公开(公告)号：CN119890176A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202410942798.5

申请日：2024-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周益 ,  李娜罗 ,  李钟旼

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了半导体芯片和半导体封装。半导体芯片包括：基板；堆叠在基板上的第一层间绝缘层、多孔绝缘层和第二层间绝缘层；下焊盘，在第二层间绝缘层上并且在垂直方向上具有第一厚度；第三层间绝缘层和第四层间绝缘层，堆叠在下焊盘和第二层间绝缘层上；上焊盘，在第四层间绝缘层上并且在垂直方向上具有大于第一厚度的第二厚度；以及通路结构，在第四层间绝缘层和第三层间绝缘层中并且电连接下焊盘和上焊盘。每个通路结构包括在第三层间绝缘层中的第一通路和在第四层间绝缘层中并在垂直方向上与第一通路重叠的第二通路。

公开(公告)号：CN110690192A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910603873.4

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周益 ,  金东完 ,  申硕浩 ,  韩正勳 ,  朴商五

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括半导体基底和位于半导体基底上的连接基体柱。绝缘层可以位于半导体基底上，绝缘层可以包括位于绝缘层中的开口，连接基体柱穿过开口延伸，其中，绝缘层的限定开口的侧壁包括位于比连接基体柱的最上部分低的水平处的水平台阶。

公开(公告)号：CN115810579A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210920766.6

申请日：2022-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  李钟旼 ,  李瑌真 ,  李全一 ,  李周益 ,  崔慜贞

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 公开半导体装置。所述半导体装置包括：基底；蚀刻停止层，在基底上；贯穿孔电极，与基底的上表面基本垂直的垂直方向上延伸穿过基底和蚀刻停止层；以及导电垫。蚀刻停止层包括与基底邻近的第一表面和与第一表面背对的第二表面。贯穿孔电极包括从蚀刻停止层的第二表面突起的突起部分。导电垫覆盖贯穿孔电极的突起部分。贯穿孔电极的突起部分是不平坦的。

公开(公告)号：CN115692347A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210836054.6

申请日：2022-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周益 ,  李钟旼 ,  崔智旻 ,  李瑌真 ,  李全一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括彼此背对的第一侧和第二侧；第一穿透结构，穿透基底；以及第二穿透结构，穿透基底，第二穿透结构与第一穿透结构间隔开，并且当从基底的第一侧观察时，第一穿透结构的面积大于第二穿透结构的面积的两倍。

公开(公告)号：CN112750802B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202010872766.4

申请日：2020-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩荣 ,  李周益 ,  韩正勋

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 公开的实施例包括一种半导体芯片和一种包括该半导体芯片的半导体封装件。所述半导体芯片包括半导体基底和保护绝缘层，半导体基底具有顶表面，顶部连接垫设置在顶表面中，保护绝缘层中包括开口，保护绝缘层在半导体基底上不覆盖顶部连接垫的至少一部分。保护绝缘层可以包括：底部保护绝缘层；覆盖绝缘层，包括覆盖底部保护绝缘层的侧表面的至少一部分的侧覆盖部分和与侧覆盖部分分开设置以覆盖底部保护绝缘层的顶表面的至少一部分的顶覆盖部分。保护绝缘层还可以包括位于顶覆盖部分上的顶部保护绝缘层。

公开(公告)号：CN107887364B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201710858966.2

申请日：2017-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申树浩 ,  李周益 ,  李俊镐 ,  李基硕 ,  金光敏 ,  文一荣 ,  朴济民 ,  徐范锡 ,  尹灿植 ,  李昊仁

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种具有对准键的半导体装置及其制造方法。对准键在基底上，该对准键包括：第一子对准键图案，具有顺序地堆叠在基底上的第一导电图案、第二导电图案和覆盖介电图案；对准键沟槽，穿过第一子对准键图案的至少一部分；以及下导电图案，在对准键沟槽中。对准键沟槽包括：上沟槽，设置在覆盖介电图案中且具有第一宽度；以及下沟槽，从上沟槽向下延伸且具有比第一宽度小的第二宽度。下导电图案包括分别设置在下沟槽的相对侧壁上的侧壁导电图案。

公开(公告)号：CN112599488A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010704750.2

申请日：2020-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周益 ,  慎重垣 ,  张志熏 ,  韩正勋 ,  李俊雨

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括设置在层间绝缘层中并且设置在基底上的多个中间互连件和多个中间插塞。上绝缘层设置在层间绝缘层上。第一上插塞、第一上互连件、第二上插塞和第二上互连件设置在上绝缘层中。所述多个中间互连件中的每个具有第一厚度。第一上互连件具有大于第一厚度的第二厚度。第二上互连件具有大于第一厚度的第三厚度。第三厚度是第一厚度的2倍至100倍。第二上互连件包括与第二上插塞的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN115810591A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210501876.9

申请日：2022-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  李全一 ,  李钟旼 ,  李周益

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了半导体芯片的散热垫、包括散热垫的半导体芯片和制造半导体芯片的方法，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔(TSV)产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。

公开(公告)号：CN114284233A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202110766111.3

申请日：2021-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩正勋 ,  李周益

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件包括：衬底；覆盖衬底的上表面的层间绝缘层；在层间绝缘层中的单独的器件；覆盖衬底的下表面的下绝缘层；延伸穿过衬底、层间绝缘层和下绝缘层的贯通硅通路(TSV)结构；连接到TSV结构的上端的导电垫；围绕TSV结构的通路绝缘层；在通路绝缘层内侧围绕TSV结构的盖绝缘层。通路绝缘层和盖绝缘层在其间具有气隙。气隙的一部分延伸到下绝缘层中。

公开(公告)号：CN110021599A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201910004071.1

申请日：2019-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东完 ,  金根楠 ,  李周益

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体存储器件包括埋入在衬底的上部中并在第一方向上延伸的字线、以及连接到字线的字线接触插塞。字线的端部包括在第一方向上暴露的接触表面，并且字线接触插塞连接到该接触表面。