公开(公告)号：CN109841576B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201811432624.5

申请日：2018-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善大 ,  赵允来 ,  白南奎

IPC: H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、包括其的半导体晶片和半导体封装。该半导体器件包括基板，基板包括第一区域和在俯视图中至少部分地围绕第一区域的第二区域。保护图案设置在基板的第二区域上，并在俯视图中至少部分地围绕基板的第一区域。保护沟槽交叠保护图案并沿着保护图案在俯视图中至少部分地围绕基板的第一区域。保护沟槽的宽度不同于保护图案的宽度。

公开(公告)号：CN107452687B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201710271947.X

申请日：2017-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善大 ,  白亨吉 ,  赵允来 ,  白南奎

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基板，包括主芯片区域及与主芯片区域相邻的划线通道区域，划线通道区域包括与主芯片区域相邻的第一区及与第一区相邻的第二区；绝缘层，安置在半导体基板上；第一压印结构，在绝缘层的与第一区对应的第一区域中安置在所述绝缘层的第一表面上；第二压印结构，在绝缘层的与第二区对应的第二区域中安置在所述绝缘层的第一表面上；以及挡坝结构，在与第一压印结构对应的位置处设置在绝缘层的第一区域中，挡坝结构在和绝缘层的与半导体基板相邻的第二表面所垂直的方向上延伸。

公开(公告)号：CN111081640B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910649354.1

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  张爱熙 ,  韩承宪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，通过减少或防止在小片锯切工艺中可能出现的裂纹的扩展而改善了可靠性和产量。所述半导体器件包括：衬底，其包括第一芯片区域和围绕所述第一芯片区域的划片道区域；位于所述第一芯片区域中的所述衬底上的第一低k绝缘膜，其包括介电常数小于氧化硅的介电常数的第一绝缘材料；位于所述划片道区域中的所述衬底上的布线结构，其包括第二低k绝缘膜和所述第二低k绝缘膜中的布线图案，所述第二低k绝缘膜包括所述第一绝缘材料；以及位于所述第一低k绝缘膜与所述布线结构之间的第一保护绝缘膜，其包括不同于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN110767636A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201910201970.0

申请日：2019-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张A·N ,  白南奎 ,  赵允来 ,  韩承宪

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49

Abstract: 一种半导体封装，包括：封装基板；多个外部连接，封装基板下方；主芯片，在封装基板上；至少一个从芯片，在主芯片上；多个第一凸块和多个第二凸块，在封装基板与主芯片之间；以及多根引线，将封装基板与至少一个从芯片相连。封装基板包括：多条第一路径，将多个第一凸块与多个外部连接相连；以及多条第二路径，将多个第二凸块与多根引线相连。封装基板的上表面包括沿第一方向延伸的第一边和第二边以及沿第二方向延伸的第三边和第四边。

公开(公告)号：CN108573918A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810188499.1

申请日：2018-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  金善大 ,  白亨吉 ,  白南奎 ,  申承勋 ,  元东勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 一种对衬底进行分割的方法包括：制备衬底，所述衬底包括具有划片槽区及器件区的晶体半导体层、位于所述晶体半导体层上的介电层以及与所述介电层实体接触且设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上的分隔结构；在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺。所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。

公开(公告)号：CN108573918B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201810188499.1

申请日：2018-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  金善大 ,  白亨吉 ,  白南奎 ,  申承勋 ,  元东勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 一种对衬底进行分割的方法包括：制备衬底，所述衬底包括具有划片槽区及器件区的晶体半导体层、位于所述晶体半导体层上的介电层以及与所述介电层实体接触且设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上的分隔结构；在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺。所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。

公开(公告)号：CN115588655A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210790923.6

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤根 ,  赵允来 ,  白承德

IPC: H01L23/433 ,  H01L23/367 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体封装，其包括：封装基板；中介层，安装在封装基板上；第一半导体芯片，安装在中介层上；多个第二半导体芯片，安装在中介层上以围绕第一半导体芯片的至少一部分；热辐射构件，布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片上；以及热阻挡构件，从热辐射构件的一部分延伸并布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中的至少一个之间的第一空间以及所述多个第二半导体芯片中的至少两个之间的第二空间当中的至少一个空间中。

公开(公告)号：CN110828392A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910635252.4

申请日：2019-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩承宪 ,  赵允来 ,  白南奎 ,  A·N·张

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/528

Abstract: 本申请提供了半导体器件和半导体封装。半导体器件具有半导体芯片区域和切割线区域，所述半导体芯片区域包含半导体芯片和钝化膜的覆盖所述半导体芯片的第一部分，所述切割线区域包含连接到所述钝化膜的第一部分的所述钝化膜的第二部分、从钝化膜的第二部分的远端突出的第一绝缘膜、以及第一布线的至少一部分。第一绝缘膜的第一部分沿着钝化膜的第二部分的远端设置，第一绝缘膜的第二部分横向突出超过第一绝缘膜的第一部分，并且第一布线横向突出超出第一绝缘膜的第二部分。

公开(公告)号：CN119943764A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411219787.0

申请日：2024-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元熙 ,  赵允来

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/31 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装包括：多个半导体芯片，在第一方向上堆叠；多个芯片连接端子，设置在多个半导体芯片之中在第一方向上彼此相邻设置的两个半导体芯片之间，并且将该两个相邻的半导体芯片电连接；以及多个芯片支撑结构，设置在两个相邻的半导体芯片之间。多个芯片支撑结构不将两个相邻的半导体芯片电连接，并且在与第一方向交叉的第二方向上与多个芯片连接端子间隔开。多个芯片支撑结构中的每一个的厚度大于多个芯片连接端子中的每一个的厚度。

公开(公告)号：CN112447670A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010915149.8

申请日：2020-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  梁辰列 ,  高廷旼 ,  白承德

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种集成电路装置包括布线结构、第一布线间绝缘层、第二布线间绝缘层、再分布图案和覆盖绝缘层。布线结构包括具有多层布线结构的布线层和通孔插塞。第一布线间绝缘层围绕基板上的布线结构。第二布线间绝缘层在第一布线间绝缘层上，并且再分布通孔插塞通过第二布线间绝缘层连接到布线结构。再分布图案在第二布线间绝缘层上包括焊盘图案和虚设图案。各个图案的厚度大于各个布线层的厚度。覆盖绝缘层覆盖一些再分布图案。虚设图案是在平行于基板的水平方向上延伸的线的形式。