-
公开(公告)号：CN1996621A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610148068.X
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，该探测器是在常规的多量子阱层的每个周期后端加入一个共振隧穿双势垒结构。这种结构的优点是：可对量子阱红外探测器的暗电流显著抑制而光电流显著增强，从而实现对探测器的探测率提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102928194A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210405502.3
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器离子注入区陷阱浓度数据的提取方法。它是基于激光辐照在碲镉汞材料上产生光生载流子，载流子扩散至离子注入n区、汞填隙扩散区和p吸收区形成的pn结处被结电场分开形成光电流信号的原理，对pn结光敏元阵列进行一维线性扫描，获得不同温度条件下电流和位置的关系曲线。曲线具有两对光电流峰，曲线的峰间间距代表了光敏元的结区宽度和pn的位置。结合数值模拟，提取获得不同温度下的离子注入区的有效陷阱浓度。本发明对长波碲镉汞红外探测器离子注入区材料优劣的判断具有非常重要的意义。
-
公开(公告)号：CN101458293A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810204665.9
申请日：2008-12-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。
-
公开(公告)号：CN100479202C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610148068.X
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，该探测器是在常规的多量子阱层的每个周期后端加入一个共振隧穿双势垒结构。这种结构的优点是：可对量子阱红外探测器的暗电流显著抑制而光电流显著增强，从而实现对探测器的探测率提高。
-
公开(公告)号：CN101377533A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810200210.X
申请日：2008-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器深能级缺陷的检测方法，它是基于在激光辐照下，深能级被激活引起隧穿电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到激光辐照下的反常电流信号，并除去常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为深能级缺陷引起的陷阱辅助隧穿电流，可作为判断样品中深能级的标准，此电流值越大，样品中深能级缺陷数目越多。本发明的优点在于能独立表征对器件暗电流有贡献的深能级缺陷特性。
-
公开(公告)号：CN101458293B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810204665.9
申请日：2008-12-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.028 seconds)
