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公开(公告)号：CN110587385B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201910945718.0
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电路板上倒装芯片减薄方法、研磨钻头和固定底座；所述方法包括以电路板上待减薄倒装芯片远离固定底座的方式将电路板粘贴在固定底座上；在研磨钻头的研磨端面上粘贴研磨膜，对待减薄倒装芯片的背面进行研磨，直至待减薄倒装芯片的厚度达到预设研磨厚度；去除研磨膜，并在研磨钻头的研磨端面上粘贴抛光布，对待减薄倒装芯片的背面进行抛光，直至待减薄倒装芯片的厚度达到预设抛光厚度，实现对焊接在电路板上的倒装芯片直接减薄，减少传统技术中将倒装芯片从电路板上拆卸下来的次数，减少多次高温焊接工艺对倒装芯片的热损伤，从而保证减薄前后的倒装芯片的性能不受损，大大地提高减薄前后的试验验证、辐射试验的效率。
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公开(公告)号：CN110988639A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911085878.9
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种恒定电场应力偏压温度不稳定性的测试方法和装置。所述方法包括：根据预设时长，对待测器件施加应力电压；在对所述待测器件施加应力电压过程结束后，对所述待测器件施加扫描电压，并实时采集所述待测器件的漏电流和所述扫描电压，根据所述扫描电压和所述漏电流确定所述待测器件的当前阈值电压；根据所述当前阈值电压以及初始阈值电压，确定所述待测器件的当前阈值漂移量；判断施加所述应力电压的次数是否达到预设次数；当判定施加所述应力电压的次数小于所述预设次数时，根据在所述当前阈值漂移量调整所述应力电压；对所述待测器件施加调整后的所述应力电压并维持所述预设时长，然后返回至对所述待测器件施加所述扫描电压的步骤。
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公开(公告)号：CN119757828A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411855437.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种阈值电压初始值确定方法、装置、计算机设备及介质。该方法包括：获取目标晶体管被施加初始双向电压波形时的多个初步转移特性，在各初步转移特性的回滞处于不稳定状态的情况下，对目标晶体管的终止输入电压进行调整得到调整后终止输入电压，并根据调整后终止输入电压和起始输入电压确定目标晶体管的调整双向电压波形，获取目标晶体管被施加调整双向电压波形时的多个调整后转移特性，并在各调整后转移特性的回滞处于稳定状态的情况下，根据各调整后转移特性确定目标晶体管的阈值电压初始值。采用上述可以通过稳定状态的转移特性来确定精度较高的目标晶体管的阈值电压初始值，以支撑对目标晶体管的负偏置温度不稳定性进行研究。
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公开(公告)号：CN119480593A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411563863.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01J37/20 , G01N23/02 , G01N23/20025 , H01J37/26
Abstract: 本申请提供一种透射电子显微镜原位样品杆，涉及透射电子显微镜技术领域，将环境模拟与容纳待测样品两种功能结合，以便于在不同环境条件下对待测样品进行微尺度观测。该透射电子显微镜原位样品杆包括：激光发射模块；第一光纤，第一光纤的一端用于与激光发射模块的输出端相连接，第一光纤用于传导激光发射模块发射的光线；载物台，载物台用于与第一光纤的另一端相连接，其中，载物台包括第一区域和第二区域，第一区域位于第一光纤与第二区域之间，第一区域内设置有多个沿第一方向延伸的光传播通道，第二区域用于容纳待测样品，光传播通道的一端与第一光纤相连接，光传播通道用于将第一光纤传输的光线传导至第二区域，第一方向为载物台的延伸方向。
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公开(公告)号：CN119224411A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411610859.4
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R19/165
Abstract: 本申请涉及半导体检测技术领域，特别是涉及一种阈值电压变化量确定方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：将目标设备的栅极电压从放电电压增加至候选电压，确定目标设备的栅极电压达到候选电压后对应的检测电流值，并将目标设备的栅极电压从候选电压恢复至放电电压；根据检测电流值，确定目标设备对应的阈值电压变化量。本申请获取应力电压对应的电流值时，减少了受到缺陷充电的影响，提高了检测电流值确定的准确性，防止出现检测电流值被低估的情况，为后续确定阈值电压变化量提供准确的数据基础，使得阈值电压变化量能够准确反应负偏压温度不稳定性效应退化情况，使得NBTI退化更符合目标设备的实际情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118961350A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411448761.3
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请提供了一种芯片开封装置、方法、电子设备及存储介质，包括：丝杆与样品台连接，电机与丝杆连接，加热模块放置在样品台的正上方，另一加热模块放置在液体罐的液体管道上，玻璃台面放置在金属台面的正上方，液体管道的一端与液体罐连接，液体管道的另一端与玻璃台面的进液孔连接，废液管道的一端与废液罐连接，废液管道的另一端与玻璃台面的出液孔连接，排气孔设置在芯片开封装置的顶部位置，千分尺固定在玻璃台面的旁边，以使根据千分尺对待处理芯片的芯片表面塑封厚度进行测量。采用千分尺控制芯片的蚀刻厚度，保证芯片表面平整度一致，并且使得基材或封装材料中化学试剂残余量低，实现芯片表面裸露出完整形貌。
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公开(公告)号：CN115015654A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210456668.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明涉及一种信号测量电路，包括参考电阻网络模块、第一信号放大模块、偏置测试模块、第二信号放大模块及频谱重建模块，其中，参考电阻网络模块用于生成互为差分信号的第一参考噪声信号及第二参考噪声信号；第一信号放大模块与参考电阻网络模块连接，用于根据第一参考噪声信号及第二参考噪声信号生成预设放大倍数的参考回路噪声信号；偏置测试模块用于生成互为差分信号的待测噪声信号及基准噪声信号；第二信号放大模块与偏置测试模块连接，用于根据待测噪声信号及基准噪声信号生成预设放大倍数的测试回路噪声信号；频谱重建模块与第一信号放大模块及第二信号放大模块均连接，用于获取消除测量噪声信号的电子器件噪声信号功率谱。
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公开(公告)号：CN114594370A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210257057.4
申请日：2022-03-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种集成电路失效检测方法及装置。方法包括：获取待检测集成电路的第一图像，其中，待检测集成电路包括至少一条待检测的金属线，第一图像中包括待检测的金属线的图像；使用检测探针接触金属线，获取接触到检测探针后的待检测集成电路的第二图像，其中，第二图像中包括第一图像中的金属线的图像；根据第一图像、第二图像，确定待检测集成电路的失效情况。从而仅通过图像的变化即可检测集成电路的内部失效情况，检测方法方便简单，并且无需将集成电路研磨到待检测的那一层，即可通过其上层的互连情况，对其内部的失效情况进行初步的检测，效率更高。
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公开(公告)号：CN112098790A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010776999.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MIS‑HEMT的边界陷阱的能量分布测试方法及系统。其中所述方法包括：对所述MIS‑HEMT的栅极施加正向电压应力进行充电，至充电完毕；通过多个放电过程对所述MIS‑HEMT进行充分放电，其中在每一放电过程中均执行以下步骤：降低施加在所述MIS‑HEMT的栅极的正向电压应力；采用spot‑Id sense技术监测所述MIS‑HEMT的放电过程，获取所述MIS‑HEMT的当前电流；根据所述当前电流以及MIS‑HEMT的初始电流，确定电流改变量，并根据所述电流改变量确定所述MIS‑HEMT的当前阈值电压漂移量。
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公开(公告)号：CN110587385A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910945718.0
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电路板上倒装芯片减薄方法、研磨钻头和固定底座；所述方法包括以电路板上待减薄倒装芯片远离固定底座的方式将电路板粘贴在固定底座上；在研磨钻头的研磨端面上粘贴研磨膜，对待减薄倒装芯片的背面进行研磨，直至待减薄倒装芯片的厚度达到预设研磨厚度；去除研磨膜，并在研磨钻头的研磨端面上粘贴抛光布，对待减薄倒装芯片的背面进行抛光，直至待减薄倒装芯片的厚度达到预设抛光厚度，实现对焊接在电路板上的倒装芯片直接减薄，减少传统技术中将倒装芯片从电路板上拆卸下来的次数，减少多次高温焊接工艺对倒装芯片的热损伤，从而保证减薄前后的倒装芯片的性能不受损，大大地提高减薄前后的试验验证、辐射试验的效率。
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