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公开(公告)号：CN100398583C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200380102613.6
申请日：2003-10-27
Applicant: 触媒化成工业株式会社 , 富士通株式会社
IPC: C08G77/08 , C09D183/04 , C09D183/02 , C09D5/25 , H01L21/31 , C01B33/12
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/08 , C09D183/04 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种用于形成具有2.5或2.5以下较小的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜的涂布液及其配制方法。该涂布液为含有以如下方法获得的硅化合物的溶液：将原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物；或使原硅酸四烷基酯(TAOS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解或部分水解后，与特定烷氧基硅烷(AS)或其水解产物或部分水解产物混合，再根据需要使其部分或全部水解而得到硅化合物。另外，该涂布液是将上述成分按特定比例混合，并在特定的操作条件下进行配制的。
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公开(公告)号：CN1708563A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102613.6
申请日：2003-10-27
Applicant: 触媒化成工业株式会社 , 富士通株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D183/02 , C09D5/25 , C01B33/12
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/08 , C09D183/04 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种用于形成具有2.5或2.5以下较小的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜的涂布液及其配制方法。该涂布液为含有以如下方法获得的硅化合物的溶液：将原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物；或使原硅酸四烷基酯(TAOS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解或部分水解后，与特定烷氧基硅烷(AS)或其水解产物或部分水解产物混合，再根据需要使其部分或全部水解而得到硅化合物。另外，该涂布液是将上述成分按特定比例混合，并在特定的操作条件下进行配制的。
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公开(公告)号：CN100380608C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200380102612.1
申请日：2003-10-27
Applicant: 触媒化成工业株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H01L21/312 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/316
CPC classification number: C09D183/02 , C08G77/08 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/316 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。
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公开(公告)号：CN1708839A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102612.1
申请日：2003-10-27
Applicant: 触媒化成工业株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H01L21/312 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/316
CPC classification number: C09D183/02 , C08G77/08 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/316 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。
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公开(公告)号：CN101045820B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610106004.3
申请日：2006-07-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: C08L83/16 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/31633 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
Abstract: 一种形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法，其中该方法包括以下步骤：在衬底(10)上形成多孔材料的第一绝缘膜(38)；在第一绝缘膜(38)上形成第二绝缘膜(40)，该第二绝缘膜(40)包含，该硅化合物含30-90％的Si-CH3结合物；向形成在第一绝缘膜(38)上的第二绝缘膜(40)照射紫外线，以固化第一绝缘膜(38)。因此，具有消除CH3基的波长的紫外线被第二绝缘膜充分吸收，从而第一绝缘膜通过紫外线固化被优先高度强化，并且第一绝缘膜在不增加介电常数的情况下可使膜密度增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100557778C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710141756.8
申请日：2007-08-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：形成绝缘膜，该绝缘膜包含具有Si-CH3和Si-OH键的材料；以及用紫外线照射该绝缘膜，其中：在紫外线照射后，通过X射线电光子分光光谱确定的C浓度降低率不大于30%，并且绝缘膜中从C-H键、O-H键和Si-OH的Si-O键中选出的一个或多个键的减少率不小于10%。本发明提供一种低介电常数绝缘膜，其具有高模强度并可以避免因为吸收湿气而导致的介电常数增大；一种半导体器件，其可以避免因寄生电容增大而造成的器件响应速度的延迟以及可靠性降低；以及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101127295A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710091528.4
申请日：2007-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 富士通株式会社 , 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 一种基板处理方法，所述基板上带有绝缘膜和金属层，该方法包括向基板提供羧酸酐、和在向基板提供羧酸酐的过程中加热基板的步骤。
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公开(公告)号：CN101045820A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610106004.3
申请日：2006-07-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: C08L83/16 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/31633 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
Abstract: 一种形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法，其中该方法包括以下步骤：在衬底(10)上形成多孔材料的第一绝缘膜(38)；在第一绝缘膜(38)上形成第二绝缘膜(40)，该第二绝缘膜(40)包含，该硅化合物含30－90％的Si－CH3结合物；向形成在第一绝缘膜(38)上的第二绝缘膜(40)照射紫外线，以固化第一绝缘膜(38)。因此，具有消除CH3基的波长的紫外线被第二绝缘膜充分吸收，从而第一绝缘膜通过紫外线固化被优先高度强化，并且第一绝缘膜在不增加介电常数的情况下可使膜密度增加。
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公开(公告)号：CN104062851B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310611191.0
申请日：2013-11-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G03F7/0757 , C07F7/0838 , G03F7/0043 , G03F7/0382 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和用于形成图案的方法。所述抗蚀剂组合物包含：溶剂；和在所述溶剂中的树脂，所述树脂通过在酸或碱的存在下水解并缩合包含与硅原子或锗原子相结合的烷氧基的含烷氧基化合物来制备，其中利用能量辐射辐照的所述抗蚀剂组合物的一部分在显影液中是不可溶的。
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公开(公告)号：CN104064590B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410066965.0
申请日：2014-02-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0272 , H01L21/0331 , H01L21/28587 , H01L23/5222 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有包括衬底、形成在衬底的主平面的一部分之上的第一绝缘膜、形成在第一绝缘膜的表面之上的导电部分、以及第二绝缘膜的结构的半导体器件，其中第二绝缘膜覆盖衬底的主平面、第一绝缘膜和导电部分，并且第二绝缘膜的耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性。第一绝缘膜置于衬底与导电部分之间以防止寄生电容的产生。第一绝缘膜用耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性的第二绝缘膜覆盖。第二绝缘膜防止第一绝缘膜吸收水分。
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