公开(公告)号：CN110416075B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201910332423.6

申请日：2019-04-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永海幸一 ,  大下辰郎 ,  永关一也 ,  桧森慎司

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量。等离子体处理方法包括：从高频电源供给高频的步骤；从一个以上的直流电源对下部电极施加具有负极性的直流电压的步骤，在施加直流电压的步骤中，将直流电压周期性地施加到下部电极，在将规定对下部电极施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到下部电极的时间所占的比例。

公开(公告)号：CN117378286A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280036616.7

申请日：2022-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 照内怜 ,  广濑润 ,  永关一也 ,  桧森慎司

IPC: H05H1/00

Abstract: 本发明的等离子体监控系统包含：监控装置；及控制装置。监控装置为载置于等离子体处理装置内的工作台上的装置。监控装置包含：板状的基底基板；及多个分光器，所述多个分光器具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并取得等离子体的发光强度。控制装置基于由多个分光器分别取得的发光强度而取得等离子体处理装置内的等离子体的发光强度分布数据。

公开(公告)号：CN112017937A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010423589.1

申请日：2020-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  广津信 ,  池田武信 ,  永海幸一 ,  桧森慎司

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。

公开(公告)号：CN109937613A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201780069695.0

申请日：2017-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林義之 ,  桧森慎司 ,  古谷直一

IPC: H05H1/42 ,  C23C4/134 ,  H05H1/40

Abstract: 本发明提供一种等离子体喷镀装置，其具有：供给部，其利用等离子体生成气体来运送喷镀材料的粉末，并从前端部的开口喷射该喷镀材料的粉末；等离子体生成部，其使用喷射出的所述等离子体生成气体来生成与所述供给部具有共同的芯轴的等离子体；磁场产生部，其在所述等离子体的生成空间中产生磁场；以及控制部，其控制所述磁场产生部，来控制所述生成的等离子体的偏转。

公开(公告)号：CN102737942B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210091861.6

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/327

Abstract: 本发明提供一种能够提高蚀刻的加工控制性的基板处理装置。基板处理装置(10)包括：内部被减压的腔室(11)；配置在该腔室(11)内、载置晶片(W)的基座(12)；对基座(12)施加等离子体生成用高频电压的HF高频电源(18)；对基座(12)施加偏置电压产生用高频电压的LF高频电源(20)；和对基座(12)施加矩形波状的直流电压的直流电压施加单元(23)。

公开(公告)号：CN103258707B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201310162785.8

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN103247511A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310047993.3

申请日：2013-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永关一也 ,  伊藤悦治 ,  横田聪裕 ,  桧森慎司 ,  松山昇一郎

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/465 ,  C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452 ,  H01L21/32136

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。

公开(公告)号：CN101685772B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910175626.5

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN101685772A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910175626.5

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN101540277A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910129459.0

申请日：2009-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松土龙夫 ,  桧森慎司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32642

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，其能够在广RF频率区域中且在广RF功率区域中提高等离子体处理的面内均匀性。在腔室(10)内，载置半导体晶片(W)的基座(下部电极)(12)和上部电极(38)平行相向地配置。在基座(12)上，从第一高频电源(32)施加等离子体生成用的第一高频。基座(12)的侧面和上表面周边部(边缘部)夹着电介质(16)被从腔室(10)的底壁向垂直上方延伸的RF接地部件(18)覆盖。在安装在排气通路(20)的上部的排气环(22)之上设置有翼部件(25)。