公开(公告)号：CN110277314B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910127992.7

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  易案爱富科技有限公司

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  金东铉 ,  金学秀 ,  吴政宰 ,  李明护

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  C23C14/48

Abstract: 提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R‑Si(R1)n(OR2)3‑n的硅烷化合物，其中，R是(C3‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C3‑C20)烷基或(C3‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R1是氢、羟基、卤素、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R2是氢、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基。

公开(公告)号：CN110277314A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910127992.7

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  易案爱富科技有限公司

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  金东铉 ,  金学秀 ,  吴政宰 ,  李明护

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  C23C14/48

Abstract: 提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R-Si(R1)n(OR2)3-n的硅烷化合物，其中，R是(C3-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C3-C20)烷基或(C3-C20)烷基(C6-C12)芳基，R1是氢、羟基、卤素、(C1-C20)烷基、卤代(C1-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C1-C20)烷基或(C1-C20)烷基(C6-C12)芳基，R2是氢、(C1-C20)烷基、卤代(C1-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C1-C20)烷基或(C1-C20)烷基(C6-C12)芳基。

公开(公告)号：CN110872516B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201910835738.2

申请日：2019-09-03

Applicant: 易案爱富科技有限公司

Inventor： 金东铉 ,  朴贤宇 ,  曹长佑 ,  金泰镐 ,  李明护 ,  宋明根

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及氮化硅膜蚀刻组合物，更具体地，涉及通过将聚硅化合物包含在蚀刻组合物中，从而相对于氧化硅膜能够以高选择比蚀刻氮化硅膜的氮化硅膜用蚀刻组合物、利用其的氮化硅膜的蚀刻方法及半导体元件的制造方法。

公开(公告)号：CN110872516A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910835738.2

申请日：2019-09-03

Applicant: 易案爱富科技有限公司

Inventor： 金东铉 ,  朴贤宇 ,  曹长佑 ,  金泰镐 ,  李明护 ,  宋明根

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及氮化硅膜蚀刻组合物，更具体地，涉及通过将聚硅化合物包含在蚀刻组合物中，从而相对于氧化硅膜能够以高选择比蚀刻氮化硅膜的氮化硅膜用蚀刻组合物、利用其的氮化硅膜的蚀刻方法及半导体元件的制造方法。