公开(公告)号：CN104600121A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510021785.5

申请日：2015-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张春伟 ,  王佳丽 ,  马荣晶 ,  顾春德 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/42364

Abstract: 一种高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：P型衬底，在P型衬底的一侧连接有漏极金属，在P型衬底的另一侧设有P型漂移区，在P型漂移区中对称设置一对N型基区，在N型基区中设有P型源区和N型体接触区，在P型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及P型源区上设有场氧化层，在P型源区和N型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN103792478B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201410061156.0

申请日：2014-02-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴佼容 ,  孙陈超 ,  顾春德 ,  叶伟 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提出一种绝缘栅双极型晶体管直流特性仿真方法，包括以下步骤：获取不同温度下、不同宽长比绝缘栅双极型晶体管的直流特性测试数据；建立绝缘栅双极型晶体管的直流宏模型，在NMOS晶体管与PNP晶体管组合的基础上，加入一个压控漂移区电阻表示绝缘栅双极型晶体管的电导调制效应；获取绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的初步模型文件；提取绝缘栅双极型晶体管25℃时的直流宏模型的模型参数；继续将85℃及125℃时的测试数据载入MBP，对绝缘栅双极型晶体管直流宏模型进行温度参数的提取；保存绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的模型参数；在Cadence中仿真得到绝缘栅双极型晶体管的输出特性，完成对绝缘栅双极型晶体管仿真方法的建立。

公开(公告)号：CN103996714A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410195822.X

申请日：2014-05-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  顾春德 ,  王剑峰 ,  马荣晶 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66712

Abstract: 一种N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中设有P型基区，在P型基区中设有P型体接触区和N型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧化层且栅氧化层的边界分别向两侧延伸并止于N型源区的边界，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在多晶硅栅的表面连接有栅极金属，在N型源区和P型体接触区连接有源极金属。其特征在于所述的P型体接触区和P型基区中间内嵌有一金属层。这种结构的优点在于保持器件击穿电压等其他参数基本不变的前提下不仅可以显著降低器件的反向恢复时间，而且还提高了器件的抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN103400860A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310365077.4

申请日：2013-08-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄宇 ,  顾春德 ,  张春伟 ,  刘斯扬 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管，包括N型衬底，在N型衬底的两端分别设有漏极金属和N型漂移区，在N型漂移区上设有P型基区层，在P型基区层设有按照阵列分布的N型源区和P型体接触区，在相邻N型源区之间设有N型漂移区突起，N型漂移区突起的边界延伸进入相应的击穿电压提高区域，所述击穿电压提高区域是由相邻四个N型源区的内侧边界延长线构成的矩形区域，在N型漂移区突起上设有栅氧化层，并且栅氧化层的边界向外延伸并止于N型源区的边界，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区连接有源极金属，在多晶硅栅的表面连接有栅极金属。

公开(公告)号：CN103400860B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201310365077.4

申请日：2013-08-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄宇 ,  顾春德 ,  张春伟 ,  刘斯扬 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管，包括N型衬底，在N型衬底的两端分别设有漏极金属和N型漂移区，在N型漂移区上设有P型基区层，在P型基区层设有按照阵列分布的N型源区和P型体接触区，在相邻N型源区之间设有N型漂移区突起，N型漂移区突起的边界延伸进入相应的击穿电压提高区域，所述击穿电压提高区域是由相邻四个N型源区的内侧边界延长线构成的矩形区域，在N型漂移区突起上设有栅氧化层，并且栅氧化层的边界向外延伸并止于N型源区的边界，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区连接有源极金属，在多晶硅栅的表面连接有栅极金属。

公开(公告)号：CN104617144A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510020600.9

申请日：2015-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  王佳丽 ,  顾春德 ,  张艺 ,  张春伟 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368

Abstract: 一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区和P型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN103792478A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410061156.0

申请日：2014-02-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴佼容 ,  孙陈超 ,  顾春德 ,  叶伟 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提出一种绝缘栅双极型晶体管直流特性仿真方法，包括以下步骤：获取不同温度下、不同宽长比绝缘栅双极型晶体管的直流特性测试数据；建立绝缘栅双极型晶体管的直流宏模型，在NMOS晶体管与PNP晶体管组合的基础上，加入一个压控漂移区电阻表示绝缘栅双极型晶体管的电导调制效应；获取绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的初步模型文件；提取绝缘栅双极型晶体管25℃时的直流宏模型的模型参数；继续将85℃及125℃时的测试数据载入MBP，对绝缘栅双极型晶体管直流宏模型进行温度参数的提取；保存绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的模型参数；在Cadence中仿真得到绝缘栅双极型晶体管的输出特性，完成对绝缘栅双极型晶体管仿真方法的建立。