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公开(公告)号：CN114628327A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111466399.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置包括栅极堆叠体，该栅极堆叠体包括栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅电极。栅极绝缘层包括第一介电层和在第一介电层上的第二介电层，第二介电层的介电常数大于第一介电层的介电常数。该半导体装置还包括在栅极堆叠体的侧表面上的第一间隔件，以及在第一间隔件上的第二间隔件，其中第二间隔件包括从低于第一间隔件的下表面的水平朝向第一介电层延伸的突出部分，并且第二间隔件的介电常数大于第一介电层的介电常数并且小于第一间隔件的介电常数。
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公开(公告)号：CN112420644A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010316950.0
申请日：2020-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体芯片，该半导体芯片包括：器件层，位于基底上，器件层包括多个半导体器件；布线结构和下布线间介电层，均位于器件层上，下布线间介电层围绕布线结构并且具有比氧化硅的介电常数低的介电常数；上布线间介电层，布置在下布线间介电层上；隔离凹陷，沿着基底的边缘布置，隔离凹陷形成在下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面上，并且具有处于等于或低于下布线间介电层的底表面的水平的水平的底表面；以及覆盖介电层，覆盖下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面以及隔离凹陷的底表面。
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公开(公告)号：CN110911372A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910874908.8
申请日：2019-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括芯片区域和芯片区域周围的边缘区域；半导体衬底上的下绝缘层；芯片区域上的下绝缘层上的芯片焊盘；设置在下绝缘层上以覆盖芯片焊盘的上绝缘层，上绝缘层和所述下绝缘层包括不同的材料；以及，在芯片区域上并连接到芯片焊盘的再分布芯片焊盘。上绝缘层包括在芯片区域上具有第一厚度的第一部分，在边缘区域上具有第二厚度的第二部分，以及在边缘区域上的第三部分，第三部分从第二部分延伸、与第一部分间隔开，并且具有远离第二部分而减小的厚度。第二厚度小于第一厚度。
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公开(公告)号：CN109755214A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810832739.7
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 一种半导体器件包括：具有芯片区域和边缘区域的半导体基板；在半导体基板上的下电介质层；在芯片区域的下电介质层上的芯片焊盘；在下电介质层上的上电介质层，上电介质层包括暴露芯片区域上的芯片焊盘的第一开口和暴露边缘区域上的下电介质层的第二开口；以及连接到芯片焊盘的再分布焊盘。再分布焊盘包括在第一开口中的通路部分和从通路部分延伸到上电介质层上的焊盘部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115881714A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211174269.2
申请日：2022-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：设置在基板上的外围字线；下电介质图案，覆盖外围字线并且包括覆盖外围字线的侧表面的第一部分和覆盖外围字线的顶表面的第二部分；接触插塞，在外围字线的一侧并穿透第一部分和第二部分；以及填充图案，与下电介质图案的第二部分接触并穿透第二部分的至少一部分。接触插塞包括设置在下电介质图案的顶表面上的接触焊盘以及穿透第一部分和第二部分的贯穿插塞。填充图案围绕接触焊盘的侧表面。第一部分和第二部分包括相同的材料。
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公开(公告)号：CN114944364A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202111197901.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括半导体衬底、裂纹阻挡层和裂纹阻挡部分。所述半导体衬底可以包括多个芯片区域和被构造为围绕所述多个芯片区域中的每个芯片区域的划线道区域。沟槽可以由所述半导体器件的一个或更多个内表面限定，以形成在所述划线道区域中。所述裂纹阻挡层可以位于所述沟槽的内表面上。所述裂纹阻挡层可以被构造为阻挡在沿着所述划线道区域切割所述半导体衬底期间在所述划线道区域中产生的裂纹扩展到任何所述芯片区域中。所述裂纹阻挡部分可以至少部分地填充所述沟槽，并可以被构造为阻挡所述裂纹从所述划线道区域扩展到任何所述芯片区域中。
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公开(公告)号：CN114284233A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110766111.3
申请日：2021-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 公开了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件包括：衬底；覆盖衬底的上表面的层间绝缘层；在层间绝缘层中的单独的器件；覆盖衬底的下表面的下绝缘层；延伸穿过衬底、层间绝缘层和下绝缘层的贯通硅通路(TSV)结构；连接到TSV结构的上端的导电垫；围绕TSV结构的通路绝缘层；在通路绝缘层内侧围绕TSV结构的盖绝缘层。通路绝缘层和盖绝缘层在其间具有气隙。气隙的一部分延伸到下绝缘层中。
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公开(公告)号：CN109698133A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811205075.8
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 提供了一种包括钝化间隔物的半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括提供衬底以及在所述衬底上形成层间绝缘层。所述方法包括在所述层间绝缘层中形成初步通孔。所述方法包括在所述初步通孔的内侧表面上形成钝化间隔物。所述方法包括使用所述钝化间隔物作为蚀刻掩模来形成通孔。所述方法包括在所述通孔中形成导电通路。所述钝化间隔物包括与包含在所述层间绝缘层中的绝缘材料不同的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN107689348A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710607147.0
申请日：2017-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/585 , H01L2924/3512
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一绝缘层、数据存储元件、接触插塞和第一虚设坝。第一绝缘层在衬底上并包括焊盘区和与焊盘区相邻的外围区。数据存储元件在第一绝缘层的焊盘区上。接触插塞穿透外围区上的第一绝缘层。第一虚设坝穿透第一绝缘层并设置在数据存储元件与接触插塞之间。
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