公开(公告)号：CN103236437B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310148959.5

申请日：2013-04-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  于朝辉 ,  于冰 ,  张春伟 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762

Abstract: 一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区，在N型阱的表面设有场氧化层，在P型体区的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型阴极区、多晶硅栅和P型阳极区的表面设有钝化层，其特征在于，嵌入N型阱的场氧化层厚度占总厚度的60%~80%，使得场氧化层露出N型阱的部分与嵌入N型阱的部分的厚度比例为2:3至1:4，这样器件鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率明显减弱，因而大幅度提升了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN103236437A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310148959.5

申请日：2013-04-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  于朝辉 ,  于冰 ,  张春伟 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762

Abstract: 一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区，在N型阱的表面设有场氧化层，在P型体区的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型阴极区、多晶硅栅和P型阳极区的表面设有钝化层，其特征在于，嵌入N型阱的场氧化层厚度占总厚度的60%~80%，使得场氧化层露出N型阱的部分与嵌入N型阱的部分的厚度比例为2:3至1:4，这样器件鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率明显减弱，因而大幅度提升了器件的可靠性。