高频半导体封装
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118120049A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202180103053.4

    申请日:2021-10-13

    Abstract: 基板(3)设置于金属板(1)之上。在基板(3)的开口部(2)中在金属板(1)之上设置有半导体芯片(4)。设置于基板(3)之上的输入馈通部(8)以及输出馈通部(9)分别通过引线与半导体芯片(4)的输入焊盘(5)以及输出焊盘(6)连接。金属密封圈(12)设置于基板(3)之上,通过贯通孔(15)而与金属板(1)电连接。导电性罩(14)与金属密封圈(12)接合,并覆盖半导体芯片(4)的上方。隔离用金属引线(13)的两端与金属板(1)电连接,且环与导电性罩(14)的下表面接触。隔离用金属引线(13)构成将内部空间分隔成包含输入馈通部(8)的区域和包含输出馈通部(9)的区域的隔离壁。

Patent Agency Ranking