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公开(公告)号：CN103105571B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310025968.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正集电极电压的对应关系；步骤40）得到实际集电极电压与修正集电极电压的修正系数；步骤50）仿真建立一次修正的实际导通特性；步骤60）建立实际栅极电压与修正栅极电压的对应关系；步骤70）得到实际栅极电压与修正栅极电压的修正系数；步骤80）仿真建立二次修正的实际输出特性。该方法可以解决注重集成电路仿真程序PSPICE内部集成的绝缘栅双极型晶体管模型的电流特性精确度不高的问题。
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公开(公告)号：CN103236437A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310148959.5
申请日：2013-04-25
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/762
Abstract: 一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区，在N型阱的表面设有场氧化层，在P型体区的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型阴极区、多晶硅栅和P型阳极区的表面设有钝化层，其特征在于，嵌入N型阱的场氧化层厚度占总厚度的60%~80%，使得场氧化层露出N型阱的部分与嵌入N型阱的部分的厚度比例为2:3至1:4，这样器件鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率明显减弱，因而大幅度提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104600120B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510021174.0
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：N型衬底、N型外延层，在N型外延层中形成有P型轻掺杂漏区和N阱，N阱的一侧和所述P型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述P型轻掺杂漏区中形成有P型重掺杂漏区；在所述N阱中形成有P型重掺杂源区，在N阱的另一侧形成有N型重掺杂引出区，N型重掺杂引出区穿过N型外延层与N型硅衬底相接触；在N阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于P型重掺杂源区及P型轻掺杂漏区的边界上方；在N型重掺杂引出区和P型重掺杂源区上连接有源极金属，在P型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有P型掺杂区且所述P型掺杂区位于N阱中。
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公开(公告)号：CN103236437B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310148959.5
申请日：2013-04-25
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/762
Abstract: 一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区，在N型阱的表面设有场氧化层，在P型体区的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型阴极区、多晶硅栅和P型阳极区的表面设有钝化层，其特征在于，嵌入N型阱的场氧化层厚度占总厚度的60%~80%，使得场氧化层露出N型阱的部分与嵌入N型阱的部分的厚度比例为2:3至1:4，这样器件鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率明显减弱，因而大幅度提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104600121A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510021785.5
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/0607 , H01L29/42364
Abstract: 一种高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：P型衬底，在P型衬底的一侧连接有漏极金属，在P型衬底的另一侧设有P型漂移区，在P型漂移区中对称设置一对N型基区，在N型基区中设有P型源区和N型体接触区，在P型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及P型源区上设有场氧化层，在P型源区和N型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104600098A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510021811.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0684 , H01L29/42368
Abstract: 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区及N型轻掺杂漏区的边界上方；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。
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公开(公告)号：CN103175823A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310072991.X
申请日：2013-03-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双延迟位移平台飞秒激光瞬态热反射系统，属于激光技术应用领域，常用于微纳米材料热物性测量。本发明包括激光器（1），用于输出光束；分束器（2），用于将激光器（1）输出光束分成两束，一束为泵浦光，用以加热样品，另外一束是探测光，用以探测样品表面温度变化；起偏器（4），用于将激光器（1）输出的水平线性偏振光转变为垂直线性偏振光；泵浦光第一凸透镜（5），用于聚焦经起偏器（4）输出的垂直线性偏振光，并进入声光调制器（6）；声光调制器（6），用于调制泵浦光，此时，泵浦光加载调制频率。本发明一方面降低了光路校准和准直的难度，提高了测量精度；另一方面，这种技术还具有检测较短延迟时间数据的功能。
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公开(公告)号：CN105374814A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510663114.9
申请日：2015-10-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/02 , H01L27/0259
Abstract: 一种高鲁棒性的高压静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的上部设有第一低压N型阱、第一低压P型阱，在第一低压N型阱内设有N型阴区，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在N型外延层的上表面上设有场氧化层且所述场氧化层位于N型阴区与P型阳区之间，在N型阴区、场氧化层及P型阳区的上表面设有钝化层，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在第一低压N型阱内设有P型注入效率调节阱，所述的N型阴区位于P型注入效率调节阱内。本发明在不改变原来版图面积的基础上，提高了电流泄放能力，降低了闩锁风险，增强了器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN103311303B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310199858.0
申请日：2013-05-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱，在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区，重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高，使得P型基区相对于一般器件，长度更短，浓度更淡，从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。
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公开(公告)号：CN103400860A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310365077.4
申请日：2013-08-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管，包括N型衬底，在N型衬底的两端分别设有漏极金属和N型漂移区，在N型漂移区上设有P型基区层，在P型基区层设有按照阵列分布的N型源区和P型体接触区，在相邻N型源区之间设有N型漂移区突起，N型漂移区突起的边界延伸进入相应的击穿电压提高区域，所述击穿电压提高区域是由相邻四个N型源区的内侧边界延长线构成的矩形区域，在N型漂移区突起上设有栅氧化层，并且栅氧化层的边界向外延伸并止于N型源区的边界，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区连接有源极金属，在多晶硅栅的表面连接有栅极金属。
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