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公开(公告)号：CN116891748A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350734.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/3213
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、由式1‑7表示的化合物、由式1‑8表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑8中，CY1、X1至X6、T1、T1a、R2、Z1和a1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN108109941A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711191153.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种清洗组合物包括表面活性剂、去离子(DI)水和有机溶剂。表面活性剂具有从约0.03M到约0.003M的浓度。一种清洗装置包括接收基板的卡盘、用于将清洗组合物提供到基板上的喷嘴。该清洗装置还包括将清洗组合物供应到喷嘴的化学溶液供应单元。该化学溶液供应单元混合清洗组合物以产生清洗颗粒。清洗组合物包括表面活性剂、去离子(DI)水和有机溶剂。表面活性剂具有从约0.03M到约0.003M的浓度。一种制造半导体器件的方法包括处理基板、形成层间绝缘层、抛光层间绝缘层、以及将清洗组合物提供到层间绝缘层上以去除第一颗粒。
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公开(公告)号：CN107301946A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710243397.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/20 , B24B53/017 , H01L21/02057 , H01L21/02065 , H01L21/02074 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/67219 , H01L21/67023
Abstract: 提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括：第一清洁单元，包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴，第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体；以及第二清洁单元，包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴，第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。
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公开(公告)号：CN101728329B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN200910206176.1
申请日：2009-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/43
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/82345 , H01L21/823462 , H01L21/823857
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。
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公开(公告)号：CN101643648A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910164078.6
申请日：2009-08-10
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1855446A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077306.2
申请日：2006-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11543
Abstract: 提供一种具有U－形浮栅的快闪存储器的制造方法。该方法包括形成被间隙隔开的相邻隔离层以及在该间隙中形成隧道氧化物层。在隧道氧化物层上形成导电层至不填充间隙的厚度之后，在导电层上形成抛光牺牲层。隔离层上的牺牲层和导电层被除去，由此形成在间隙中自对准的U－形浮栅，以及同时在浮栅内部内形成牺牲层图形。然后凹陷选择的隔离层，以露出浮栅的侧壁。然后从浮栅除去牺牲层图形，以露出浮栅的上表面。
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公开(公告)号：CN110277314B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910127992.7
申请日：2019-02-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 易案爱富科技有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , C23C14/48
Abstract: 提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R‑Si(R1)n(OR2)3‑n的硅烷化合物，其中，R是(C3‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C3‑C20)烷基或(C3‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R1是氢、羟基、卤素、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R2是氢、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基。
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公开(公告)号：CN116891747A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350701.7
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/3213 , C09K13/06
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑6中，Ar1、X1至X3、Y1、T1、T1a、R2、Z1、a1和A1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN107170700B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710514602.2
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。
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