公开(公告)号：CN108351152B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201680063063.9

申请日：2016-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具建杓 ,  徐溶凡 ,  申椿叶 ,  柳宇烈 ,  李正贤

IPC: F25D23/00 ,  F25D23/02 ,  F25D23/06

Abstract: 公开了一种具有带有显示单元的改进结构的冰箱。所述冰箱包括：主体；储藏室，布置在所述主体内部，前部敞开；门，枢转地连接到所述主体，用于打开或关闭所述储藏室的敞开的前部；和显示单元，安装在所述门上。所述显示单元包括：用于显示图像的显示器；显示器玻璃，位于所述显示器的前面以具有比所述显示器更大的面积并形成触摸屏；具有用于将所述显示器安装在其中的显示器安装器的显示器壳体；固定地连接到所述门的显示单元壳体；以及固定单元，用于通过按压所述显示器壳体的一部分而将所述显示器壳体固定地连接到所述显示单元壳体。

公开(公告)号：CN107923693A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048861.4

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐溶凡 ,  具建杓 ,  申椿叶 ,  柳宇烈 ,  李正贤

IPC: F25D23/00 ,  F21V33/00 ,  F25D23/02 ,  F25D23/04 ,  F25D25/02

CPC classification number: F25D23/028 ,  F21V33/00 ,  F25D11/00 ,  F25D23/02 ,  F25D23/12 ,  F25D25/02 ,  F25D29/00 ,  F25D2323/021 ,  F25D2400/02 ,  F25D2400/36 ,  F25D2700/06 ,  H04N7/181 ,  H04N7/183

Abstract: 一种冰箱包括：主体，具有开口并且具有设置在其中的储藏室；配置为打开或关闭开口的门；相机单元，设置在所述门处以便拍摄储藏室，并且配置为通过与所述门的打开或关闭的操作相互配合而选择性地面对储藏室。因此，可以在不打开或关闭门的情况下查看储藏室的内部，并且将相机单元向外部的暴露最小化。

公开(公告)号：CN102881792A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210241696.8

申请日：2012-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金起成

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供了半导体外延薄膜生长方法以及用其制造半导体发光器件的方法。该半导体外延薄膜生长方法包括：在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。

公开(公告)号：CN102097528A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010521872.4

申请日：2010-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  李昌洙 ,  姜允默

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/34 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。制造太阳能电池的方法包括提供包括p型层和n型层的半导体基底。包含氮氧化铝的介电层设置在半导体基底的一侧上。第一电极与半导体基底的p型层电连通。第二电极与半导体基底的n型层电连通。设置介电层的步骤包括重复地形成氮化铝层并利用氧取代氮化铝层中部分氮。

公开(公告)号：CN1312318C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN03107258.5

申请日：2003-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵约赛 ,  裵恩珠 ,  崔原凤 ,  曹永真 ,  李正贤

IPC: C23C16/01 ,  C01G55/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01G55/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/893

Abstract: 本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。

公开(公告)号：CN1292479C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02147162.2

申请日：2002-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约塞 ,  曹永真

IPC: H01L27/10 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/321 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件。该电容器包括上部电极和下部电极，每个电极由铂族金属形成；设置在上部电极和下部电极之间的薄介电层；以及设置在下部电极和薄介电层之间的缓冲层，该缓冲层包括第3、4或13族的金属氧化物。

公开(公告)号：CN1252804C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03147080.7

申请日：2003-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹永真 ,  闵约赛 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  李俊冀 ,  李容均

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。

公开(公告)号：CN1638125A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082270.8

申请日：2004-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  李明宰 ,  朴永洙

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 提供一种半导体器件的电容器、包括该电容器的半导体存储器件和该半导体存储器件的工作方法。该电容器包括：下电极；层叠在该下电极上并包括相变层的介电层，该相变层在其绝缘性质被改变后显示出两种显著不同的电阻特性；以及层叠在该介电层上的上电极。包括该电容器的半导体存储器件在工作中与动态随机存取存储器一样快且具有与快闪存储器件相同的非易失性。

公开(公告)号：CN1574410A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410034355.9

申请日：2004-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴永洙 ,  李沅泰

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括置于一晶体管与一数据存储部分之间的一加热部分以及与该数据存储部分相连接的一金属互连层。数据存储部分包括一硫属化物材料层，该材料层经历因加热部分的加热导致的相变，以将数据存储到其中。该加热材料层被设置在硫属化物材料层的下方，且利用等离子氧化工艺对该加热材料层的顶面执行氧化，以提高电阻值。因而，利用很小的电流就能向硫属化物材料层输送其所必需的热量，从而可进一步降低该半导体存储器件所消耗的电流。

公开(公告)号：CN1551358A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410043078.8

申请日：2004-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  金泰完 ,  李正贤 ,  朴玩濬 ,  宋利宪

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/02 ,  G11C11/14 ,  H01L21/82

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/307 ,  H01L27/228

Abstract: 提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层，一防氧化层，一隧穿氧化层，及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成，其它材料层，尤其是防氧化层由与原子层淀积法不同的方法形成。