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公开(公告)号：CN1531194A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028735.1
申请日：2004-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/60 , H01L23/50 , H01L23/525 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6644 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H03F1/565 , H03F3/602 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的课题是，提供一种不受接地用导线的离散性影响、实现了小型－轻量化及低成本化的半导体装置，该半导体装置配备平衡型匹配电路。放大用半导体芯片(FET4)被连接在输入匹配电路(12)与输出匹配电路(15)之间，各匹配电路被设置在配备了从输入信号产生的信号的相位相差180度的平衡型电路的IPD上，将能够连接两匹配电路的虚拟接地点(VE)用作对RF特性敏感的接地点。
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公开(公告)号：CN101667829B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200910159440.0
申请日：2009-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03L7/099 , H03B5/1847
Abstract: 实现低相位噪声的电压控制振荡器。在具备在包含变容二极管(2)和控制电压端子(3)的可变谐振器的电压控制振荡器中，对该可变谐振器并联连接具有最长也是在高次谐波信号的1/4波长的奇数倍上相加高次谐波信号的1/16波长的长度而最短也是从高次谐波信号的1/4波长的奇数倍中减去高次谐波信号的1/16波长的长度的前端开路短截线(5)。通过该结构，在基波频率中，基波信号向前端开路短截线(5)和变容二极管(2)这两方传播，能实现高的Q值，而在高次谐波频率中，前端开路短截线(5)具有短路负载，高次谐波信号全部向前端开路短截线(5)传播，因此抑制高次谐波信号造成的控制电压(Vt)的变动。
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公开(公告)号：CN101170300B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710109913.7
申请日：2007-06-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/604 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03F2203/21103 , H03F2203/21139 , H03F2203/21178
Abstract: 本发明提供一种输出效率高并且在宽的频带内具有良好的失真特性的高频功率放大器。其具备：FET元件(12)，具有多个单位FET(30)，该单位FET(30)用多指形的晶体管形成，并具有输入信号的栅极焊盘(30a)、接地的源极焊盘(30b)和输出信号的漏极焊盘(30c)；以及高频处理电路(14)，配设有多个旁路连接在单位FET(30)的栅极焊盘(30a)与接地端之间的串联谐振电路(32)，其中，串联谐振电路(32)中的二个具有：作为在FET元件(12)的工作频带内所包含的频率的二次及其以上的高次谐波的、互不相同的谐振频率。
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公开(公告)号：CN101667829A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910159440.0
申请日：2009-06-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03L7/099 , H03B5/1847
Abstract: 实现低相位噪声的电压控制振荡器。在具备在包含变容二极管(2)和控制电压端子(3)的可变谐振器的电压控制振荡器中，对该可变谐振器并联连接具有最长也是在高次谐波信号的1/4波长的奇数倍上相加高次谐波信号的1/16波长的长度而最短也是从高次谐波信号的1/4波长的奇数倍中减去高次谐波信号的1/16波长的长度的前端开路短截线(5)。通过该结构，在基波频率中，基波信号向前端开路短截线(5)和变容二极管(2)这两方传播，能实现高的Q值，而在高次谐波频率中，前端开路短截线(5)具有短路负载，高次谐波信号全部向前端开路短截线(5)传播，因此抑制高次谐波信号造成的控制电压(Vt)的变动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101540589A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810173373.3
申请日：2008-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/60
CPC classification number: H03F3/604 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/19041 , H01L2924/19051 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F2200/237 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2200/429 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及一种能够改善失真特性的高频功率放大器。通过将多个晶体管单元(11)并联电连接从而形成多指型晶体管。多个晶体管单元(11)的栅电极连接到输入侧匹配电路(13)上。在各晶体管单元(11)的栅电极和输入侧匹配电路(13)之间分别连接有谐振电路(17)。谐振电路(17)以晶体管的工作频率的二次谐波频率或者在以二次谐波频率为中心的规定范围内进行谐振，相对于二次谐波成为高阻抗负载或者成为开路负载。
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公开(公告)号：CN101170300A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710109913.7
申请日：2007-06-11
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/604 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03F2203/21103 , H03F2203/21139 , H03F2203/21178
Abstract: 本发明提供一种输出效率高并且在宽的频带内具有良好的失真特性的高频功率放大器。其具备：FET元件(12)，具有多个单位FET(30)，该单位FET(30)用多指形的晶体管形成，并具有输入信号的栅极焊盘(30a)、接地的源极焊盘(30b)和输出信号的漏极焊盘(30c)；以及高频处理电路(14)，配设有多个旁路连接在单位FET(30)的栅极焊盘(30a)与接地端之间的串联谐振电路(32)，其中，串联谐振电路(32)中的二个具有：作为在FET元件(12)的工作频带内所包含的频率的二次及其以上的高次谐波的、互不相同的谐振频率。
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公开(公告)号：CN101540589B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810173373.3
申请日：2008-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/60
CPC classification number: H03F3/604 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/19041 , H01L2924/19051 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F2200/237 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2200/429 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及一种能够改善失真特性的高频功率放大器。通过将多个晶体管单元(11)并联电连接从而形成多指型晶体管。多个晶体管单元(11)的栅电极连接到输入侧匹配电路(13)上。在各晶体管单元(11)的栅电极和输入侧匹配电路(13)之间分别连接有谐振电路(17)。谐振电路(17)以晶体管的工作频率的二次谐波频率或者在以二次谐波频率为中心的规定范围内进行谐振，相对于二次谐波成为高阻抗负载或者成为开路负载。
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公开(公告)号：CN101674053A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910147026.8
申请日：2009-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/226 , H03F1/0261 , H03F3/1935 , H03F2200/18 , H03F2200/27 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2200/541
Abstract: 本发明提供栅地-阴地放大器电路，其能够实现在毫米波段能够稳定地工作且高增益或高输出的毫米波器件。该栅地-阴地放大器电路栅地阴地连接有两个晶体管，并且具备：源极被接地的HEMT(1)；源极与HEMT(1)的漏极连接的HEMT(2)；与HEMT(2)的栅极连接，并抑制反射增益的反射增益抑制电阻(3)；和连接于反射增益抑制电阻(3)的与HEMT(2)相反的一侧，并将规定频率附近的高频信号短路的开路短截线(4)。
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公开(公告)号：CN1287514C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200410028735.1
申请日：2004-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/60 , H01L23/50 , H01L23/525 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6644 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H03F1/565 , H03F3/602 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的课题是，提供一种不受接地用导线的离散性影响、实现了小型-轻量化及低成本化的半导体装置，该半导体装置配备平衡型匹配电路。放大用半导体芯片(FET4)被连接在输入匹配电路(12)与输出匹配电路(15)之间，各匹配电路被设置在配备了从输入信号产生的信号的相位相差180度的平衡型电路的IPD上，将能够连接两匹配电路的虚拟接地点(VE)用作对RF特性敏感的接地点。
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