公开(公告)号：CN103792478A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410061156.0

申请日：2014-02-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴佼容 ,  孙陈超 ,  顾春德 ,  叶伟 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提出一种绝缘栅双极型晶体管直流特性仿真方法，包括以下步骤：获取不同温度下、不同宽长比绝缘栅双极型晶体管的直流特性测试数据；建立绝缘栅双极型晶体管的直流宏模型，在NMOS晶体管与PNP晶体管组合的基础上，加入一个压控漂移区电阻表示绝缘栅双极型晶体管的电导调制效应；获取绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的初步模型文件；提取绝缘栅双极型晶体管25℃时的直流宏模型的模型参数；继续将85℃及125℃时的测试数据载入MBP，对绝缘栅双极型晶体管直流宏模型进行温度参数的提取；保存绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的模型参数；在Cadence中仿真得到绝缘栅双极型晶体管的输出特性，完成对绝缘栅双极型晶体管仿真方法的建立。

公开(公告)号：CN103792478B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201410061156.0

申请日：2014-02-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  戴佼容 ,  孙陈超 ,  顾春德 ,  叶伟 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提出一种绝缘栅双极型晶体管直流特性仿真方法，包括以下步骤：获取不同温度下、不同宽长比绝缘栅双极型晶体管的直流特性测试数据；建立绝缘栅双极型晶体管的直流宏模型，在NMOS晶体管与PNP晶体管组合的基础上，加入一个压控漂移区电阻表示绝缘栅双极型晶体管的电导调制效应；获取绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的初步模型文件；提取绝缘栅双极型晶体管25℃时的直流宏模型的模型参数；继续将85℃及125℃时的测试数据载入MBP，对绝缘栅双极型晶体管直流宏模型进行温度参数的提取；保存绝缘栅双极型晶体管直流宏模型的模型参数；在Cadence中仿真得到绝缘栅双极型晶体管的输出特性，完成对绝缘栅双极型晶体管仿真方法的建立。

公开(公告)号：CN103311303B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201310199858.0

申请日：2013-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄宇 ,  王永平 ,  张春伟 ,  戴佼容 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱，在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区，重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高，使得P型基区相对于一般器件，长度更短，浓度更淡，从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。

公开(公告)号：CN103311303A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310199858.0

申请日：2013-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄宇 ,  王永平 ,  张春伟 ,  戴佼容 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱，在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区，重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高，使得P型基区相对于一般器件，长度更短，浓度更淡，从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。