公开(公告)号：CN104600121A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510021785.5

申请日：2015-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张春伟 ,  王佳丽 ,  马荣晶 ,  顾春德 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/42364

Abstract: 一种高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：P型衬底，在P型衬底的一侧连接有漏极金属，在P型衬底的另一侧设有P型漂移区，在P型漂移区中对称设置一对N型基区，在N型基区中设有P型源区和N型体接触区，在P型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及P型源区上设有场氧化层，在P型源区和N型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN104617144A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510020600.9

申请日：2015-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  王佳丽 ,  顾春德 ,  张艺 ,  张春伟 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368

Abstract: 一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区和P型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。