公开(公告)号：CN101047164A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710089088.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。

公开(公告)号：CN1708563A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102613.6

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D5/25 ,  C01B33/12

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种用于形成具有2.5或2.5以下较小的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜的涂布液及其配制方法。该涂布液为含有以如下方法获得的硅化合物的溶液：将原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物；或使原硅酸四烷基酯(TAOS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解或部分水解后，与特定烷氧基硅烷(AS)或其水解产物或部分水解产物混合，再根据需要使其部分或全部水解而得到硅化合物。另外，该涂布液是将上述成分按特定比例混合，并在特定的操作条件下进行配制的。

公开(公告)号：CN104062851A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310611191.0

申请日：2013-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  中田义弘

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C07F7/0838 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和用于形成图案的方法。所述抗蚀剂组合物包含：溶剂；和在所述溶剂中的树脂，所述树脂通过在酸或碱的存在下水解并缩合包含与硅原子或锗原子相结合的烷氧基的含烷氧基化合物来制备，其中利用能量辐射辐照的所述抗蚀剂组合物的一部分在显影液中是不可溶的。

公开(公告)号：CN101960582B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200880127868.0

申请日：2008-03-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  小林靖志

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高绝缘膜相互之间的粘附性，从而可提高半导体装置的多层布线形成工艺中的成品率和可靠性的布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及一种布线基板，其特征在于，包括由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于改第一绝缘膜上的粘附强化层以及形成于该粘附强化层上且由硅化合物构成的第二绝缘膜，上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是通过由具有下述通式(1)所表示的结构的构成成分进行结合，在通式(1)中，X＝2Y，X表示1以上的整数。Si-CXHY-Si……通式(1)。

公开(公告)号：CN102047411A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200880129496.5

申请日：2008-06-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  小林靖志 ,  美浓浦优一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明半导体装置的制造方法，包括：在基板(10)上形成由硅化合物类绝缘材料构成的绝缘膜(38、40、42)上的工序；在绝缘膜(38、40、42)上形成开口部(48)的工序；通过在含有烃类气体的环境中照射活性能量线，在开口部(48)的内面形成由结晶性SiC构成的阻挡层(50)的工序；以及在形成有阻挡层(50)的开口部(48)内，形成由铜构成的布线结构体(52)的工序。

公开(公告)号：CN101257003B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200810081281.2

申请日：2008-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01B3/18 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/54 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜材料，其适用于形成介电常数低且耐损性(例如抗蚀性和液体试剂抗性)优异的绝缘膜，还提供一种减少了互连间的寄生电容的多层互连结构，还提供一种有效制造多层互连结构的方法，以及一种有效制造高速和可靠性高的半导体器件的方法。所述绝缘膜材料至少包含由下述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物：结构式(1)其中，R1、R2、R3和R4可以相同或不同，且其中至少一个表示含有烃和不饱和烃中任何一种的官能团。

公开(公告)号：CN101649053A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200810129731.0

申请日：2008-08-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C08L83/16 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: C08G77/62 ,  C08G77/60 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了一种硅化合物、多层布线装置及其制造方法。在基板表面形成的多孔绝缘膜前体层；然后在其上形成的特定的硅化合物层；需要时，将该硅化合物层预固化；通过硅化合物层或预固化层将所述多孔绝缘膜前体在UV下曝光。

公开(公告)号：CN101647106A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200780052178.9

申请日：2007-03-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  中田义弘

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  C09D183/00 ,  C09K3/18

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/26 ,  C08G77/28 ,  C08G77/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 根据本发明，能够得到漏电量少、且EM(电迁移)耐性和TDDB(经时介电击穿)耐性高的布线层，由此能够提供耗电量小、可靠性高的半导体装置的制造技术。本发明的表面疏水化膜是与绝缘膜接触的表面疏水化膜，其在接触时具有比绝缘膜更高的疏水性，并且其相反侧表面还与布线接触并包含选自由硫原子、磷原子和氮原子组成的组中的至少一种原子。

公开(公告)号：CN100477106C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510126871.9

申请日：2005-11-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  尾崎史朗 ,  矢野映

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。由于将电子束等通过更致密的第二绝缘膜40施加至该第一多孔绝缘膜38，从而能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。由于能够保持该第一多孔绝缘膜38不被损坏，因而能够防止吸水性和密度增加，进而能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN101131926A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710141756.8

申请日：2007-08-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：形成绝缘膜，该绝缘膜包含具有Si－CH3和Si－OH键的材料；以及用紫外线照射该绝缘膜，其中：在紫外线照射后，通过X射线电光子分光光谱确定的C浓度降低率不大于30％，并且绝缘膜中从C－H键、O－H键和Si－OH的Si－O键中选出的一个或多个键的减少率不小于10％。本发明提供一种低介电常数绝缘膜，其具有高模强度并可以避免因为吸收湿气而导致的介电常数增大；一种半导体器件，其可以避免因寄生电容增大而造成的器件响应速度的延迟以及可靠性降低；以及其制造方法。