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公开(公告)号：CN112926278B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110333130.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明公开并保护了一种基于多项式混沌克里金元模型的近阈值电路延时估计方法，考虑近阈值电压下工艺参数波动变大的影响，通过多项式混沌克里金元模型构建从工艺参数到电路延时的模型，进而对电路路径延时进行良率评估，实现一种近阈值电压下精确有效的时序分析方法，为电路设计提供指导。首先通过工具PrimeTime提取出电路的关键路径，通过拉丁超立方对电路进行高效采样，继而在不同的工艺参数条件下通过SPICE仿真获得关键路径的延时，通过广义幂变换以及最大似然估计使非高斯分布的延时数据转换为符合高斯分布的数据，应用多项式混沌克里金元模型构建出低电压下路径延时模型，最终完成对电路的时序良率评估。
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公开(公告)号：CN114239465A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111569667.X
申请日：2021-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F115/02
Abstract: 本发明公开了一种基于缩放方差采样的近阈值电路延时估计方法，考虑到蒙特卡罗采样难以采取到足够多失效区域的样本，通过缩放方差扩大样本采样区域，进而对电路路径延时等关键信息进行良率评估，实现一种精确有效的时序分析方法，为电路设计提供指导。首先提取出电路的关键路径，应用缩放方差采样方法对工艺参数空间进行优化采样，并通过SPICE得到相应的关键信息，以此构建初始训练集训练低阶张量近似电路延时模型，并通过自适应采样方法，迭代至模型收敛，最终完成对电路的评估。
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公开(公告)号：CN109004830B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201810743734.7
申请日：2018-07-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种基于遗传算法的效率优化电源控制方法，基于包括前级Buck‑Boost电路、后级定频LLC调压电路、采样电路、采样放大隔离电路以及以微控制器为控制核心的控制电路构成的控制系统。采样得到系统调节过程中有关效率的评价因素，包括后级输出电压Vo和输出电流Io，前级输入电压Vin和输入电流Iin。遗传算法模块根据评估利用不同计算参数k计算出的控制参数对效率的影响，最终迭代得到最适应于该系统的的计算参数k，使得系统的工作效率达到最优。当系统负载发生变化时系统使用查找表(LUT)记录负载和输出电压对应的LLC拓扑电路中，上下管的开关死区时间。这样在负载切换时，便可以直接查找并读取对应的死区时间。
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公开(公告)号：CN106505101B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610911892.X
申请日：2016-10-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底，P型衬底上设埋氧，再设N型外延层且被隔离氧化层分隔成第一、二、三N型外延层，第三N型外延层上部设第二P型体区与N型缓冲层，第二P型体区内设N型发射极与叉指型第二重掺杂P区，第二P型体区上设栅氧化层、多晶硅栅极，N型缓冲层内设P型集电极且作为器件的阳极，上方设阳极金属层；第二N型外延层上部至少设2个第一P型体区并在其中分别设N型MOS管；第一N型外延层上部至少设2个串联的二极管且相邻二极管间设隔离氧化层；N型发射极与所有N型漏极连接，第二重掺杂P区与串联二极管的阳极连接，N型源极、第一重掺杂P区及串联二极管的阴极连接作为器件的阴极。
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公开(公告)号：CN105702720A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610061042.5
申请日：2016-01-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0603
Abstract: 一种绝缘栅双极型晶体管结构，包括集电极金属、P型集电区、N型基极区，N型基极区表面有N型载流子存储层及沟槽柵，沟槽柵将N型载流子存储层分割成条状，条状N型载流子存储层表面存在均匀分布的块状P型体区，块状载流子存储层上设有与第一类型柵氧化层连接的第二类型柵氧化层，第二类型柵氧化层上设有与第一多晶硅柵连接的第二多晶硅柵，块状P型体区表面存在P型源区、N型源区，并与发射极金属连接，其特征在于，块状载流子存储层表面设有与块状P型体区连接的轻掺杂浅P阱，在器件导通时，栅极加正栅压，轻掺杂浅P阱被完全耗尽，实现注入效率增强效应，使器件具有较小的导通压降；在器件关断时，轻掺杂浅P阱不被完全耗尽，形成导电沟道，加快器件关断速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105634279A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610179693.4
申请日：2016-03-25
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H02M3/1584 , H02M1/143
Abstract: 本发明公开了一种提高单电感多输出电源变换器负载瞬态响应的方法，在现有单电感多输出电源变换器的基础上，在各输出支路中的次级功率开关管的源、漏极之间增设负载电流采样网络，直接检测各输出支路开关管上的电流变化来体现负载电流的变化，并作为前馈电流及时地将任一路负载电流的变化反映到次环各支路的控制电路中，快速调节占空比，实现快速响应，减小输出电压的纹波，避免系统的不稳定性。
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公开(公告)号：CN103078530B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210589729.8
申请日：2012-12-29
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 一种快速瞬态响应的数字功率因数变换器，设有EMI滤波器、整流电路、Boost型变换器功率级主拓扑结构、两个分压单元、三个A/D采样转换单元、预测控制单元、PID控制单元、占空比修正单元和数字脉冲调制器，交流电压AC连接EMI滤波器的输入端，EMI滤波器的输出端与整流电路的输入端连接，第二分压单元的输入端连接整流电路的输出端也是主拓扑结构的输入端，第一分压单元的输入端与主拓扑的输出端连接，三个A/D采样转换单元的输出端分别连接预测控制单元，输出信号和参考电压信号Vref比较后输出电压误差信号和输出电压误差偏差信号至PID控制单元，占空比修正单元的输出信号与PID控制单元的输出信号相乘后连接数字脉冲调制器，数字脉冲调制器的输出端连接主拓扑结构中MOS管Q的栅极。
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公开(公告)号：CN103312298B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310283456.9
申请日：2013-07-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种提高频率-控制电流线性度的张弛振荡器，包括充放电电路、控制电路以及设于充放电电路与控制电路之间的浮动充放电电容，充放电电路根据控制电路的输出信号交替地给浮动充放电电容的两端进行充电和放电，控制电路检测浮动充放电电容的电压，并输出控制信号，振荡器的输出信号仅由浮动充放电电容的充电过程决定，从而减小了振荡器整个周期的延时，提高了振荡器频率-控制电流的线性度。浮动充放电电容由完全相同的电容C1、C2并联，且电容C1、C2的两极板交叉互连，使得浮动充放电电容的两端对称，减小了电容两端的微小寄生电容对振荡器输出的影响。
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公开(公告)号：CN103051186B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210589750.8
申请日：2012-12-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种具有快速瞬态响应能力的数字开关变换器，包括Buck型开关变换器功率级主拓扑结构、A/D采样转换单元、预测控制单元、模糊PID控制单元、DPWM单元和驱动单元。A/D采样转换单元分别采样开关变换器的模拟输出电压值和模拟电感电流值，将模拟信号转换成数字信号；预测控制单元根据A/D采样数字信号值结合Buck型开关变换器主拓扑结构预测下一开关周期输出电压值；模糊PID控制单元根据输出电压误差值和输出电压误差偏差值确定开关周期的占空比值，DPWM单元和驱动单元根据占空比值输出相应的PWM驱动开管变换器的功率管的开关状态来调节输出电压值。
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公开(公告)号：CN101552291B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910030064.5
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域和设在原胞区域周围的终端区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括P型柱和N型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有N型重掺杂半导体区，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层，在N型重掺杂半导体区上连接有金属层，其特征在于在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层。
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