公开(公告)号：CN109755214A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810832739.7

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩正勋 ,  金成珍 ,  卢晙镛 ,  林宪俊

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体器件包括：具有芯片区域和边缘区域的半导体基板；在半导体基板上的下电介质层；在芯片区域的下电介质层上的芯片焊盘；在下电介质层上的上电介质层，上电介质层包括暴露芯片区域上的芯片焊盘的第一开口和暴露边缘区域上的下电介质层的第二开口；以及连接到芯片焊盘的再分布焊盘。再分布焊盘包括在第一开口中的通路部分和从通路部分延伸到上电介质层上的焊盘部分。

公开(公告)号：CN109755214B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201810832739.7

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩正勋 ,  金成珍 ,  卢晙镛 ,  林宪俊

IPC: H01L23/498