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公开(公告)号：CN112103165B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010511382.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN101499399B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910126704.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091
Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。
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公开(公告)号：CN101532885A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910126382.1
申请日：2009-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01K11/00
CPC classification number: G01K11/00 , G01K11/125
Abstract: 本发明提供一种温度测量装置和温度测量方法，与现有技术相比能够精度良好地测量温度，能够更加精度良好地且效率良好地进行基板处理等。该温度测量装置具有：将来自光源(110)的光分解为测量光和参照光的第一分离器(120)；用于反射参照光的参照光反射单元(140)；用于使参照光的光路长度变化的光路长变化单元(150)；用于分解来自参照光反射单元(140)的反射参照光的第二分离器(121)；用于测量来自温度测定对象物(10)的反射测量光与反射参照光的干涉的第一光检测器(160)；用于仅测量反射参照光的强度的第二光检测器(161)；从第一光检测器(160)的输出减去第二光检测器(161)的输出后计算干涉位置，计算温度的控制器(170)。
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公开(公告)号：CN104810272A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510206545.2
申请日：2008-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供等离子体蚀刻方法，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。
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公开(公告)号：CN101853770B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010155002.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理方法，对激励电力施加部的输出变动和偏置电力施加部的输出变动的时刻进行调整，抑制偏置用高频电力的振幅的增大，事先防止异常放电等问题发生。在使用基板处理装置的基板处理方法中，以在规定的时刻改变激励电力施加部(35)的输出使气体激励用高频电力间歇地变化的方式进行控制，并且利用激励电力施加部(35)的控制使收容室内成为等离子体不存在的状态或余辉的状态时，以使偏置电力施加部(27)断开或使其输出在与激励电力施加部的输出为设定输出情况下的偏置电力施加部的输出相比下降的方式进行控制，其中，基板处理装置具有：载置台(23)、与其相对配置的上部电极(24)、向上部电极(24)施加气体激励用高频电力的激励电力施加部(35)、和向下部电极(23)施加偏置用高频电力的偏置电力施加部(27)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101532885B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910126382.1
申请日：2009-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01K11/00
CPC classification number: G01K11/00 , G01K11/125
Abstract: 本发明提供一种温度测量装置和温度测量方法，与现有技术相比能够精度良好地测量温度，能够更加精度良好地且效率良好地进行基板处理等。该温度测量装置具有：将来自光源(110)的光分解为测量光和参照光的第一分离器(120)；用于反射参照光的参照光反射单元(140)；用于使参照光的光路长度变化的光路长变化单元(150)；用于分解来自参照光反射单元(140)的反射参照光的第二分离器(121)；用于测量来自温度测定对象物(10)的反射测量光与反射参照光的干涉的第一光检测器(160)；用于仅测量反射参照光的强度的第二光检测器(161)；从第一光检测器(160)的输出减去第二光检测器(161)的输出后计算干涉位置，计算温度的控制器(170)。
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公开(公告)号：CN101853770A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010155002.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理方法，对激励电力施加部的输出变动和偏置电力施加部的输出变动的时刻进行调整，抑制偏置用高频电力的振幅的增大，事先防止异常放电等问题发生。在使用基板处理装置的基板处理方法中，以在规定的时刻改变激励电力施加部(35)的输出使气体激励用高频电力间歇地变化的方式进行控制，并且利用激励电力施加部(35)的控制使收容室内成为等离子体不存在的状态或余辉的状态时，以使偏置电力施加部(27)断开或使其输出在与激励电力施加部的输出为设定输出情况下的偏置电力施加部的输出相比下降的方式进行控制，其中，基板处理装置具有：载置台(23)、与其相对配置的上部电极(24)、向上部电极(24)施加气体激励用高频电力的激励电力施加部(35)、和向下部电极(23)施加偏置用高频电力的偏置电力施加部(27)。
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公开(公告)号：CN101370349A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810135193.6
申请日：2008-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质。在等离子体处理装置中，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。
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公开(公告)号：CN119585855A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380055337.X
申请日：2023-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：等离子体处理腔室；基板支承部，配置在等离子体处理腔室内且包括下部电极；上部电极，配置于基板支承部的上方；RF电源，用于向上部电极或下部电极提供RF信号，RF信号在第1重复期间内的第1状态之间具有第1功率电平，在第1重复期间内的第2状态之间具有第1功率电平，在第1重复期间内的第3状态之间具有小于第1功率电平的第2功率电平，在第1重复期间内的第4状态之间具有小于第2功率电平的第3功率电平；和DC电源，构成为对下部电极施加DC信号，DC信号具有在第1重复期间内的第1状态之间具有第1电压电平、在第1重复期间内的第2状态之间具有第2电压电平的电压脉冲的序列，第2电压电平的绝对值大于第1电压电平的绝对值。
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公开(公告)号：CN114242552A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111024899.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本公开涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。提供一种基于向边缘环施加的负的直流电压被施加到边缘环的状态下的边缘环的自偏置电压的估计值来调整该直流电压的技术。在公开的等离子体处理装置中，控制部确定在开始从直流电源向边缘环(ER)施加负的直流电压之后电流开始在边缘环与直流电源之间流动的时间点。控制部根据表示边缘环的该时间点的电压的电压测定值，来确定响应于高频电力的供给而产生的边缘环的自偏置电压的估计值。控制部将由直流电源向边缘环施加的负的直流电压的绝对值设定为自偏置电压的估计值的绝对值与设定值之和的值。
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