公开(公告)号：CN102097528A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010521872.4

申请日：2010-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  李昌洙 ,  姜允默

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/34 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。制造太阳能电池的方法包括提供包括p型层和n型层的半导体基底。包含氮氧化铝的介电层设置在半导体基底的一侧上。第一电极与半导体基底的p型层电连通。第二电极与半导体基底的n型层电连通。设置介电层的步骤包括重复地形成氮化铝层并利用氧取代氮化铝层中部分氮。