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公开(公告)号：CN118659778A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410678514.6
申请日：2024-05-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本公开提供一种环形振荡器及双重反馈环形振荡器，其中，环形振荡器包括：输入级、辅助输入级、正反馈锁存单元以及电流抽取正反馈系统；输入级接地，输入级用于通过NMOS输入输入信号；辅助输入级与第一电源连接，辅助输入级用于通过PMOS输入输入信号；正反馈锁存单元通过交叉耦合与输入级并联连接，正反馈锁存单元与辅助输入级并联连接，正反馈锁存单元用于减少静态电流；电流抽取正反馈系统分别与输入级、辅助输入级以及正反馈锁存单元并联，电流抽取正反馈系统用于加快波形建立。通过本公开，能够降低环形振荡器的功耗和相位噪声，并采用交叉耦合技术，增强输出信号的正交性，引入正反馈逻辑加速振荡波形的建立，提升振荡频率。
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公开(公告)号：CN118567510A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410521576.6
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种非接触式手写可视化面板，包括阵列式湿度传感器、信号处理及转换模块和显示面板，所述信号处理及转换模块分别与所述阵列式湿度传感器和所述显示面板连接，所述阵列式湿度传感器用于检测用户手指近距离非接触所述显示面板动作时产生的信号，并将该信号发送给所述信号处理及转换模块，经所述信号处理及转换模块处理后，在所述显示面板上显示出手指的运动轨迹。在手写时，手指无需接触显示面板，即可达到非接触手写可视化的效果。
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公开(公告)号：CN118483878A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410677043.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 上海大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种极紫外光收集装置和系统，极紫外光收集装置，包括：球面反射镜组，包括多个球面反射镜，所述球面反射镜组中的每个球面反射镜收集一部分极紫外光源射出的极紫外光线；多个反射镜架，所述球面反射镜固定于所述反射镜架上；驱动机构，所述驱动机构驱动所述反射镜架至指定位置和角度，使得每个所述球面反射镜收集的极紫外光线汇聚于同一个像点处。本发明可以在大幅降低收集用光学元件成本的同时，实现较高的极紫外光收集效率。
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公开(公告)号：CN118471351A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310090724.9
申请日：2023-02-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及柔性显示制作领域，公开了一种基于机器学习的柔性显示用PI结构设计方法、设备及存储介质，其中，在基于机器学习的柔性显示用PI结构设计方法中通过文献专利数据分析生成PI材料的PI结构数据，以及运用机器学习算法分析PI结构数据的关键特征，生成对应的PI结构性能模型，并设计可达到预期效果的备选PI结构，利用PI结构性能模型对备选PI结构进行性能筛选，以获得适合用作柔性显示的PI结构分子，提高对柔性显示用PI新材料研发的速度。
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公开(公告)号：CN118280255A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410573842.X
申请日：2024-05-09
Applicant: 上海大学
IPC: G09G3/20
Abstract: 本发明公开一种图像扫描方法、显示器控制系统和显示器，涉及显示器技术领域，该方法包括：采用灰阶抖动算法将一帧灰阶图像划分为四个子帧，每个所述子帧的显示时间为所述一帧灰阶图像的显示时间的四分之一；所述一帧灰阶图像的位宽为8比特，各子帧的位宽为6比特；将每个子帧的显示时间均分为十个子场；基于十个子场为每个子帧的每个比特配置显示时间，并为后传输的3个比特配置消隐时间；在所述消隐时间时，对显示器上像素执行熄灭操作，在前一子帧的消隐时间传输后一子帧的对应比特的图像数据。本发明提高了数据传输效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118203330A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410295014.4
申请日：2024-03-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种有源高密度电极阵列及其制备方法，涉及有源高密度电极阵列领域。该有源高密度电极阵列包括：多个有源电极单元；各有源电极单元均包括一个有源放大电路和一个电极；所有有源电极单元采用矩阵式纵横排布方式组成有源高密度电极阵列；有源高密度电极阵列的行数和列数相同；放大器件、负载器件和偏置器件均为薄膜晶体管；有源放大电路由交直流整合电路与负反馈放大电路连接构成；负反馈放大电路由放大器件、负载器件、偏置器件和负反馈电容连接构成；交直流整合电路由交直流整合电阻与交直流整合电容并联构成。本发明能够降低电极的可穿戴性方面的难度以及提高肌电信号的质量。
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公开(公告)号：CN118116938A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410251117.0
申请日：2024-03-06
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种互补型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及运算放大电路，涉及集成电路设计技术领域，该互补型金属氧化物薄膜晶体管被划分为N型区部分和P型区部分，包括基板、缓冲层、核心层和钝化层，N型区部分的核心层包括N型区底栅电极层、N型区栅绝缘层、N型区有源层、N型区源漏电极层和N型区刻蚀阻挡层；P型区部分的核心层包括P型区有源层、P型区栅绝缘层、P型区源漏电极层和P型区顶栅电极层，从而设计出了一种同时具有N型和P型的互补型金属氧化物薄膜晶体管，相较于N型或P型MO‑TFT，其场效应迁移率和跨导更高，因而能够大大提升MO‑TFT电路的性能。
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公开(公告)号：CN117855258A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410026383.3
申请日：2024-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种p‑GaN增强型鳍式HEMT器件及其制备方法，涉及高电子迁移率晶体管技术领域。所述器件中第一台体和第二台体平行设置，各鳍型单元设置在第一台体和第二台体之间，且均与第一台体和第二台体垂直接触设置，相邻的鳍型单元之间不接触；第一台体和第二台体均包括由下向上依次设置的沟道层和势垒层，第一台体上设置源极，第二台体上设置漏极；各鳍型单元均包括由下向上依次设置的沟道层、势垒层和p‑GaN帽层；栅极设置在p‑GaN帽层的上表面、第一侧面和第二侧面、各鳍型单元的第一侧面和第二侧面；p‑GaN帽层的上表面、第一侧面和第二侧面完全被栅极覆盖。本发明可增强栅极控制能力。
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公开(公告)号：CN117800967A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311809629.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 上海大学
IPC: C07D471/06 , G03F7/027 , G02B5/20 , G02B1/00 , G02F1/1335 , C09B5/62
Abstract: 本发明涉及一种苝二酰亚胺衍生物及其应用，该苝二酰亚胺衍生物的化学结构通式如下：#imgabs0#本发明改善了传统苝二酰亚胺染料的光学性质，提高了染料分子色纯度；解决了热稳定性、耐溶剂性不符合工业生产要求、以及其在彩色光刻胶体系中溶解性、相容性不好的问题，并筛选出性能较好的苝二酰亚胺化合物，作为染料应用于液晶显示器、图像传感器等显示与传感装置滤光片中。
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公开(公告)号：CN117756803A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311779129.2
申请日：2023-12-22
Applicant: 上海大学
IPC: C07D471/06 , C09B57/08 , G02B5/22 , G03F7/004 , G03F7/027
Abstract: 本发明涉及一种萘二酰亚胺衍生物、染料及其应用，该萘二酰亚胺衍生物具有以下通式(I)：#imgabs0#其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6各自独立地表示氢原子或取代基。本发明的光敏树脂组合物包括以下组分及重量份含量：萘二酰亚胺衍生物90‑110份，溶剂230‑270份，多官能基单体90‑110份，碱可溶性树脂90‑110份，光引发剂4‑6份，其他添加剂0.4‑0.6份。与现有技术相比，本发明采用了具有高化学键能的闭环稠环π共轭萘二酰亚胺作为母核结构，因此保证了染料的光化学稳定性。同时，通过在外围修饰分子链段可以抑制发色团之间的聚集从而提高其热稳定性和在溶剂中的溶解性以及与彩色光刻胶其他组分的相容性。
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