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公开(公告)号：CN105304484B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510303252.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01J37/32146 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/76802
Abstract: 本发明提供一种对绝缘膜进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在第一期间内，为了激励被供给到等离子体处理装置的处理容器内的包含碳氟化合物的处理气体，周期性地切换高频电力的接通和断开的步骤；和(b)在接着第一期间之后的第二期间，为了激发被供给到处理容器内的处理气体，将高频电力设定为连续接通的步骤，该第二期间内高频电力接通的期间比第一期间内高频电力接通的期间长。
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公开(公告)号：CN111029238A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910958163.3
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括：处理容器；在处理容器内载置被处理体的电极；对处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对电极供给偏置功率的偏置电源；配置在被处理体的周缘的周边环；对周边环供给直流电压的直流电源；存储介质，其具有包含第一控制步骤的程序，其中该第一控制步骤中，直流电压周期性地反复具有第一电压值的第一状态和具有比第一电压值高的第二电压值的第二状态，在电极的电位的各周期内的部分期间中施加第一电压值，并以第一状态和第二状态连续的方式施加第二电压值；和执行存储介质的程序的控制部。本发明的目的在于提高被处理体的蚀刻形状的精度。
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公开(公告)号：CN105304484A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510303252.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01J37/32146 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/76802
Abstract: 本发明提供一种对绝缘膜进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在第一期间内，为了激励被供给到等离子体处理装置的处理容器内的包含碳氟化合物的处理气体，周期性地切换高频电力的接通和断开的步骤；和(b)在接着第一期间之后的第二期间，为了激发被供给到处理容器内的处理气体，将高频电力设定为连续接通的步骤，该第二期间内高频电力接通的期间比第一期间内高频电力接通的期间长。
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公开(公告)号：CN114999881A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210614585.0
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括：容器；设置在所述容器内并具有电极的载置台；在所述容器内生成等离子体的等离子体源；周期性地对所述电极供给脉冲状负直流电压的偏置电源；周边环，其以包围载置于所述载置台的基片的方式配置；和对所述周边环供给直流电压的直流电源，所述直流电源被配置成，当所述脉冲状负直流电压没有被供给到所述电极时在第一期间供给第一直流电压，并当所述脉冲状负直流电压被供给到所述电极时在第二期间供给第二直流电压。本发明的目的在于提高被处理体的蚀刻形状的精度。
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公开(公告)号：CN105097498A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510239773.X
申请日：2015-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/311 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/31127
Abstract: 提供蚀刻被蚀刻层的方法。课题是降低在被蚀刻层形成的多个开口的宽度的差异。该方法包括：(a)在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使等离子体反应产物沉积的第1工序、和(b)在第1工序之后，对被蚀刻层进行蚀刻的第2工序。掩模层具有粗区域和密区域。在粗区域形成了多个开口。密区域包围粗区域且掩模在该密区域比在粗区域密集地存在。粗区域包含第1区域和第2区域。第2区域为比第1区域接近密区域的区域。在该方法的第1工序中，第1区域中的开口的宽度比第2区域中的开口的宽度变窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112017937B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010423589.1
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
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公开(公告)号：CN111029238B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910958163.3
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括：处理容器；在处理容器内载置被处理体的电极；对处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对电极供给偏置功率的偏置电源；配置在被处理体的周缘的周边环；对周边环供给直流电压的直流电源；存储介质，其具有包含第一控制步骤的程序，其中该第一控制步骤中，直流电压周期性地反复具有第一电压值的第一状态和具有比第一电压值高的第二电压值的第二状态，在电极的电位的各周期内的部分期间中施加第一电压值，并以第一状态和第二状态连续的方式施加第二电压值；和执行存储介质的程序的控制部。本发明的目的在于提高被处理体的蚀刻形状的精度。
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公开(公告)号：CN112017937A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010423589.1
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
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公开(公告)号：CN119153303A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411261834.8
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
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公开(公告)号：CN105097498B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510239773.X
申请日：2015-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 提供蚀刻被蚀刻层的方法。课题是降低在被蚀刻层形成的多个开口的宽度的差异。该方法包括：(a)在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使等离子体反应产物沉积的第1工序、和(b)在第1工序之后，对被蚀刻层进行蚀刻的第2工序。掩模层具有粗区域和密区域。在粗区域形成了多个开口。密区域包围粗区域且掩模在该密区域比在粗区域密集地存在。粗区域包含第1区域和第2区域。第2区域为比第1区域接近密区域的区域。在该方法的第1工序中，第1区域中的开口的宽度比第2区域中的开口的宽度变窄。
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