公开(公告)号：CN113302256A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201980087413.9

申请日：2019-12-27

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 文元均 ,  金宰贤 ,  申圭淳 ,  朴钟大 ,  李敏键 ,  陈成勋 ,  李玖和 ,  赵京淑 ,  柳在鸿

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/04

Abstract: 本发明提供一种可以通过对研磨粒子的表面进行改性而具有高研磨速度、缺陷或划痕较少的优秀研磨品质的化学‑机械研磨粒子以及包含所述研磨粒子的研磨浆料组合物。

公开(公告)号：CN103988128A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280046335.6

申请日：2012-09-21

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李正烈 ,  张有珍 ,  李载禹 ,  金宰贤

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/16

CPC classification number: G03F7/0388 ,  G03F7/022 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明公开了一种在200～250℃高温下具有良好热稳定性的I线光刻胶组合物以及利用该组合物形成精细图案的方法，通过该组合物可以形成使用酸扩散层的精细光刻胶图案。该I线光刻胶组合物包括：含有1～99mol%的重复单元的聚合物，重复单元选自由1～99mol%的说明书中化学式1代表的重复单元、化学式2代表的重复单元、化学式3代表的重复单元及其混合物构成的组;含有至少两个重氮萘醌(DNQ)基团的光敏化合物；以及有机溶剂。在化学式2和3中，R*和R**分别是H或甲基，R1是H或具有3～15个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子，R2是具有1～30个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子。

公开(公告)号：CN103843112A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280047901.5

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李正烈 ,  张有珍 ,  李载禹 ,  金宰贤

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明公开一种无需大量曝光和硬化引导图案就能形成20纳米级线宽的图案的用于形成半导体器件精细图案的方法。方法包括以下步骤：（a）在形成有有机防反射涂层的晶片上形成光致抗蚀剂层；（b）曝光光致抗蚀剂层并通过负色性显影溶液显影光致抗蚀剂层以形成引导图案；（c）在形成有引导图案的晶片上形成中立层；（d）显影引导图案以移除引导图案并形成具有由移除引导图案造成的开口部的中立层图案；（e）在形成有中立层图案的衬底上涂覆定向自组装（DSA）材料的嵌段共聚物（BCP），在超过玻璃化转变温度（Tg）的温度下加热衬底以形成定向自组装图案；以及（f）在定向自组装图案中通过使用氧等离子体选择性蚀刻具有相对低蚀刻电阻率（或高蚀刻率）的部分以形成精细图案。

公开(公告)号：CN103221437A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055444.X

申请日：2011-10-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 韩万浩 ,  朴钟庆 ,  金炫辰 ,  金宰贤

IPC: C08F20/10 ,  C08F22/06 ,  C08F12/14 ,  C08L33/04 ,  G03F7/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F22/06 ,  C08F32/00 ,  C08L45/00 ,  C09D133/10 ,  C09D135/00 ,  C09D145/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明提供高分子化合物及包含其的用于液浸曝光工艺的抗蚀剂保护膜组合物。

公开(公告)号：CN1931858B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200510102771.2

申请日：2005-09-15

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李载禹 ,  李正烈 ,  金德倍 ,  金宰贤 ,  孙银卿

IPC: C07D407/08 ,  C08G4/00 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了具有螺环缩酮基团的光刻胶聚合物，以及包括所述聚合物的光刻胶组合物。由于所述螺环缩酮基团脱保护反应的活化能较低，因此所述光刻胶聚合物和光刻胶组合物可以提高分辨率和制程范围；并且由于其PEB(曝光后烘焙)温度敏感性较低，可产生精细的光刻胶图案。

公开(公告)号：CN1828414B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610058604.7

申请日：2006-03-02

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金相廷 ,  金德倍 ,  金宰贤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明公开了用于形成有机抗反射涂层的聚合物以及包含该聚合物的组合物，其中该有机抗反射涂层位于蚀刻层和光刻胶层之间，并且在光刻过程中吸收照射光。该用于形成有机抗反射涂层的聚合物具有如式1和通式2所示的重复单元，其中R1为取代的或未取代的C1-C5烷基。

公开(公告)号：CN1828415B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200610058605.1

申请日：2006-03-02

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金相廷 ,  金德倍 ,  金宰贤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明公开了用于形成有机抗反射涂层的聚合物以及包含该聚合物的组合物，其中该有机抗反射涂层位于蚀刻层和光刻胶层之间，并且在光刻过程中吸收照射光。该用于形成有机抗反射涂层的聚合物具有如式1和通式2所示的重复单元，其中R为取代的或未取代的C1-C5烷基。式1 通式2

公开(公告)号：CN1828414A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610058604.7

申请日：2006-03-02

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金相廷 ,  金德倍 ,  金宰贤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明公开了用于形成有机抗反射涂层的聚合物以及包含该聚合物的组合物，其中该有机抗反射涂层位于蚀刻层和光刻胶层之间，并且在光刻过程中吸收照射光。该用于形成有机抗反射涂层的聚合物具有如式1和通式2所示的重复单元，其中R1为取代的或未取代的C1－C5烷基。

公开(公告)号：CN1827659A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610058606.6

申请日：2006-03-02

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金相廷 ,  金德倍 ,  金宰贤

IPC: C08F20/26 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明公开了用于形成有机抗反射涂层的聚合物以及包含该聚合物的组合物，其中该有机抗反射涂层位于蚀刻层和光刻胶层之间，并且在光刻过程中吸收照射光。该用于形成有机抗反射涂层的聚合物具有如式1和通式2所示的重复单元，其中R为取代的或未取代的C1－C5烷基。

公开(公告)号：CN118488941A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202180104893.2

申请日：2021-12-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金宰贤 ,  许明铉 ,  金贞植 ,  俞敏子 ,  李衡根

IPC: C07C311/06 ,  C07C311/14 ,  C07C311/17 ,  C07C321/28 ,  C07C323/22 ,  C07C323/66 ,  C07C25/18 ,  C07D319/20 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种盐化合物、含该盐化合物的酸扩散抑制剂以及光致抗蚀剂组成物，该盐化合物包含具有由化学式1表示的特定结构阴离子和由化学式2表示的阳离子。