公开(公告)号：CN116827337A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310838530.2

申请日：2023-07-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁洁 ,  黄鹏 ,  孟繁钊 ,  段曦晨

IPC: H03L7/089 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明公开一种基于金属氧化物薄膜晶体管的鉴频鉴相器，涉及集成电路设计技术领域。该鉴频鉴相器包括：第一D触发器、第二D触发器、反相器、延时模块及与非门；第一D触发器包括四个依次连接且结构相同的或非门；第二D触发器与第一D触发器的电路结构相同；或非门包括四个MO‑TFT管及第一电容；与非门包括四个MO‑TFT管及第二电容；反相器包括四个MO‑TFT管，由于与非门、或非门及反相器电路中均采用全N型MO‑TFT管，基于MO‑TFT管的自身特点，解决了由于缺乏传统CMOS中的P型MO‑TFT管，导致的难以重构传统CMOS电路系统的问题，且制备工艺简单、制备环境要求低、可实现透明性及可制造于柔性衬底上。

公开(公告)号：CN114895740B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210607753.3

申请日：2022-05-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁洁 ,  段曦晨 ,  黄鹏 ,  孟繁钊

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种双环路无电容数字低压差线性稳压器，涉及稳压器技术领域，该双环路无电容数字低压差线性稳压器包括：电压‑时间转换器、相位极性检测器、瞬态模式检测器、倍频调节控制器、Sigma‑Delta调节控制器、下冲抑制单元、第一PMOS开关阵列和第二PMOS开关阵列。本发明采用双回路控制方式，将Sigma‑Delta调制和倍频技术相结合提高了数字低压差线性稳压器的瞬态响应速度，抑制了输出电压的波纹，从而消除了极限环震荡现象。本发明还去除了负载电容的使用，增加了DLDO电路的集成度。

公开(公告)号：CN118116938A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410251117.0

申请日：2024-03-06

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁洁 ,  孟繁钊 ,  李意 ,  张磊 ,  张建华

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开一种互补型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及运算放大电路，涉及集成电路设计技术领域，该互补型金属氧化物薄膜晶体管被划分为N型区部分和P型区部分，包括基板、缓冲层、核心层和钝化层，N型区部分的核心层包括N型区底栅电极层、N型区栅绝缘层、N型区有源层、N型区源漏电极层和N型区刻蚀阻挡层；P型区部分的核心层包括P型区有源层、P型区栅绝缘层、P型区源漏电极层和P型区顶栅电极层，从而设计出了一种同时具有N型和P型的互补型金属氧化物薄膜晶体管，相较于N型或P型MO‑TFT，其场效应迁移率和跨导更高，因而能够大大提升MO‑TFT电路的性能。

公开(公告)号：CN114895740A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210607753.3

申请日：2022-05-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁洁 ,  段曦晨 ,  黄鹏 ,  孟繁钊

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种双环路无电容数字低压差线性稳压器，涉及稳压器技术领域，该双环路无电容数字低压差线性稳压器包括：电压‑时间转换器、相位极性检测器、瞬态模式检测器、倍频调节控制器、Sigma‑Delta调节控制器、下冲抑制单元、第一PMOS开关阵列和第二PMOS开关阵列。本发明采用双回路控制方式，将Sigma‑Delta调制和倍频技术相结合提高了数字低压差线性稳压器的瞬态响应速度，抑制了输出电压的波纹，从而消除了极限环震荡现象。本发明还去除了负载电容的使用，增加了DLDO电路的集成度。