-
公开(公告)号：CN102386281A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110359607.5
申请日：2011-11-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/纳米晶金刚石薄膜异质结光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明主要特点在于采用高导电率的氢终端纳米金刚石薄膜作为p型层，并在此层上制备高质量的n型ZnO薄膜，从而得到ZnO/纳米晶金刚石异质结光电探测器件。本发明所得器件对350nm的紫外光具有明显的光电响应。相对于一般的ZnO/金刚石探测器，具有更好的pn结光电响应特性。
-
公开(公告)号：CN101882653B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010215802.6
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种基于纳米CdS薄膜窗口层的高效太阳能电池制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该太阳能电池的制备方法是：通过磁控溅射法在导电玻璃上制备高禁带宽度的氧掺杂纳米CdS薄膜(CdS:O薄膜)，在溅射时通入一定比例的氩气和氧气的混合气体，从而得到纳米CdS:O薄膜；薄膜制备后在氩气和氧气的混合气体及氯化镉的蒸汽下高温退火以改善薄膜性能；再在纳米CdS:O薄膜上制备CdTe或CdZnTe薄膜及背电极从而制备出太阳能电池。通过采用CdS:O薄膜制备太阳能电池，有利于提高基于CdS薄膜的太阳能电池的效率。
-
公开(公告)号：CN101323982B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810040638.2
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后在氢气和丙酮气氛中进行金刚石薄膜成核和生长；将沉积好的薄膜在HF和HNO3的混合溶液中对硅片衬底进行腐蚀后即可获得自支撑金刚石薄膜；将薄膜置于射频磁控溅射仪的样品架上，用氮化硼作靶材，在N2和Ar中，调节射频功率至200～250W，偏压为150～250V，衬底温度为150～500℃，溅射后制得高质量立方氮化硼薄膜。本发明的氮化硼薄膜中立方相含量达到90％。
-
公开(公告)号：CN101866860A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010186273.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/812 , H01L29/12
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极，最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。
-
公开(公告)号：CN101325227A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040632.5
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/纳米金刚石薄膜紫外光探测器制备方法，属纳米无机化合物能源材料制造工艺技术领域。该方法是将ZnO薄膜以磁控溅射法沉积在纳米金刚石薄膜上，以高纯ZnO陶瓷靶为溅射靶材，通入氩气，调节流量为40标准毫升/分；调节反应气压为0.3Pa；溅射功率300W；溅射时间1.5小时；采用了剥落光刻技术在高度定向的ZnO薄膜表面实现微米级的叉指电极，制备共面栅ZnO/纳米金刚石薄膜共面栅紫外光探测器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101323982A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040638.2
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后在氢气和丙酮气氛中进行金刚石薄膜成核和生长；将沉积好的薄膜在HF和HNO3的混合溶液中对硅片衬底进行腐蚀后即可获得自支撑金刚石薄膜；将薄膜置于射频磁控溅射仪的样品架上，用氮化硼作靶材，在N2和Ar中，调节射频功率至200～250W，偏压为150～250V，衬底温度为150～500℃，溅射后制得高质量立方氮化硼薄膜。本发明的氮化硼薄膜中立方相含量达到90％。
-
公开(公告)号：CN115799281A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211379432.9
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碲锌镉厚膜像素阵列探测器及其制备方法，还涉及这种具有像素阵列结构的大尺寸碲锌镉厚膜探测器的制备方法。所述探测器采用衬底‑背电极‑半导体‑面电极的叠层结构的组合形式。相较于传统碲锌镉探测器，本方法采用碲锌镉厚膜、像素阵列结构的面电极以及导电氧化物薄膜电极，所制备的探测器尺寸大、具有空间分辨能力且服役性能好。本发明制备的探测器对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
-
公开(公告)号：CN108546995B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810204992.8
申请日：2018-03-13
Applicant: 上海大学
IPC: C30B29/48 , C30B23/02 , C30B23/06 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/10 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯衬底上定向生长碲锌镉薄膜的制备方法，先采用CVD方法在铜箔上制备出单层石墨烯，再以石墨烯为衬底采用近空间升华法制备一层定向碲锌镉薄膜。本发明通过设定衬底和升华源之间距离实现近空间升华制备薄膜的方案，采用石墨烯材料作为衬底结构，与目标CdZnTe薄膜晶格匹配度高，从而实现定向性好的CdZnTe薄膜的制备。本发明旨在石墨烯衬底上采用进空间升华方法制备定向CdZnTe薄膜，实现制成器件时载流子在上下极之间传输损耗低，提高器件载流子传输速度，提高器件传输速度。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。
-
公开(公告)号：CN112522735A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011347355.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 上海大学
IPC: C25B11/069 , C25B11/075 , C25B1/04 , C25B1/55 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/30 , C30B28/12 , C30B29/46 , H01L31/0296
Abstract: 本发明公开了一种具有复合衬底结构的CZT薄膜材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用基片‑复合衬底‑半导体的三明治结构的组合形式。所述复合衬底结构是由氧化锌基薄膜层与金属催化层进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中采用复合衬底结构。与传统生长方式相比，本发明所采用的复合衬底结构技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高，薄膜表面形貌可调控。本发明制备的薄膜材料对于能源、公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域能源获取、安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
-
公开(公告)号：CN110530567A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910811853.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种SOI键合片键合力的检测方法，能够对SOI键合片的键合力进行检测。本发明的测试过程包括待测SOI键合片的制备，超声波扫描显微镜的准备，刀片插入过程，测试过程等四个主要步骤。本发明方法测试过程简单易操作，对测试片损伤较小，得到的图片测试结果易于计算及分析。本发明方法采用超声波扫描显微镜来测量裂纹长度，相对于其他方法操作简便易于实施；本发明方法得到的检测结果更加直观，能得到的是直观的图像和分析，能得到键合面的具体细节特性及缺陷分布，分析与计算更加简便。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.018 seconds)
