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公开(公告)号：CN119698639A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380059479.3
申请日：2023-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于服务器提供个性化空间图的方法可包括以下步骤：获取预先生成并包括表示关于空间的空间信息的第一图特征的第一空间图；获取基于空间测量的传感器数据生成的第二空间图，其中，第二空间图包括第二图特征；从第一图特征和第二图特征中选择用于图对齐的图特征；基于选择的图特征将第一空间图和第二空间图对齐；识别空间中的在第一空间图与第二空间图之间存在差异的局部区域；以及通过基于第二图特征确定关于局部区域的空间信息来生成个性化空间图。
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公开(公告)号：CN117790520A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311238056.6
申请日：2023-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括传感器基板、在传感器基板上的间隔物层、以及在间隔物层上并配置为基于光的波长分离光的颜色分离透镜阵列，其中颜色分离透镜阵列包括：第一透镜层，包括多个第一纳米柱和在所述多个第一纳米柱周围的第一周边材料层；化学机械抛光(CMP)停止层，在第一周边材料层上；蚀刻停止层，在CMP停止层的上表面上并直接在所述多个第一纳米柱中的每个第一纳米柱的上表面上；以及在蚀刻停止层上的第二透镜层，第二透镜层包括多个第二纳米柱和在所述多个第二纳米柱周围的第二周边材料层。
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公开(公告)号：CN119923000A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202410925959.X
申请日：2024-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了图像传感器和包括该图像传感器的电子系统。图像传感器包括单位像素、传感器阵列区域和电容器区域，单位像素分别包括位于具有前侧表面和后侧表面的基底中的光电二极管，传感器阵列区域包括被构造为将单位像素彼此隔离并垂直穿透基底的至少一个隔离结构，电容器区域在与基底的后侧表面平行的水平方向上与传感器阵列区域邻近地布置，并且包括在基底的前侧表面上的至少一个电容器和与所述至少一个电容器邻近以垂直穿透基底的至少一个虚设隔离结构，其中，所述至少一个隔离结构和所述至少一个虚设隔离结构中的每个的一个端表面与基底的后侧表面共面，并且所述至少一个隔离结构和所述至少一个虚设隔离结构包括相同的材料。
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公开(公告)号：CN119173918A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380034944.8
申请日：2023-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06V30/148 , G06V30/146 , G06V10/24 , G06V20/64 , G06N20/00
Abstract: 一种方法包括：获得包括具有非平坦形状的表面的对象的第一图像；通过将所述第一图像应用于第一人工智能模型，将与所述表面对应的区域识别为感兴趣区域；通过将所述第一图像应用于第二AI模型来获得关于所述对象的三维(3D)形状类型的数据；基于所述区域和所述数据获得与所述对象、所述表面或所述第一相机相关的3D参数的值的集合；基于所述3D参数的所述值的集合来估计所述表面的所述非平坦形状；以及通过对所述表面执行透视变换来获得其中所述表面的非平坦形状被平坦化的平坦表面图像。
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公开(公告)号：CN107925566B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201680044258.9
申请日：2016-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开的是一种由第一设备执行与第二设备的短距离无线通信的方法，其中从所述第二设备接收已经使用所述第一设备的第一认证信息加密了的第二认证信息；使用所述第一认证信息来对加密的第二认证信息进行解密；基于经解密的第二认证信息来确定秘密密钥；以及通过使用所确定的秘密密钥来建立所述第一设备与所述第二设备之间的通信。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110571230A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910148452.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。
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公开(公告)号：CN101651115B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200910163305.3
申请日：2009-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L27/115
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C5/06 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L27/0207 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L27/11548 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575
Abstract: 本发明提供了形成半导体器件中精细图案的方法。形成半导体器件的方法可以通过采用自对准反转构图来同时形成多个掩模图案而提供，该多个掩模图案包括具有不同宽度的各自的掩模图案元件。
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公开(公告)号：CN101764122A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910266337.6
申请日：2009-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/482 , H01L27/115 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/32139 , H01L23/522 , H01L27/0207 , H01L27/11519 , H01L27/11531 , H01L27/11548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种具有窄导线图案的半导体装置及其形成方法，其中使用双图案化，多个图案同时形成为具有不同宽度且某些区域的图案密度增加。该半导体装置包括多条导线，每条导线包括第一线部分和第二线部分，其中第一线部分沿第一方向在基板上延伸，第二线部分从所述第一线部分的一端沿第二方向延伸，并且第一方向与第二方向不同；多个接触垫，每个接触垫经由相应导线的第二线部分与多条导线中的相应导线相连；以及多条虚设导线，每条虚设导线包括第一虚设部分，该第一虚设部分沿第二方向从多个接触垫的相应接触垫平行于相应第二线部分延伸。
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公开(公告)号：CN119948537A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380061053.1
申请日：2023-10-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06T7/11 , G06T3/40 , G06T5/50 , G01J1/02 , A47L9/28
Abstract: 提供了一种用于使用空间信息来训练对象识别模型的方法。该方法包括以下步骤：获得包括与空间中的多个点对应的照度信息的空间信息，从空间信息获得与多个点中的至少一个点对应的照度信息，通过使用获得的照度信息和捕获的至少一个点的图像来获得训练数据，以及使用训练数据来训练用于对象识别的神经网络模型。
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公开(公告)号：CN118946218A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410580791.3
申请日：2024-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/16 , H10K59/10
Abstract: 提供电致发光器件、其制造方法、和包括其的电子设备。制造所述电致发光器件的方法包括在第一电极上设置包括半导体纳米颗粒的发光层；将包括含有第一金属的锌氧化物纳米颗粒的组合物沉积到所述发光层上以提供电子传输层；和在所述电子传输层上设置第二电极以提供所述电致发光器件。所述第一金属包括碱土金属、锆、钨、钛、钇、铝、镓、铟、锡、钴、钒、或其组合。所述锌氧化物纳米颗粒具有1纳米或更大且50纳米或更小的颗粒尺寸。所述锌氧化物纳米颗粒的制备包括使第一金属前体、锌前体、碱、和金属碳酸盐在有机溶剂中接触以形成所述锌氧化物纳米颗粒。
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