公开(公告)号：CN106059518A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610236702.9

申请日：2016-04-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  前原宏昭 ,  金谷康 ,  宫下美代 ,  山本和也

IPC: H03F3/68

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/49175 ,  H03F3/68

Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制不平衡且适于小型化的放大器。具备：多个第1放大元件，它们在封装件中沿输入侧分配电路设置，具有第1栅极焊盘和第1漏极焊盘；多个第2放大元件，它们在该封装件中沿输出侧合成电路设置，具有第2栅极焊盘和第2漏极焊盘；第1输入导线，其将该输入侧分配电路和该第1栅极焊盘连接；第2输入导线，其将该输入侧分配电路和该第2栅极焊盘连接；第1输出导线，其将该第1漏极焊盘和该输出侧合成电路连接；以及第2输出导线，其将该第2漏极焊盘和该输出侧合成电路连接，该多个第1放大元件和该多个第2放大元件设置为交错状，该第1输入导线和该第2输入导线的长度相等，该第1输出导线和该第2输出导线的长度相等。

公开(公告)号：CN101667829A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910159440.0

申请日：2009-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介 ,  后藤清毅 ,  塚原良洋 ,  金谷康

IPC: H03L7/00 ,  H04B1/00

CPC classification number: H03L7/099 ,  H03B5/1847

Abstract: 实现低相位噪声的电压控制振荡器。在具备在包含变容二极管(2)和控制电压端子(3)的可变谐振器的电压控制振荡器中，对该可变谐振器并联连接具有最长也是在高次谐波信号的1/4波长的奇数倍上相加高次谐波信号的1/16波长的长度而最短也是从高次谐波信号的1/4波长的奇数倍中减去高次谐波信号的1/16波长的长度的前端开路短截线(5)。通过该结构，在基波频率中，基波信号向前端开路短截线(5)和变容二极管(2)这两方传播，能实现高的Q值，而在高次谐波频率中，前端开路短截线(5)具有短路负载，高次谐波信号全部向前端开路短截线(5)传播，因此抑制高次谐波信号造成的控制电压(Vt)的变动。

公开(公告)号：CN101641861A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200780052489.5

申请日：2007-11-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木拓也 ,  川上宪司 ,  金谷康 ,  北村洋一

IPC: H03D7/02 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H03D7/02 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H03D9/0633 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能使与芯片端连接的反射电路、分波电路、匹配电路等充分地起作用的半导体芯片。该半导体芯片设于至少形成有一个半导体元件(11)的半导体基板上，具有：布线图案(12、14)，该布线图案(12、14)与半导体元件(11)的各端子分别连接；及电极焊盘(13、15)，该电极焊盘(13、15)与布线图案(12、14)连接，且用于连接形成在不同于半导体基板的其它基板上的信号输入输出电路，其中，该半导体芯片还包括：并联布线图案(16、18)，该并联布线图案(16、18)在半导体元件的至少一个端子端与布线图案(12、14)连接；及电抗电路连接用电极焊盘(17、19)，该电抗电路连接用电极焊盘(17、19)与并联布线图案(16、18)连接，且用于电连接与信号输入输出电路分开形成于其它基板上的电抗电路。

公开(公告)号：CN101540589A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810173373.3

申请日：2008-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤清毅 ,  井上晃 ,  金谷康 ,  渡边伸介

IPC: H03F3/60

CPC classification number: H03F3/604 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H03F2200/237 ,  H03F2200/255 ,  H03F2200/423 ,  H03F2200/429 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及一种能够改善失真特性的高频功率放大器。通过将多个晶体管单元(11)并联电连接从而形成多指型晶体管。多个晶体管单元(11)的栅电极连接到输入侧匹配电路(13)上。在各晶体管单元(11)的栅电极和输入侧匹配电路(13)之间分别连接有谐振电路(17)。谐振电路(17)以晶体管的工作频率的二次谐波频率或者在以二次谐波频率为中心的规定范围内进行谐振，相对于二次谐波成为高阻抗负载或者成为开路负载。

公开(公告)号：CN118120049A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202180103053.4

申请日：2021-10-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 斋藤哲成 ,  辻圣一 ,  南出启信 ,  金谷康 ,  阿部俊一

IPC: H01L23/02

Abstract: 基板(3)设置于金属板(1)之上。在基板(3)的开口部(2)中在金属板(1)之上设置有半导体芯片(4)。设置于基板(3)之上的输入馈通部(8)以及输出馈通部(9)分别通过引线与半导体芯片(4)的输入焊盘(5)以及输出焊盘(6)连接。金属密封圈(12)设置于基板(3)之上，通过贯通孔(15)而与金属板(1)电连接。导电性罩(14)与金属密封圈(12)接合，并覆盖半导体芯片(4)的上方。隔离用金属引线(13)的两端与金属板(1)电连接，且环与导电性罩(14)的下表面接触。隔离用金属引线(13)构成将内部空间分隔成包含输入馈通部(8)的区域和包含输出馈通部(9)的区域的隔离壁。

公开(公告)号：CN110476353B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201780088822.1

申请日：2017-03-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金谷康 ,  山本和也

IPC: H03F1/32

Abstract: 本发明涉及的二极管线性化电路呈在RF信号路径和接地之间相对于RF信号路径经由电容器而并联地装配了线性化电路芯部的结构，因此在使具有不同的增益扩展特性的多个线性化电路芯部选择性地动作时，不需要使用了FET等的开关。并且，在RF信号输入输出端子之间，也不需要用于阻断直流的串联的电容器。因此，能够扩展可通过二极管线性化电路补偿的增益的范围。并且，能够降低二极管线性化电路断开时的RF信号路径的插入损耗，并且能够扩展动作时的增益扩展的范围。另外，不使用开关，或者需要的电容器的元件个数少，因此电路尺寸也小。

公开(公告)号：CN105099375A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510266522.0

申请日：2015-05-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金谷康

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F1/3241 ,  H03F1/3276 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/387 ,  H03F2201/3215

Abstract: 本发明得到一种能够改善可靠性并提高设计自由度的线性化电路。在输入端子(IN)与输出端子(OUT)之间连接有连接点(T1)。在连接点(T1)与接地点之间连接有二极管(D)。在电压端子(T2)与连接点(T1)之间连接有电阻(R)。对电压端子(T2)施加0V的电压。由此，使得二极管(D)的正极电流较低即可，因此在正电极金属中不会发生迁移，能够提高可靠性。并且，由于无须对正极电流值进行限制，所以能够提高线性化电路设计的自由度。

公开(公告)号：CN102456616B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110317588.X

申请日：2011-10-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小坂尚希 ,  金谷康 ,  塚原良洋

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/4821 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供制造能够制造可抑制空气桥的强度下降、抑制半导体元件的特性劣化，而且能够避免隔离材料的残留且被覆面积大的空气桥的空气桥制造方法。该方法是：在抗蚀层(100)上涂布作为第2抗蚀层的抗蚀层(102)。对于抗蚀层(102)，也和第1层(抗蚀层(100))一样，通过进行曝光显影留下规定的尺寸(L2)，其后，涂布第3抗蚀层(抗蚀层(104))。在第3层(抗蚀层(104))也进行曝光显影，留下规定的尺寸(L3)。在形成的抗蚀层(100、102、104)的叠层结构上，叠层形成空气桥(10)的材料的层(106)，以形成空气桥(10)。通过去除抗蚀层，完成截面形状为阶梯状的空气桥(10)的制作。

公开(公告)号：CN102347243B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110213254.8

申请日：2011-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金谷康 ,  塚原良洋 ,  渡边伸介

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/047 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L25/00 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/552 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明得到能改善耐湿性、抑制增益下降、降低外部电磁噪声并可有效切割的半导体装置的制造方法。在主体晶片（1）的主面（1a）形成电路图形（2）和金属膜（3）。形成从主体晶片（1）的主面（1b）贯通主体晶片（1）到达金属膜（3）的贯通孔（17）。在主体晶片（1）的主面（1b）一部分、贯通孔（17）内壁及贯通孔（17）内露出的金属膜（3）上形成金属膜（4）。在盖晶片（7）的主面（7a）形成凹部（8）。在盖晶片（7）的包含凹部（8）的主面（7a）形成金属膜（9）。使凹部（8）与电路图形（2）对置、金属膜（9）与金属膜（3）接触地将盖晶片（7）接合在主体晶片（1）。将接合的主体晶片（1）和盖晶片（7）沿贯通孔（17）切割。

公开(公告)号：CN103794608A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310509744.1

申请日：2013-10-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金谷康

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/93 ,  H03F1/26 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/294

Abstract: 本发明得到一种能够在不增加制造成本情况下将横型晶体管和纵型二极管集成在一个基板上的单片集成电路。基板（1）具有二极管区域和晶体管区域。在二极管区域和晶体管区域，在基板（1）上依次设置有n-型GaN肖特基层（3）以及n+型GaN欧姆层（4）。AlGaN电子供给层（6）以及GaN电子行进层不设置在二极管区域，在晶体管区域设置在n+型GaN欧姆层（4）上。在二极管区域设置有与n-型GaN肖特基层（3）连接的阳极电极（12）和与n+型GaN欧姆层（4）连接的阴极电极（10）。在AlGaN电子供给层（6）上设置有源极电极（7）、栅极电极（8）以及漏极电极（9）。