公开(公告)号：CN103031530A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210371168.4

申请日：2012-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  宫原孝广 ,  中岛滋 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN101497993B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910126757.4

申请日：2009-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  小川淳

IPC: C23C16/22 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法和用于形成含硅绝缘膜的装置。在可选择性地供给包含二异丙基氨基硅烷气体的第一处理气体和包含氧化气体或氮化气体的第二处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含硅绝缘膜。为此，重复进行多次交替地包括第一工序和第二工序的循环。第一工序进行第一处理气体的供给，在被处理基板的表面形成含硅吸附层。第二工序进行第二处理气体的供给，氧化或氮化在被处理基板表面上的吸附层。第二工序包括在已利用激励机构将第二处理气体激励的状态下供向处理区域的激励期间。

公开(公告)号：CN101789361A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010106483.5

申请日：2010-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤润 ,  菊地清隆 ,  村上博纪 ,  中岛滋 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及其使用方法。成膜装置的使用方法在反应室内以主清洁处理和后清洁处理这样的顺序进行主清洁处理和后清洁处理。主清洁处理一边对反应室内进行排气、一边将含氟的清洁气体供给到反应室内从而对含硅的成膜副生成物进行蚀刻。后清洁处理为了去除由主清洁处理产生且残留在反应室内的含硅氟化物，交替地反复多次进行以下2个工序：①将氧化气体供给到反应室内而来氧化含硅氟化物从而将其转换成中间生成物的工序、以及②一边对反应室内进行排气、一边将氟化氢气体供给到反应室内来使该氟化氢气体与中间生成物发生反应而去除该中间生成物的工序。

公开(公告)号：CN100390945C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN03802592.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN101165856A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710194483.3

申请日：2007-10-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  藤田武彦 ,  中岛滋 ,  小川淳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  C23C8/10 ,  C23C8/16

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 一种半导体处理用的氧化装置，包括从位于处理容器的处理区域的一侧上的接近被处理基板的气体供给口向处理区域供给氧化性气体和还原性气体的供给系统。气体供给口包括沿着与处理区域相对应的上下方向的整个长度设置的多个气体喷射孔。在处理容器的周围设置加热处理区域的加热器。控制部预先设定为使氧化性气体和还原性气体发生反应而在处理区域内产生氧活性种和氢氧根活性种，使用氧活性种和氢氧根活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。

公开(公告)号：CN101136332A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147862.7

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤田武彦 ,  小川淳 ,  中岛滋 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/316 ,  C23C8/06

CPC classification number: C30B33/005 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的氧化方法，其在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板，从处理区域的一侧将氧化性气体和还原性气体供给至处理区域，从另一侧进行排气。在此，将氧化性气体和还原性气体中的一种或两种活化。由此使氧化性气体和还原性气体反应，在处理区域内产生氧活性种和羟基活性种，使用氧活性种和羟基活性种对被处理基板的表面进行氧化处理。

公开(公告)号：CN1620720A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN03802592.2

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。