  H01L31/0693 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明公开了一种最优光电效能的半导体纳米线阵列制备方法，该方法首先通过热蒸发沉积金膜并退火形成无规均匀分布的催化剂颗粒，然后根据拟制备的III‑V族纳米线材料体系，选择最优V/III束流比，在不同的衬底温度下生长一系列的纳米线阵列试样，再使用导电原子力显微镜，对试样进行单纳米线垂直光电性能的统计评估，最后根据单纳米线的平均光电性能确定最佳制备条件。本方法适用于催化分子束外延生长砷化镓等III‑V族纳米线阵列，通过金属催化，使用直接、快速、简易的方法评估和确定纳米线阵列的最优生长条件，进而制备出一种最佳光电效能的半导体纳米线阵列，因此，本方法对高效太阳能电池和超灵敏光电探测器的制造有重要意义。

公开(公告)号：CN105161564B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510607541.5

申请日：2015-09-22

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李志锋 ,  景友亮 ,  陆卫 ,  李宁 ,  陈效双 ,  陈平平 ,  李天信 ,  王文娟 ,  甄红楼 ,  王少伟

IPC: H01L31/09 ,  H01L27/146 ,  G01J5/20

Abstract: 本发明公开了一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元，该微腔能够有效地捕获入射光子，将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里‑珀罗共振驻波，并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸，在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同，形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上，使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升，从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。